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请大家帮忙分析一下这个MOS切换电路

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发表于 2017-8-28 22:59 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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电路如图所示,主要功能是一个双电源充电切换电路,现在碰到情况3的问题,导致充电不正常,请大家帮忙看看。8 N1 w  M9 S  C( C8 h9 A

双电源充电切换电路.PNG (116.09 KB, 下载次数: 6)

双电源充电切换电路.PNG

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发表于 2017-8-30 00:00 | 只看该作者
本帖最后由 kevin890505 于 2017-8-30 09:17 编辑
/ x% P5 ?8 I% L  b- ^2 M* Z6 r0 B  W4 M0 c2 W: _) \
个人猜,你的时序+参数搭配刚好没考虑到掉电微观过程的(掉电不是瞬间的,有斜坡)切换问题。这个电路比较常用,但是总体来说,一般的逻辑是你VIN掉电,然后Q1,会因为Vin没有而关闭,同时在跌落到某个阈值打开Q3.
. u3 \$ g# w6 p% L细化看你的参数,首先电池是有电的吧?想象下Vin从5V开始慢慢降,降到4.2V等于电池电压,此时Q1,2仍然是导通的(mohm电阻),Q1要关闭,Vin端必须继续降低才可以,但是Q1此时导通,所以Vin就从Q1,2的获得这个电池的4.2V,无法降低了,就是说Q1自锁了,从而Q1一直保持开启状态。电压下不去,你的Q3,4应该是没法导通的,所以Vin2应该过不来。
( u: C' e8 \4 W/ Y2 S+ L9 a测试下此时各个节点的电压确认下,标在图上看看,按道理应左侧和中间节点都是4.2V,右侧5V,右侧Q3,4处于关闭,左侧Q1,2打开,三极管Q5也是打开的。
, m" Z8 f) m% g& E7 _6 o仿真图,多的三极管是用来模拟Vin悬空的。, Y; [( I7 ?2 I' e4 d8 C
) X. O8 g, u8 i! c' h
1 D  j' s  |" L
结果,可以看出,Vin悬空后,情况和猜测的一样。可以看出V3黄色的电压升高后,按道理Vin应该没电了,但是此时Vin跌落到4.1V(因为我串了电阻)左右=BAT点电压,Vin2=5V一直不会变。
/ I! A7 t* n5 }% {0 r  @! |9 _; `  S4 E9 P# ^/ v& _! f; c) l

% O# v  I* u# q& O( u方法就懒得说了,只要你保证在这个过程中找个逻辑强制把Q1,2关闭就可以了。: ~% ^( A  Z( @% Y9 Y

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楼主的解释很详细,说得对  详情 回复 发表于 2017-10-20 15:26

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发表于 2017-11-7 10:44 | 只看该作者
jasson 发表于 2017-8-29 20:18
2 ]: |* K5 c: _1 I  c, s防倒灌  p8 T; L% g7 P3 [3 m/ U
) f2 o$ I2 @# u! H+ S, x9 Z
0 F1 T0 y9 E( {. n) Q[size=15.5556px]防倒灌为啥不用肖特基二极管,用mos内置的二极管压降大,另外也存在mos导通的情况,这样就没有防倒灌的功能了吧?! n" D$ p0 A, E* P" a6 H
3V就可以完全控制导通的N-MOS管(60V/12A) MOS(场效应管)/STD12NF06LT4 编带
  1. http://www.szlcsc.com/so/product/details_93709.html
复制代码

; z! r" T. j2 l1 H& `

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发表于 2017-8-29 10:01 来自手机 | 只看该作者
1、首先从电路上看,J1和J2同时插入时,J2是不导通的,但是呢这时候Q3 Q4级间电容是要充电,【通过VIN在电阻R2】,如果断开J1,那么这时候级间电容需要放电,Q5会被导通,进而Q1 Q2导通,3401体二极管压降如图所示,这时VIN电压在4.2V左右2、3401导通导通电压如图,此时处于刚刚导通状态

4IFX}MQ%G89X6EIK]UTIKUO.png (9.89 KB, 下载次数: 0)

4IFX}MQ%G89X6EIK]UTIKUO.png

7TAIP%X[`TR]T5YB69`_SXX.png (7.23 KB, 下载次数: 0)

7TAIP%X[`TR]T5YB69`_SXX.png

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嗯,谢谢指点,该怎么解决呢  详情 回复 发表于 2017-8-29 11:06

