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关于P-FET DCDC转换器的问题

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1#
发表于 2016-1-28 01:05 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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各位先进好, 这边想与各位先进讨论一个关于P-FET DCDC转换器的问题
% f8 a1 U( q9 g, L: S# X& q% h/ R+ t6 ^! ?% X! ]" t' ^5 A
参考LM5085的规格书中其中的章节提到, 在应用方面提到在VCC脚位中瞬变中会产生负电压, 须靠Schottky diode 去抑制, 其中原理是什么呢???3 h( B  z+ u7 q" ]7 F5 N* C; }
; U6 p2 c4 T1 b3 ~4 H2 ?" q6 Q9 R
& }, |3 _3 E( Z- p9 U/ D2 ~+ W& X+ N  c
这负电压是如何产生的? 是因为trr的关系, V = Ldi / dt 所以比GND 更​​负
2 N- _" D( d4 m8 Y8 W而schottkey 是为了让trr速度更快回复吗???+ h& k7 S* h- Q$ c
4 F1 p0 x& i/ R8 T
请帮小弟解惑....如果有图解更好....感恩$ e( N4 u) ~* G$ |0 `+ w$ ~, L

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未命名.png

该用户从未签到

2#
发表于 2016-1-28 10:27 | 只看该作者
负向电压的产生是因为电容的储能特性,两极压势差不可突变性。Cvcc两极电势差是不会瞬间变化的,Vin-Vcc>0,当Vin=0时,Cvcc在Vcc一极的电势的值会等于之前的Vcc-Vin,必然为负。肖特基可以提供此负电压储能电容快速放电。
& f4 s5 C. e9 \( G5 t, }" E$ \

该用户从未签到

3#
发表于 2016-1-28 21:03 | 只看该作者
没仔细看,不过楼主可以从电容和二极管的钳位看。
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