关于三极管CE最小电流的问题

Joen0_0

图1的电路是实现Sys_3V3控制4V（电池）的输出，我按照以往的经验设计，将R98,R99定为10KR，但是调试（MMBT3904调试时换成IRLML2502的NMOS管）发现Q13/Q14导通后，消耗的电流太大了，40+uA，只计算图1的电路，Cell_out的后续电路没有计算
7 ^5 J( z6 ?' t& i; z  m我就将R98,R99的电阻改为560KR，发现电路也正常，此时大概7uA。我想知道，我把R98,R99改这么大会有什么后续问题么？再改大呢？

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Jary

R98和R99使用560k是没问题的。但是这个电路是可以优化的，如果只是实现开关功能，Q13与Q14使用一个三极管就可以实现，比如使用Q14，删除Q13与R98，Q14的集电极与PMOS的栅极串接100R电阻，并且在R108与电阻R99上各并联一个0.1uf的电容，增加这个缓启动有利于压制瞬态电流。否则在Q13与PMOS管导通的瞬间瞬态电流过大会导致4V电流塌陷

Joen0_0

Jary 发表于 2018-9-2 11:25
R98和R99使用560k是没问题的。但是这个电路是可以优化的，如果只是实现开关功能，Q13与Q14使用一个三极管就 ...

这个电路是实现Sys_3V3有的时候就没有Cell_out，去掉一个管子好像不是很好做吧
' F7 A6 G2 m* @$ q3 z1 @- ~5 n: Q缓启功能我试一下，感谢

Jary

Joen0_0 发表于 2018-9-3 09:09
这个电路是实现Sys_3V3有的时候就没有Cell_out，去掉一个管子好像不是很好做吧
( c5 B  o2 w2 K缓启功能我试一下，感谢
...

% `1 U$ P6 h8 Y! S) |很好做的，你可以深入调试确认下。
, `7 S8 q3 ]' Q3 a

Joen0_0

在三极管的规格书里面找到了这个，是不是跟这个Collector Cutoff Current有关？
望大神指点
. u& |, v8 z# h0 [, n, o

lukeluck

为什么需要Q13  Q14两个三极管，只用一路不可以吗？

Joen0_0

lukeluck 发表于 2018-8-31 15:58
1 R' P6 d) K5 V6 T: h! t为什么需要Q13  Q14两个三极管，只用一路不可以吗？

3 N- g: C4 B- nSys_3V3高的时候，Q11不导通，低的时候导通，有更优的电路么？求指导

Jujianjun

这个电路用来做什么的啊？ 只是个开关？ 还是缓起？

Joen0_0

Jujianjun 发表于 2018-8-31 18:27
这个电路用来做什么的啊？ 只是个开关？ 还是缓起？

就是开关

Jujianjun

如果只是个开关，那就不用那么复杂，MOSFET要注意RDSON要尽可能小， 另外电阻改大有没什么问题我觉得。

Joen0_0

Jary 发表于 2018-9-3 19:57
/ I5 ]4 o$ V& g1 c* V很好做的，你可以深入调试确认下。

不明白，指点一下？

wcf88123310

Joen0_0

cytao 发表于 2018-9-7 08:53
" z6 {( g0 f" @* {- O, X# m6 Y为了更方便与更可行，我会用MOS+三极管来控制，当然会加个100NF的电容。

我现在就是这样啊，就是电路静态电流大了，想找优化方法而已

Joen0_0

cytao 发表于 2018-9-7 18:27
那就找漏电流小的三极管，基极用比较大的电阻。可以看下V信号“Learn-do",有对三极管详细的讲解，或许对你 ...

好的，感谢

clp783

去掉一级逻辑就反了。