为什么微波辅助磁记录（MAMR）硬盘能够比热辅助磁记录（HAMR）硬盘更迅速地提升企...

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为什么微波辅助磁记录（MAMR）硬盘能够比热辅助磁记录（HAMR）硬盘更迅速地提升企业能力？从大数据和其他大型数据生成应用领域获得的价值和情报，既为企业开创了扩大硬盘容量的战略机遇，也激化了我们在若干年前就已经开始着手应对的挑战。在成功开发第四代氦气硬盘后，我们即意识到，现有的垂直磁记录（PMR）技术可能无法获得更多的硬盘容量提升，于是我们很早就投入了多种的技术研发，以期能够扩大硬盘容量。现在看来，我们的这一决定非常明智并为未来发展铺平了道路，我们可以将大马士革磁头制造技术和能量辅助磁记录技术相结合，用来增加PMR硬盘的容量。
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由于磁头组件会影响硬盘扩容，因此，如果写入磁头过大，则很难产增加面密度（即沿磁道的每英寸位数（BPI）乘以每英寸磁道数（TPI）所得结果）所需的较小磁道。每英寸磁道数越多，面密度就越大，磁盘表面可用的每平方英寸容量就越大。由于尺寸缩放受到磁道长度写入性能的限制，为了扩大容量，需要引入一个窄小可靠且间距更小的写入磁头，以容纳较小的磁道。

我们将采用大马士革工艺生产的写入磁头与微驱动设计相结合，获得了优于以往干式磁极头工艺的每英寸磁道数，提升了写入性能，可以更好地控制磁头几何形状和制造工艺公差，改善了磁头尺寸的缩放，并大幅减少了相邻磁道干扰（ATI）。由此，我们不仅可以大幅提升可利用磁道密度，而且提升了磁头质量和相关产量。借助大马士革制造工艺将多层材料沉积并镀在磁头部位，可以更好地控制磁头形状和尺寸，还可使用极薄的多层材料来制成复杂的磁头结构，无论何种形状都可制作。

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