变压器各绕组的影响：
; E2 `6 B: n1 `3 c5 Q# i
1.初级绕组影响变压器饱和：ΔB=Lp*Ipk/Np/Ae<0.3T从公式可以看出Np越大越不容易饱和。 ) a1 u2 k. U7 d
2.初级绕组影响次级绕组圈数：NS=(Vo+Vd)*(1-Dmax)*NP/(VINmin*Dmax)
, z4 j I: x2 a. B5 w- e- M1 y
3.次级绕组影响反馈绕组：Nvcc=Vcc/Va Va=(Vo+Vd)/Ns 7 a* ^1 c, s. Y* r9 m4 k1 b
4.匝比影响肖特基反向电压：Vd=Vmax/Np*Ns+Vo
7 b8 a# o5 q' \) x0 s7 j
5.匝比影响MOS耐压:Vds=Vinmax+漏感+Vor Vor=(Vo+Vd)/Ns/Np 6 a* b5 \0 F7 j- S6 h( \& V
6.匝比影响效率：匝比越大效率越高。
9 [$ x# }; l; ]. x+ U
7.匝比影响占空比：Dmax=Vor/(Vor+Vinmin) Vor=(Vo+Vd)/Ns/Np ; _# g' x R. ?
绕组排列： X' e+ `2 w9 x8 I6 L2 ]
1.初级绕组必须在最里层：这样可以缩短每匝导线的长度，减小其分布电容，同时初级绕组还能被其他绕组屏蔽，降低其电磁干扰。
& m/ U) X% c' T0 z' o$ @
2. 初级绕组的起始端应接到MOSFET 漏极：利用初级绕组的其余部分和其他绕组将其屏蔽，较小从初级耦合到其他地方的电磁干扰。
& `- C3 ?, v7 B% M' F: G) [
3. 初级绕组设计成2 层以下：这样能把初级分布电容和漏感降到最低，在初级各层间加1 绝缘层，能将分布电容减小到原来的1/4 左右。 , D$ G- K( J5 \. S- C$ c
4. 绕制多路输出的次级绕组：输出功率最大的次级绕组应靠近初级，以减小漏感。如次级匝数少，无法绕满一层，可在匝间留间隙以便充满整个骨架，当然最好是采用多股并绕的方法。
) e. u( _* u' E- E5 C1 X; O
5. 反馈绕组一般在最外层：此时反馈绕组与次级绕组间耦合最强，对输出电压的变化反应灵敏，还能减小反馈绕组与初级绕组的耦合程度以提高稳定性。 9 ^8 h7 v* v& n
6. 屏蔽层的设计：在初、次......
1 h K( Q) \& x | 
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发表于 2019-2-20 07:00
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