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mos管电路的用法 看不懂 请大家探讨

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1#
发表于 2016-3-30 18:24 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图,这个电路24v输入,为什么能输出12v。 该电路是成熟电路,实际搭出来的确是能测得接近12v电压? 请问怎么分析输出电压的产生。
6 P5 _8 i, A# V, A+ w

1.png (51.31 KB, 下载次数: 6)

1.png

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发表于 2016-4-1 09:11 | 只看该作者
PTC,按1A*0.7,也最多是0.7V的压降,那还剩下11.3V呢,1欧的电阻跟谁并联都是小于1欧的,PTC限制了回路总电流,如果最大电流只能过1A,那11.3V压降从哪里来呢

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发表于 2016-4-1 19:36 | 只看该作者
在下也發表一下個人看法
" [1 O2 X8 K% m8 q- _  b) e. B' n如版主圖所示,Q1不會工作在飽和區(右側水平線),而是工作在電阻(線性)區(左側斜線)( q5 J1 r! r5 W* r
通電後,Gate電壓固定24*(51/(22+51)=16.76V,Source電壓開始上升。Vgs越來越小,使Q1脫離飽和區進入電阻區,預期Vgs=16.76-12=4.76時會到達穩態,如此轉出12V
# ^; `9 `& k9 j3 F4 y如上面先進所述,PD12是一顆zener diode, 使用Vz=12V的二極體會比較合理, J7 Q7 q, H3 }
R26功能在下也不清楚。樓主電路板上是有上件的嗎?比較能夠避免功率問題的說法應該是該R26與Q1是並聯電路,如果Q1在電阻區的阻值遠低於R1, 那電流就會分流在Q1上。如此負載應要在數十安培才有可能。
+ I9 l/ N% b1 j* c: a9 R+ [- U0 ^

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 楼主| 发表于 2016-12-13 22:04 | 只看该作者
隔了快一年多再次看到这个帖子,感谢各位的回答,这个电路如今已经搞清楚了,R26是预留!!!!   作为12v与24v系统的备选;当12v系统时,R26贴上,Q1\R27\R28不贴; 24V系统时 Q1\R27\R28贴,R26不贴,mos工作与可变电阻区,vgs对应一个Vds,使得vds有12v左右的电压,后面有接LDO(LDO允许的输入范围是9~33v,电流是200ma),LDO设计时用来产生12->5V,电流是100ma左右,主要热量在mos处;感谢各位!

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2#
发表于 2016-3-30 22:59 | 只看该作者
我也看不懂

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3#
发表于 2016-3-30 23:14 | 只看该作者
書到讀時方恨多!  _& p1 Z0 R* n$ r( |- ]$ D
, |8 E9 k8 g* V
: S5 x6 d/ q* U+ h& ^$ G% ^

3 d7 T1 c+ \# G8 y0 G1 |4 _: C: B; w$ S3 K+ U8 R

AUIRF3205 Id vs Vds.jpg (66.74 KB, 下载次数: 5)

AUIRF3205 Id vs Vds.jpg

Output Characteristics of a Depletion Mode MOSFET.jpg (102 KB, 下载次数: 6)

Output Characteristics of a Depletion Mode MOSFET.jpg

点评

版主大哥,小弟结合两张图没看懂  详情 回复 发表于 2016-3-31 09:16

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4#
发表于 2016-3-30 23:36 | 只看该作者
应该是一个NMOS的驱动电路吧,不像常用的电平转换电路。

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5#
发表于 2016-3-30 23:36 | 只看该作者
应该是一个NMOS的驱动电路吧,不像常用的电平转换电路。

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6#
发表于 2016-3-31 00:27 | 只看该作者
该电路没有分析的价值,完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.

点评

支持!: 5.0
fallen版主,这个电路很疑惑,所以发帖求助,结合狗版主贴的两张图。您的特定条件是指给id一个特定的电流吗?  详情 回复 发表于 2016-3-31 09:15
我记得以前有个人发了一个19种电平转换电路,这个应该完全靠增强型NMOS本身管子参数的特性做的电路,吧.  详情 回复 发表于 2016-3-31 08:34
支持!: 5
想得出來、敢用,單憑兩點還是比我強!^_^  发表于 2016-3-31 08:06

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7#
发表于 2016-3-31 08:34 | 只看该作者
fallen 发表于 2016-3-31 00:277 I: K5 o" R3 c" s
该电路没有分析的价值,完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.
8 f- y8 M6 c) v1 x9 j9 F8 }
我记得以前有个人发了一个19种电平转换电路,这个应该完全靠增强型NMOS本身管子参数的特性做的电路,吧.) m7 Z& {1 H$ M

