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很多问题需要结合实际情况9 [: D) K7 M* U8 b) X4 J I- f2 E
首先我采用的资料是上面贴出来的，设计也是按此考虑的6 S8 X2 E+ N" e6 d4 o% {
对于74HC00，属于74HC系列，为CMOS类型，输入电阻很大，为容性: u7 p1 v9 x4 S7 C
可以参考资料 http://zhidao.baidu.com/question/10856120.html
. w& p' x9 q) n' X* d0 @5 a. T& U最大输入漏电流 顾名思义就是正常的漏电流是没有这么大的
, H* U: `) Z. Z我贴出的资料中显示Iin为1uA(这里就不考虑0.1uA了)，因此维持静态输入没有问题
4 @3 O8 J% ?, e( [我考虑采用uA级或mA级的稳压二极管考虑的是损耗
8 h6 l# P( o" O1 L6 H你这里设计应该是做一个上电的判断，信号会长期维持
% i S8 v$ s- e因此损耗主要是由静态损耗构成，电流小了功耗自然小
. \( X! _1 ^% Q0 Q( [/ J6 ?
0 @# H) T8 v+ {# g当然，如果考虑更多速度而不是损耗的话还是建议采用mA级的稳压二极管设计
% ]& s* s5 ?& L至于同是Iin，一个是20mA一个是1uA所指的内容不一样
& g5 M) _+ _. J0 P2 I5 w前者指极限参数，发生在电平切换的时候
* i J$ H: R# x+ d. U$ o W4 a因为输入为容性，因此相当于给电容充放电，电流大速度自然快
( Z- i( y, e; S7 G但是电流太大会损坏期间，因此是极限参数
9 k5 D! h6 p( R/ T( _ }后者是是指静态时的泄漏电流，就像一般电容存在的泄漏电流一样
5 ^3 Z7 g2 L3 C, j# W8 Z7 H: x是由于介质材料等等原因造成 |
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发表于 2009-4-15 09:49
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