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开关电源变压器各个绕组磁芯干扰的影响-学开关电源必看

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发表于 2019-2-20 07:00 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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开关电源变压器各个绕组磁芯干扰的影响-学开关电源必看
0 y4 u; k+ i- W) U) A

' E! r& C# ^" o  N; I
变压器各绕组的影响:
9 L: E2 s9 S- Q) H: r
1.初级绕组影响变压器饱和:ΔB=Lp*Ipk/Np/Ae<0.3T从公式可以看出Np越大越不容易饱和。
  t$ u: f6 R6 y& h% g2 R
  2.初级绕组影响次级绕组圈数:NS=(Vo+Vd)*(1-Dmax)*NP/(VINmin*Dmax)
, Y( D0 _  F7 h( D. _
  3.次级绕组影响反馈绕组:Nvcc=Vcc/Va Va=(Vo+Vd)/Ns
/ `+ r0 K( o5 R; J
  4.匝比影响肖特基反向电压:Vd=Vmax/Np*Ns+Vo
, j  s. }1 U+ p: n$ X
  5.匝比影响MOS耐压:Vds=Vinmax+漏感+Vor Vor=(Vo+Vd)/Ns/Np

& Z1 a& L* m/ n# X  `9 a5 w3 G
  6.匝比影响效率:匝比越大效率越高。

9 q+ D9 j$ S9 C7 J' Q
  7.匝比影响占空比:Dmax=Vor/(Vor+Vinmin) Vor=(Vo+Vd)/Ns/Np
/ l  Y6 D% j, \$ y% Q
绕组排列:
$ C0 o& G" m: n4 `
1.初级绕组必须在最里层:这样可以缩短每匝导线的长度,减小其分布电容,同时初级绕组还能被其他绕组屏蔽,降低其电磁干扰。
$ {$ o  u* k/ A3 K, T& _4 Z
  2. 初级绕组的起始端应接到MOSFET 漏极:利用初级绕组的其余部分和其他绕组将其屏蔽,较小从初级耦合到其他地方的电磁干扰。

3 N6 I5 f. R; _
  3. 初级绕组设计成2 层以下:这样能把初级分布电容和漏感降到最低,在初级各层间加1 绝缘层,能将分布电容减小到原来的1/4 左右。
9 y+ W. [% o/ B; i" ]
  4. 绕制多路输出的次级绕组:输出功率最大的次级绕组应靠近初级,以减小漏感。如次级匝数少,无法绕满一层,可在匝间留间隙以便充满整个骨架,当然最好是采用多股并绕的方法。
+ Y: D5 _9 m! ]  ~
  5. 反馈绕组一般在最外层:此时反馈绕组与次级绕组间耦合最强,对输出电压的变化反应灵敏,还能减小反馈绕组与初级绕组的耦合程度以提高稳定性。
1 Y  t" E3 r% F' k1 I
  6. 屏蔽层的设计:在初、次......

, ]$ v* X" p) l0 I) y, V

4 V- C: _0 d+ [, h

该用户从未签到

2#
发表于 2019-2-20 10:42 | 只看该作者
最近正在找这方面的资料 谢谢楼主
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