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关于ESR电阻问题

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发表于 2018-7-24 22:25 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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这个电阻是在BUCK电路输出端和一个大电容串联,规格书是这么解释的。看不懂什么意思。
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推荐
发表于 2018-7-25 15:44 | 只看该作者
很多老的电源设计方案,由于内部没有很好的环路补偿,当使用LOW ESR的陶瓷(MLCC)时,电源环路不稳定,没有足够的相位裕度或者增益裕度,容易发生震荡,解决的办法是确保一定ESR,这样在波特图的增益曲线上增加一个零点,是的环路增益曲线穿过0db点的时候,是以20db每十倍频程的斜率的,这样系统是稳定。

点评

谢谢版主。这个是BUCK的传递函数,零点是使分子为零的点。令分子为零,算出来的s=-1/(R+RC)C,转化为频率是f=1/(2pi*(R+RC)*C),f是剪切频率,RC越大,f左移,相位裕度越大,系统越稳定。系统稳定不震荡条件是使系统  详情 回复 发表于 2018-7-25 22:49
谢谢版主分享!  详情 回复 发表于 2018-7-25 15:59

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参与人数 2威望 +15 收起 理由
超級狗 + 5 江山代有才人出!^_^
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2#
 楼主| 发表于 2018-7-24 22:27 | 只看该作者
Q100是控制下面的电路的,BUCK的MOS在芯片内部

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3#
发表于 2018-7-25 10:31 | 只看该作者
22u電容的ESR值+ PCB 的寄生電阻值 + R109 電阻值,要在 100 m ~ 300 mOhm 之間。

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  • TA的每日心情
    开心
    2019-12-3 15:19
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    [LV.3]偶尔看看II

    5#
    发表于 2018-7-25 15:59 | 只看该作者
    Jujianjun 发表于 2018-7-25 15:44+ y' }  q  D# t$ v
    很多老的电源设计方案,由于内部没有很好的环路补偿,当使用LOW ESR的陶瓷(MLCC)时,电源环路不稳定,没 ...

    9 V6 B) P/ V  B0 J2 l3 s3 Q谢谢版主分享!' D* s' F. i, w8 y2 Z

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    6#
     楼主| 发表于 2018-7-25 22:49 | 只看该作者
    Jujianjun 发表于 2018-7-25 15:44
    3 c% E) n, s, G) R  a, W; _很多老的电源设计方案,由于内部没有很好的环路补偿,当使用LOW ESR的陶瓷(MLCC)时,电源环路不稳定,没 ...

    ) W* \( N  P$ f" V谢谢版主。这个是BUCK的传递函数,零点是使分子为零的点。令分子为零,算出来的s=-1/(R+RC)C,转化为频率是f=1/(2pi*(R+RC)*C),f是剪切频率,RC越大,f左移,相位裕度越大,系统越稳定。系统稳定不震荡条件是使系统相位为180度时的频率大于穿越频率,穿越频率越小,留出来的裕度越大,越稳定。这样解释应该可以吧?9 q. u+ W: C# h/ i

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    点评

    还是应该用裕度的方式: 1. 首先要明确什么是环路增益 2. 当开端电源输出端L和LOW ESR CAP组合在一起时,形成了双极点 3. 双极点需要增加一个零点,这样在穿过0db点时,一个带宽大,另外由足够的相位裕度 4.  详情 回复 发表于 2018-7-28 15:54

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    7#
    发表于 2018-7-26 07:41 | 只看该作者
    关注这个问题

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    9#
    发表于 2018-7-28 15:54 | 只看该作者
    薛定谔_qq 发表于 2018-7-25 22:49
    $ `- |; n. b/ k谢谢版主。这个是BUCK的传递函数,零点是使分子为零的点。令分子为零,算出来的s=-1/(R+RC)C,转化为频率 ...
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    还是应该用裕度的方式:+ {7 {6 Q9 V' Q6 m. P

    . B' Z- x9 v; Y- f1. 首先要明确什么是环路增益
    7 W; i3 a: V- u) J/ A2. 当开端电源输出端L和LOW ESR CAP组合在一起时,形成了双极点+ a' d7 B, z; e! U* l, _) Q2 r
    3. 双极点需要增加一个零点,这样在穿过0db点时,一个带宽大,另外由足够的相位裕度
    . }) l) b. I: G" S' _3 }4. 电容的ESR的太小, FZ=1/2pai RC, 导致FZ补偿的零点频率太高,导致还没有来得及补偿,增益线已经到了0db点了' Q: S9 t  B" R$ F0 J" P

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