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很多问题需要结合实际情况
) I- I; P6 C) P首先我采用的资料是上面贴出来的,设计也是按此考虑的
1 f0 v& y' f: Q. x# A) D对于74HC00,属于74HC系列,为CMOS类型,输入电阻很大,为容性
' p7 E* o, p7 r* c0 g可以参考资料 http://zhidao.baidu.com/question/10856120.html$ h# G' D( H7 V2 F; s8 T; t
最大输入漏电流 顾名思义就是正常的漏电流是没有这么大的
: P9 o) d' Y1 Z, ?我贴出的资料中显示Iin为1uA(这里就不考虑0.1uA了),因此维持静态输入没有问题% X% ^, _8 @6 L! Q8 n. \
我考虑采用uA级或mA级的稳压二极管考虑的是损耗
6 z( I* G$ p& d! w# B! V你这里设计应该是做一个上电的判断,信号会长期维持
. p8 ?, |* q9 U. h6 P因此损耗主要是由静态损耗构成,电流小了功耗自然小/ y, h! G7 R$ ]- R/ A
+ ^' R" f+ q/ E+ C3 w: J当然,如果考虑更多速度而不是损耗的话还是建议采用mA级的稳压二极管设计# s0 u; E+ q+ w' h% D. J# I
至于同是Iin,一个是20mA一个是1uA所指的内容不一样
; d5 Y" k. g3 h0 J+ _前者指极限参数,发生在电平切换的时候
9 q! Z9 N- J) `; K5 E因为输入为容性,因此相当于给电容充放电,电流大速度自然快
/ [8 I1 g1 m7 H1 b" F( i但是电流太大会损坏期间,因此是极限参数
# s4 D Q* B8 h1 V2 t后者是是指静态时的泄漏电流,就像一般电容存在的泄漏电流一样
: Z7 j+ m( [& @1 v( d0 E% z6 B是由于介质材料等等原因造成 |
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