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高频串联逆变器谐振极电容缓冲电路的研究( l! {9 T9 `* l, m& r6 r& ]* A
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摘要：探讨了一种适合MHz级高频逆变器的无损谐振极电容缓冲器。详细分析了逆变器的换流过程，研究了不同谐振极电容值对器件关断损耗和总体损耗的影响，给出了设计方法。仿真和实验波形证明了理论分析的正确性。 关键词：高频逆变器；电容缓冲电路；换流过程；无损 1 引言 随着快速开关器件(如功率MOSFET)的出现，使高频感应加热电源的实现成为可能。串联谐振逆变器是实现高频感应加热电源最常见的拓扑结构。然而,若使其工作在频率高于1MHz的情况下，为更好地限制di/dt和du/dt，减少器件的开关损耗，需对逆变器的缓冲电路提出更高的要求。 常规的缓冲器，如RCD缓冲电路，采用电阻来放电，随着开关频率的提高，消耗在缓冲器上的能量也随之增加，大大降低了整个逆变系统的效率。而在MOSFET漏源间直接并联一个无损缓冲电容可以有效地降低开关器件的关断损耗，将常规缓冲器中电阻消耗的能量反馈给负载或电源，更适合用于高频逆变器场合。文献[1][4]已在这方面进行了理论分析和推导。在此基础上，本文对在频率高达MHz级情况下含有谐振极电容缓冲器的串联谐振逆变器特性和参数设计作了进一步探讨，并进行了仿真和实验验证。 4 `' H8 B1 c/ V) `/ T+ V; l# r% u
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发表于 2019-1-7 07:00
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