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8#
 楼主| 发表于 2016-3-31 09:15 | 只看该作者
fallen 发表于 2016-3-31 00:27% F& S1 N" Y( U3 g, [2 X: E5 k: n
该电路没有分析的价值,完全靠特定的条件下得到12V.并没有适用性,想这种不靠谱的电路少用.
) g2 b$ k, j! n1 j. h4 L
fallen版主,这个电路很疑惑,所以发帖求助,结合狗版主贴的两张图。您的特定条件是指给id一个特定的电流吗?, e  z. a# A6 i* f/ e5 z5 M

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9#
 楼主| 发表于 2016-3-31 09:16 | 只看该作者
超級狗 发表于 2016-3-30 23:14- u  }+ K  {8 [3 c9 M7 A
書到讀時方恨多!
+ U- M6 I, ?: i. I; L7 b3 R+ f$ u
版主大哥,小弟结合两张图没看懂
) v" Q: Q4 [1 {4 k/ f

点评

[*]第一張圖是 AUIRF3205 V v.s. I 的特性 。 [*]第二章圖示一般 MOSFET 特性曲線的解讀。 [*]V = V [*]I = I + I 懂了嗎? 小弟的能耐只到這裡!  详情 回复 发表于 2016-3-31 09:37

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10#
发表于 2016-3-31 09:37 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2016-3-31 09:39 编辑
* ]* f6 p; m1 e: z$ b
muyidou 发表于 2016-3-31 09:16
' x/ o; T/ s9 J0 ^/ w3 f) v3 Y2 o9 z版主大哥,小弟结合两张图没看懂

9 h* l* }; i% J% E0 \8 |
  • 第一張圖是 AUIRF3205 VDS v.s. ID 的特性 。
  • 第二張圖是一般對 MOSFET VDS v.s. ID 特性曲線的解讀。
  • VDS = VR26
  • ILoad = ID + IR267 C" Z: u* q, S8 u
2 `4 z2 }" ~" R% F6 W4 z9 u/ M
懂了嗎?4 f  e& ^# e- g6 c" s% O

4 G' s7 O9 U  b4 D: I; {小弟的能耐只到這裡!7 l' U, O( I' a3 n; n7 T

/ X# T1 f- ~6 [0 c2 a% {5 Z/ n( v" y% b0 K* N8 Q6 H

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版主大哥,我和楼下有相同的疑惑,1206的1欧姆电阻能挨得上12v电压吗?  详情 回复 发表于 2016-3-31 14:39

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11#
发表于 2016-3-31 13:46 | 只看该作者
我表示看不懂啊,狗大解释一下,MOS管跟R26并联,1欧的电阻,1206的封装,12V的压降,意思说通过电阻的电流12A,这不科学啊

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支持!: 5.0
家裏沒大人?輪得到 R26 說話嗎?  详情 回复 发表于 2016-3-31 16:52

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12#
 楼主| 发表于 2016-3-31 14:39 | 只看该作者
超級狗 发表于 2016-3-31 09:37
  • 第一張圖是 AUIRF3205 V[sub]DS[/sub] v.s. I[sub]D[/sub] 的特性 。
  • 第二張圖是一般對 MOSFET  ...
  • , U. \. r) z2 ^% ^9 [8 w' f7 y
    版主大哥,我和楼下有相同的疑惑,1206的1欧姆电阻能挨得上12v电压吗?
    6 Y. `( f. q$ @* @5 P

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    13#
    发表于 2016-3-31 16:52 | 只看该作者
    skatecom 发表于 2016-3-31 13:46
    3 e) _# [5 s! U我表示看不懂啊,狗大解释一下,MOS管跟R26并联,1欧的电阻,1206的封装,12V的压降,意思说通过电阻的电流 ...
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    家裏沒大人?輪得到 R26 說話嗎?
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    MF-NSMF050.jpg (94.21 KB, 下载次数: 6)

    MF-NSMF050.jpg

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    14#
    发表于 2016-3-31 17:42 | 只看该作者
    这个电路有点不是很明白,R26的电阻是选择性的上吗?出12V时,R26不上?

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    15#
    发表于 2016-3-31 17:44 | 只看该作者
    如果R26不上件,特定条件下输出12V可以理解,但是R26如果上件,输出12V,必须靠保险丝和R26的串联来顶到12V,耗散功率保险丝根本就顶不住。
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