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2#
发表于 2017-8-29 00:25 | 只看该作者
你好,把R1加大一点接到+5V吧。通过了MOS的二极管有压降。还有就是你VIN有4.2V的话,应该会影响Q3,Q4的导通的吧。你看看。两边都插电源,应该不通才对吧。+ c, K+ h7 z: b# h$ C, V+ M

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J1突然断开时,VIN端的电压变成4.2V,导致Q3和Q4处于不完全导通状态  详情 回复 发表于 2017-8-29 09:59

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3#
发表于 2017-8-29 09:23 | 只看该作者
1、你说的情况3,充电不正常的现象具体描述一下,从电路上看,应该是冲进去电了。还是只是vin1的电压不对?
* ~5 e- c$ R6 p0 O2、充电电路的两路汇集口,可以增加两个单向二极管保护一下。  A$ ]& Z7 Z, A( e8 O1 G

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4#
发表于 2017-8-29 09:25 | 只看该作者
从电路看不应该有4.2V,    找找4.2V哪来的

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5#
发表于 2017-8-29 09:55 来自手机 | 只看该作者
1,首先从电路上来看J1和

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6#
 楼主| 发表于 2017-8-29 09:59 | 只看该作者
weihuaping118 发表于 2017-8-29 00:25$ N  {* w; s7 C) L& s9 j% s
你好,把R1加大一点接到+5V吧。通过了MOS的二极管有压降。还有就是你VIN有4.2V的话,应该会影响Q3,Q4的导通 ...
+ ~( M& t+ C! p& g- U+ x
J1突然断开时,VIN端的电压变成4.2V,导致Q3和Q4处于不完全导通状态

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9#
 楼主| 发表于 2017-8-29 11:06 | 只看该作者
wach 发表于 2017-8-29 10:01
& D6 q( u' p" W7 n* S9 y1、首先从电路上看,J1和J2同时插入时,J2是不导通的,但是呢这时候Q3 Q4级间电容是要充电,【通过VIN在电 ...

: c/ ~7 w! x# ]5 g) [+ W/ K' j嗯,谢谢指点,该怎么解决呢3 N1 V* k+ o) P

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你把R3电阻加到3k试试,尽可能不让电容对三极管造成影响  详情 回复 发表于 2017-8-29 11:20

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10#
发表于 2017-8-29 11:20 来自手机 | 只看该作者
jasson 发表于 2017-8-29 11:06
1 ]( L* m6 v+ P; d嗯,谢谢指点,该怎么解决呢
6 r5 I4 H! f6 E/ X  e
你把R3电阻加到3k试试,尽可能不让电容对三极管造成影响
  • TA的每日心情
    奋斗
    2021-3-10 15:58
  • 签到天数: 11 天

    [LV.3]偶尔看看II

    11#
    发表于 2017-8-29 13:53 | 只看该作者
    Q1 Q4干啥用的?

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    防倒灌  详情 回复 发表于 2017-8-29 20:18

    该用户从未签到

    12#
     楼主| 发表于 2017-8-29 20:18 | 只看该作者
    xbin 发表于 2017-8-29 13:53
    & \9 Y( D0 ~$ CQ1 Q4干啥用的?
    + s4 ?8 p* [1 |) I  z9 E: w
    防倒灌# j6 ]$ A4 \* M+ C3 ?0 X

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    防倒灌为啥不用肖特基二极管,用mos内置的二极管压降大,另外也存在mos导通的情况,这样就没有防倒灌的功能了吧?  详情 回复 发表于 2017-8-31 09:16

    该用户从未签到

    14#
    发表于 2017-8-30 23:36 | 只看该作者
    把Q5换成2N7002试试,R1去掉,R2,R3换成0欧姆,R5换个阻值大点的,4.7k应可以了,有个1mA左右的泄放电流可以了,个人觉得Q2,Q3都是多余的。
  • TA的每日心情
    奋斗
    2021-3-10 15:58
  • 签到天数: 11 天

    [LV.3]偶尔看看II

    15#
    发表于 2017-8-31 09:16 | 只看该作者
    jasson 发表于 2017-8-29 20:18# t& t6 D  j: ]- c( Q
    防倒灌

    , F4 g, V# q, L% w$ }- q[size=15.5556px]防倒灌为啥不用肖特基二极管,用mos内置的二极管压降大,另外也存在mos导通的情况,这样就没有防倒灌的功能了吧?* o6 e: Q3 N9 J5 v  h
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