关于MOS管内部寄生二极管

Ric_liu

大神们，请教下是否现在所有的MOS管内部都会有寄生二极管的存在？
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kevin890505

看图说话，MOS其实是四端器件，这个模电有说，但我们平时用到的没有4个端的啊，因为制作的时候把图中的沉底和S级连在一起了。很容易看得出，本来是完全对称的，因为BS连在一起了，就不对称了，途中的PN结本来有2个，结果只有一个了，这个就是body diode了。
那也很容易知道，假如BS没有连接在一起，就有2个二极管，Vgb不够，DS是不会导通的，虽然有二极管但是2个背靠背就不用关心了反正没有Vgb不导通。当然此时DS是可以互换的。

lize314

应该是吧，画MOS管示意图上面都有寄生二极管的.

hao2012

那有些开关电源中的  HMOS 是电流是从S流到D ，就算开关关闭的时候也会有导通，这样会不会影响电源的性能啊？（带载能力，效率等？）图中这个是升压电源的 HMOS，输入20V，输出50V，测量时确实带载能力不够，，，还不知道原因。

kevin890505

hao2012 发表于 2016-9-1 11:03
那有些开关电源中的  HMOS 是电流是从S流到D ，就算开关关闭的时候也会有导通，这样会不会影响电源的性能啊 ...

4 V; E4 S# o2 V  G+ {你看错了吧，开关开关，关不断还怎么起作用，利用二极管的不是没有，但开关电源嘛没开关怎么工作，你截个全图来看看。
4 _- O' m1 O! E6 l7 L

hao2012

kevin890505 发表于 2016-9-1 20:08
你看错了吧，开关开关，关不断还怎么起作用，利用二极管的不是没有，但开关电源嘛没开关怎么工作，你截个 ...

就是这个，帮忙分析分析？
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kevin890505

hao2012 发表于 2016-9-2 09:44
: ~0 V4 J+ S- Y: q) Q, f3 V% H/ e就是这个，帮忙分析分析？

% h- x/ e, w9 d+ [- A7 ~- B* A1 K1 H这是个同步boost，高端的MOS是取代以前的二极管的，提高效率。
( ^: K7 U; M0 t# T, C3 U! E+ X' H应该是通用的，LMOS导通，电感储能，此时HMOS肯定关断，那么HMOS的S级不是Vin而是接近GND，D级是Vout=50V，body diode是截至的和以前的二极管没区别。然后下一个Lmos关断，电感电压和电源电源叠加升压，同时Hmos打开，此时MOS就直通，相当于Rds把body diode短路了，而不靠二极管续流，那这个地方就没有二极管压降造成的那么大损耗。下一个周期反复。
可见，整个工作过程中，可能只存在MOS导通缓慢才会有大电流流过HMOS的寄生二极管的情况，但设计会避免出线此情况。完全关闭导通后都不会有。
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kevin890505 发表于 2016-8-31 23:55
看图说话，MOS其实是四端器件，这个模电有说，但我们平时用到的没有4个端的啊，因为制作的时候把图中的沉底 ...

' q3 I9 y5 E% `9 o  R' _非常感谢！！

renxiangbing1

hao2012 发表于 2016-9-1 11:03
那有些开关电源中的  HMOS 是电流是从S流到D ，就算开关关闭的时候也会有导通，这样会不会影响电源的性能啊 ...

! P2 C) Y, l) L* ^9 }0 r8 Z0 H应该用PMOS管，图中是NMOS

一缕缕阳光

  用过20多种MOS管，内部都有二极管

一缕缕阳光

hao2012 发表于 2016-9-1 11:03
9 _. T4 G3 c; S那有些开关电源中的  HMOS 是电流是从S流到D ，就算开关关闭的时候也会有导通，这样会不会影响电源的性能啊 ...

开关关断的时候不会导通的，用ds两端的电位分析一下就知道截止了。该二极管存在是防止电路异常工作导致Vds反向电压过高损坏MOS管，将电位钳住
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