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楼主: House
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非常好的静电保护(ESD)原理和设计(下)

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该用户从未签到

107#
发表于 2022-1-7 16:13 | 只看该作者
哒哒哒哒哒哒多多多多多多多
4 Y8 E0 U$ W, Q- V* L: R' Z

该用户从未签到

109#
发表于 2022-1-26 09:44 | 只看该作者
很好很好,不错不错,受教受教
( k( R, r  U  G
  • TA的每日心情
    开心
    2025-6-5 15:36
  • 签到天数: 1097 天

    [LV.10]以坛为家III

    111#
    发表于 2022-2-9 14:03 | 只看该作者
    thanks for your sharing !!!  excellent professional precious datas !!!
  • TA的每日心情
    开心
    2024-2-23 15:08
  • 签到天数: 301 天

    [LV.8]以坛为家I

    113#
    发表于 2022-2-10 11:59 | 只看该作者
    谢谢分享  
  • TA的每日心情
    奋斗
    2023-5-24 15:30
  • 签到天数: 104 天

    [LV.6]常住居民II

    114#
    发表于 2022-2-22 13:30 | 只看该作者
    学习ESD设计+ R$ @) b. h5 E/ m% G5 t, c0 n' T

    该用户从未签到

    115#
    发表于 2022-2-22 20:14 | 只看该作者
    的静电保护(ESD)原理和设计

    该用户从未签到

    116#
    发表于 2022-2-23 08:50 | 只看该作者
    学习学习学习学习学习学习学习学习学习学习学习学习学习学习学习学习学习学习学习学习学习学习学习
    4 m' y6 m6 e- z! a
  • TA的每日心情
    奋斗
    2023-12-8 15:59
  • 签到天数: 57 天

    [LV.5]常住居民I

    117#
    发表于 2022-2-25 14:00 | 只看该作者
    看看,学习一下

    该用户从未签到

    118#
    发表于 2022-3-1 08:39 | 只看该作者
    面很远,所以可以明显提高ESD击穿能力(>4kV)。但是这样的话这个额外的MOS的Gate就必须很长防止穿通(punchthrough),而且因为器件不一样了,所以需要单独提取器件的SPICE Model
  • TA的每日心情
    开心
    2025-6-4 15:16
  • 签到天数: 775 天

    [LV.10]以坛为家III

    119#
    发表于 2022-3-1 09:00 | 只看该作者
    学习学习啊
    1 W. S4 T. w% a- x: K  k
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