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楼主: Haiting32451
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华为海思HI3559V100官方demo

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  • TA的每日心情
    开心
    2020-12-3 15:53
  • 签到天数: 38 天

    [LV.5]常住居民I

    62#
    发表于 2018-11-6 01:41 | 只看该作者
    kkk                        
    / O# U* p7 F) T1 t! @' e% \1 X! Q

    该用户从未签到

    63#
    发表于 2018-11-6 16:00 | 只看该作者
    不知道下载过没有
  • TA的每日心情

    2025-6-16 15:10
  • 签到天数: 82 天

    [LV.6]常住居民II

    65#
    发表于 2018-11-29 19:24 | 只看该作者
    444444444444444

    该用户从未签到

    66#
    发表于 2018-12-3 02:31 | 只看该作者
    及时雨哈哈,正要找这方面的资料,居然就出现了

    该用户从未签到

    67#
    发表于 2018-12-3 19:30 | 只看该作者
    咨询下楼主" _. n0 c/ I' x; T2 |! I
    1、海思开发板一般都是要求DDR部分不要作改动,预览前面的网页也有同学提到他们公司改动了几根后面出问题,可是问题是海思开发板的叠层参数给的都不是很完整,叠层结构以及各层的厚度有给出,但是介电常数都是4.5(从工程文件的Cross-section中查看),按这个参数结合线宽线距以及对阻抗的要求,制板厂家根本设计不出叠层参数,请问楼主有了解吗; ?8 y# J( m% v6 X7 ^1 D
  • TA的每日心情
    郁闷
    2020-6-23 15:27
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    68#
    发表于 2018-12-5 10:28 | 只看该作者
    学习一下,谢谢!

    该用户从未签到

    70#
    发表于 2018-12-15 12:39 | 只看该作者
    这个参考一下可以的

    该用户从未签到

    71#
    发表于 2019-4-18 16:01 | 只看该作者
    谢谢楼主分享
  • TA的每日心情
    慵懒
    2025-6-13 15:03
  • 签到天数: 129 天

    [LV.7]常住居民III

    72#
    发表于 2019-4-19 11:36 | 只看该作者
    嗯。看看了。希望是好动西。
    8 }9 C7 g; x6 J; J0 i7 f2 t1 ?% O7 b
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