变压器各绕组的影响: 9 L: E2 s9 S- Q) H: r
1.初级绕组影响变压器饱和:ΔB=Lp*Ipk/Np/Ae<0.3T从公式可以看出Np越大越不容易饱和。 t$ u: f6 R6 y& h% g2 R
2.初级绕组影响次级绕组圈数:NS=(Vo+Vd)*(1-Dmax)*NP/(VINmin*Dmax) , Y( D0 _ F7 h( D. _
3.次级绕组影响反馈绕组:Nvcc=Vcc/Va Va=(Vo+Vd)/Ns / `+ r0 K( o5 R; J
4.匝比影响肖特基反向电压:Vd=Vmax/Np*Ns+Vo , j s. }1 U+ p: n$ X
5.匝比影响MOS耐压:Vds=Vinmax+漏感+Vor Vor=(Vo+Vd)/Ns/Np
& Z1 a& L* m/ n# X `9 a5 w3 G
6.匝比影响效率:匝比越大效率越高。
9 q+ D9 j$ S9 C7 J' Q
7.匝比影响占空比:Dmax=Vor/(Vor+Vinmin) Vor=(Vo+Vd)/Ns/Np / l Y6 D% j, \$ y% Q
绕组排列: $ C0 o& G" m: n4 `
1.初级绕组必须在最里层:这样可以缩短每匝导线的长度,减小其分布电容,同时初级绕组还能被其他绕组屏蔽,降低其电磁干扰。 $ {$ o u* k/ A3 K, T& _4 Z
2. 初级绕组的起始端应接到MOSFET 漏极:利用初级绕组的其余部分和其他绕组将其屏蔽,较小从初级耦合到其他地方的电磁干扰。
3 N6 I5 f. R; _
3. 初级绕组设计成2 层以下:这样能把初级分布电容和漏感降到最低,在初级各层间加1 绝缘层,能将分布电容减小到原来的1/4 左右。 9 y+ W. [% o/ B; i" ]
4. 绕制多路输出的次级绕组:输出功率最大的次级绕组应靠近初级,以减小漏感。如次级匝数少,无法绕满一层,可在匝间留间隙以便充满整个骨架,当然最好是采用多股并绕的方法。 + Y: D5 _9 m! ] ~
5. 反馈绕组一般在最外层:此时反馈绕组与次级绕组间耦合最强,对输出电压的变化反应灵敏,还能减小反馈绕组与初级绕组的耦合程度以提高稳定性。 1 Y t" E3 r% F' k1 I
6. 屏蔽层的设计:在初、次......
, ]$ v* X" p) l0 I) y, V |