本帖最后由 criterion 于 2015-12-31 14:20 编辑
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4 \2 s- A1 G, h5 I, W: w) t1. Matching组件的决定 请看以下附件 看简体版的较方便 & h- y2 F8 o @- R
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( L) u6 ]! w4 D) F/ V% |2 F( N2. DC Block部分
. U/ y" R1 W8 E) B% K) a9 b6 x如果你不想让该DC Block影响阻抗 那你放个150pF就好 假设下图Point1是原始阻抗 Point2是串联150pF的阻抗 可以发现 串个150pF 不会影响阻抗
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; w) @7 r3 Y- [而且串电容 基本上只会砍直流 对你433MHz的讯号 几乎无损耗
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6 c& S: L5 x# }- `所以4463-TCE20C460_sch.pdf这份文件 DC Block放的是150 pF
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- q* v+ O ^) ]% c- g7 ~当然你也可以物尽其用 把DC Block当Matching组件来用 既然是Matching 那值的决定 就同步骤1 反正你只要串个电容 就可以当DC Block 433 MHz的讯号 不会被DC Block衰减 0 Q0 ^* B) M( |- \! y2 G5 q
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至于C7跟L5 因为你Rx讯号是差分 再比对4463-TCE20C460_sch.pdf的话 这两颗应该是Matching组件 只不过差分的匹配比较难 你就尽可能让Rx走线走短一点 阻抗控制好 不要走内层 如果Switch离Si4463就是很远 那你要在C6前面 多加一组L型Matching 8 N9 ^. L P4 _+ ]$ U& Z1 N
然后这个L型Matching跟C6 都要非常靠近Si4463 这样到时候 你Switch到C6的长走线 造成的阻抗偏掉 还可以靠这个L型Matching调回来 同时因为Switch到C6这段 是Single-end的50奥姆 那你就回到步骤1去调Matching就是了 这样的话 只要确保Switch到C6是50奥姆 因为C6离Si4463很近 所以C6到Si4463 阻抗不会偏太多 那L5跟C7 就随便盲调即可 真要放个初始值 那就分别放1pF跟1nH好了 不会影响阻抗 也不会衰减到433 MHz的讯号
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) c, z( Q. d5 X3 g1 i$ v( h* B/ O
至于L1 那是当RF Choke使用 目的是避免RF讯号 回灌到你的VDD 那你就放个270nH
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由上图可知 串一个270 nH的电感 对于433MHz 有23.5 dB的衰减 这样对于回灌到VDD的RF讯号 已经有一定衰减量了 同时 270nH电感的自我谐振频率 是586 MHz 换言之 你的433 MHz仍未超过270nH电感的自我谐振频率 所以不会有啥副作用 7 d) p0 n& c7 p A$ N& _; j
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7 v3 C R. M: [8 C* {! ^如果你的电感值过大 其自我谐振频率就低 那么一旦你的433MHz 超过其电感的自我谐振频率 此时对于433MHz而言 这颗电感会呈现电容性 你是在利用他的电容性来砍RF讯号 也就是说 你是把电感当电容使用 或许仍有RFChoke的作用 但这可能会有其他副作用
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发表于 2015-12-31 08:23
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发表于 2015-12-31 14:18
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