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关于MOS管内部寄生二极管

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1#
发表于 2016-8-31 15:21 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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大神们,请教下是否现在所有的MOS管内部都会有寄生二极管的存在?* a4 y# Z1 T- m3 d0 O5 m% N

该用户从未签到

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发表于 2016-8-31 23:55 | 只看该作者
看图说话,MOS其实是四端器件,这个模电有说,但我们平时用到的没有4个端的啊,因为制作的时候把图中的沉底和S级连在一起了。很容易看得出,本来是完全对称的,因为BS连在一起了,就不对称了,途中的PN结本来有2个,结果只有一个了,这个就是body diode了。* D( ^8 [4 k% s
那也很容易知道,假如BS没有连接在一起,就有2个二极管,Vgb不够,DS是不会导通的,虽然有二极管但是2个背靠背就不用关心了反正没有Vgb不导通。当然此时DS是可以互换的。
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点评

非常感谢!!  详情 回复 发表于 2020-2-29 19:18
  • TA的每日心情
    开心
    2024-9-14 15:26
  • 签到天数: 9 天

    [LV.3]偶尔看看II

    3#
    发表于 2016-9-1 10:25 | 只看该作者
    应该是吧,画MOS管示意图上面都有寄生二极管的.

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2016-9-1 11:03 | 只看该作者
    那有些开关电源中的  HMOS 是电流是从S流到D ,就算开关关闭的时候也会有导通,这样会不会影响电源的性能啊?(带载能力,效率等?)图中这个是升压电源的 HMOS,输入20V,输出50V,测量时确实带载能力不够,,,还不知道原因。
    8 X, Q, B. ]* ^5 e

    MOS.png (40 KB, 下载次数: 4)

    MOS.png

    点评

    开关关断的时候不会导通的,用ds两端的电位分析一下就知道截止了。该二极管存在是防止电路异常工作导致Vds反向电压过高损坏MOS管,将电位钳住  详情 回复 发表于 2020-3-1 11:29
    应该用PMOS管,图中是NMOS  详情 回复 发表于 2020-2-29 23:00
    你看错了吧,开关开关,关不断还怎么起作用,利用二极管的不是没有,但开关电源嘛没开关怎么工作,你截个全图来看看。  详情 回复 发表于 2016-9-1 20:08

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2016-9-1 20:08 | 只看该作者
    hao2012 发表于 2016-9-1 11:03
    , x5 T$ G; F' s那有些开关电源中的  HMOS 是电流是从S流到D ,就算开关关闭的时候也会有导通,这样会不会影响电源的性能啊 ...
    2 P: M- S+ j" u% H6 `9 y& M
    你看错了吧,开关开关,关不断还怎么起作用,利用二极管的不是没有,但开关电源嘛没开关怎么工作,你截个全图来看看。
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    点评

    就是这个,帮忙分析分析?  详情 回复 发表于 2016-9-2 09:44

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    6#
    发表于 2016-9-2 09:44 | 只看该作者
    kevin890505 发表于 2016-9-1 20:08" \* f5 _  C2 W4 |8 Z' v8 \
    你看错了吧,开关开关,关不断还怎么起作用,利用二极管的不是没有,但开关电源嘛没开关怎么工作,你截个 ...

    ) n3 ?( u. @+ |+ K就是这个,帮忙分析分析?! M" o/ ~3 ]( p: K, c5 X' y

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    这是个同步boost,高端的MOS是取代以前的二极管的,提高效率。 应该是通用的,LMOS导通,电感储能,此时HMOS肯定关断,那么HMOS的S级不是Vin而是接近GND,D级是Vout=50V,body diode是截至的和以前的二极管没区别。  详情 回复 发表于 2016-9-2 11:02

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2016-9-2 11:02 | 只看该作者
    hao2012 发表于 2016-9-2 09:44
    9 W  V, v6 I2 V6 d) s! \& R: @就是这个,帮忙分析分析?

    " R( j; r+ z2 O& O! K, u# M这是个同步boost,高端的MOS是取代以前的二极管的,提高效率。
    ; f7 j1 I$ s5 ~6 s应该是通用的,LMOS导通,电感储能,此时HMOS肯定关断,那么HMOS的S级不是Vin而是接近GND,D级是Vout=50V,body diode是截至的和以前的二极管没区别。然后下一个Lmos关断,电感电压和电源电源叠加升压,同时Hmos打开,此时MOS就直通,相当于Rds把body diode短路了,而不靠二极管续流,那这个地方就没有二极管压降造成的那么大损耗。下一个周期反复。! u# t6 ]7 j  e; [  e: I- F
    可见,整个工作过程中,可能只存在MOS导通缓慢才会有大电流流过HMOS的寄生二极管的情况,但设计会避免出线此情况。完全关闭导通后都不会有。5 Q: D" v- n* x2 P7 A, A

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2020-2-29 19:18 | 只看该作者
    kevin890505 发表于 2016-8-31 23:55) P; _% g8 z- N5 i0 M+ q0 x8 M
    看图说话,MOS其实是四端器件,这个模电有说,但我们平时用到的没有4个端的啊,因为制作的时候把图中的沉底 ...
    2 @9 q/ b9 K" l' [) m1 Y  z6 j+ q
    非常感谢!!

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    9#
    发表于 2020-2-29 23:00 | 只看该作者
    hao2012 发表于 2016-9-1 11:03
    ) {. d6 V+ I; C4 V6 Z1 E- M" y那有些开关电源中的  HMOS 是电流是从S流到D ,就算开关关闭的时候也会有导通,这样会不会影响电源的性能啊 ...

    ' ]3 b. K- j, k. Q4 X应该用PMOS管,图中是NMOS% H# j7 e4 ^8 C3 x! |7 E+ m0 V9 o

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    10#
    发表于 2020-3-1 11:26 | 只看该作者
      用过20多种MOS管,内部都有二极管

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    11#
    发表于 2020-3-1 11:29 | 只看该作者
    hao2012 发表于 2016-9-1 11:037 k$ U" Y2 D4 q$ m, Y
    那有些开关电源中的  HMOS 是电流是从S流到D ,就算开关关闭的时候也会有导通,这样会不会影响电源的性能啊 ...
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    开关关断的时候不会导通的,用ds两端的电位分析一下就知道截止了。该二极管存在是防止电路异常工作导致Vds反向电压过高损坏MOS管,将电位钳住
    . H  U! `5 x5 U  Y) @
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