DDR3的PCB自我练习

cewtf · 发表于 2015-12-28 14:02

brady.lu 发表于 2015-12-28 13:35. ?; U ^% X5 L9 T! G+ u
这个不一定的你要看芯片的DATAsheet有的支持有的不支持

好的，了解！这个我要好好去看一下Datasheet

kevin890505 · 发表于 2015-12-28 14:17

1，数据组内互换和组与组是可以的，和支不支持没关系，拓扑也是可以的，和支不支持没关系，fly-by反而要读写平衡支持，只是颗粒大于等于4个优先用fly by，效果好，但是T型也是可以的，你这优先T型是对的；
2，数字信号，对于信号完整性，最最最最关键的一点，一辈子都在和阻抗这个玩意打交道，自己考虑下，层叠阻抗是在前期就要考虑下的；
3，阻抗符合了再谈串扰什么的了，你这个不用看严重不达标，层内，层间串扰太大将来，也许跑几百能行，但高速率怎么办，裕量太小，稳定性会很差
4，等长蛇形不要用1W，起码2W，同组间距近一点可以接受，但是蛇形线尽量不要1W
细节自己看了，大的方面同组同层你的应该是做到了，只要阻抗保证，串扰OK（间距大点），等长足够，蛇形大弯弯，1600随便跑

12345liyunyun · 发表于 2015-12-28 14:23

lovelymnk 发表于 2015-12-28 12:134 m. `8 ]5 _- ?3 s" H, ^0 e$ w
对于有的存储控制器，DDR3的地址线不能用T型拓扑，只有不带读写平衡功能的控制器（如某些FPGA）才能用T型拓 ...

不带读写平衡只能用T型结构，不是才能,颗粒较多的情况下，采用fly_by从头到尾串下来，不用过多的绕线，单面情况下要更省空间，在DDR3负载颗粒较多的情况下，理论上采用fly-by结构的信号质量也比T型结构好，这也许就是大多数工程师看到DDR3就喜欢用fly_by的原因吧

cewtf · 发表于 2015-12-28 14:38

kevin890505 发表于 2015-12-28 14:17* c+ o1 U5 {, [6 q6 R
1，数据组内互换和组与组是可以的，和支不支持没关系，拓扑也是可以的，和支不支持没关系，fly-by反而要读 ...

感谢大师的回复，有了一些明确的概念了，我们这个设备最高是1G，一般在800M跑。下一版练习的时候我会注意的。还有一点想请教一下大师，是不是层与层之间必须要横平竖直的布线，还有一点就是组与组之间的间距要控制在多少比较合适，10mil，还是20mil。

kevin890505 · 发表于 2015-12-28 15:21

cewtf 发表于 2015-12-28 14:38
: t) O& @/ u6 P# I感谢大师的回复，有了一些明确的概念了，我们这个设备最高是1G，一般在800M跑。下一版练习的时候我会注意 ...

目前这个PCB情况，能稳定跑四五百M你就偷着乐了，1G应该不行，建议你花点时间修改下。数据线可以对调，就尽量优化到最好，保证走线最顺最短，也让你不用绕那么多线，绕线不是技术活，是工作量，而且对信号质量没好处。。
虽然，同组间距可以适当减小，但你这个有点太密集了，长距离的，还有蛇形绕线间距。
相邻层比同层更要注意，耦合程度更高，所以如果不能做到横平竖直整体规划，可以在绕线的时候，把相邻的每根线交叉的地方互相垂直，就是在绕线的时候，让相邻层错开，尽量不要平行，即使只有一部分重叠。
800M 1G都不算啥，但前提是你的时序，信号质量，保证前者主要是等长，保证后者的主要是阻抗和干扰，宁愿多画点功夫把间距拉大，临层优化好，也不要冒险，那是money

cewtf · 发表于 2015-12-28 15:40

kevin890505 发表于 2015-12-28 15:21 B' I+ ^. W3 L6 ~# a5 Q7 u
目前这个PCB情况，能稳定跑四五百M你就偷着乐了，1G应该不行，建议你花点时间修改下。数据线可以对调，就 ...

好的，谢谢大师的指点，目前这个项目还没有启动，我也是前期准备工作，后期还不确定，算是先给自己预热一下，也做一点技术储备，方便以后用。多谢指点，小弟后面还会有问题的，还望多多指点哈~~

qsf728999746 · 发表于 2015-12-29 14:21

其实楼主走线也没什么问题，关键在于
层叠的设计，建议ddr部分走线全部参考GND层
从图上看感觉两边ddr内部地址线的过孔打的有点近，但中间的T点处的过孔就不错。
4片正反贴的ddr3因为层数的限制，只能这样走的，但是绕线建议不要在分支上面进行。然后绕线的间距太小了！
关于走fly-by还是走T，要看芯片是否支持writeleveling的功能。

cewtf · 发表于 2015-12-29 14:25

qsf728999746 发表于 2015-12-29 14:21
2 v2 L( f2 i. ^! c( C+ Y( r9 M其实楼主走线也没什么问题，关键在于5 X$ M, F7 h" y2 I
层叠的设计，建议ddr部分走线全部参考GND层 T, [! {* h: B5 {" i& I
从图上看感觉两边ddr内 ...

多谢提意见，我会继续试试的。多听听大师的意见，总会有长进的。

qsf728999746 · 发表于 2015-12-29 14:45

cewtf 发表于 2015-12-29 14:25
5 R2 }$ Q/ Q) n# k8 A! _- m4 n多谢提意见，我会继续试试的。多听听大师的意见，总会有长进的。

我可不是大师

你看我是初级新手。。。

金志峰 · 发表于 2015-12-29 15:22

我还没尝试着自己布ddr 赞一个！

li262925 · 发表于 2015-12-29 16:26

kevin890505 发表于 2015-12-28 14:17
0 O' ^: N- C: S9 V& u8 k, u1，数据组内互换和组与组是可以的，和支不支持没关系，拓扑也是可以的，和支不支持没关系，fly-by反而要读 ...

直接看下去器件位置不懂貌似也只能走T FLY_BY空间好像不够吧

li262925 · 发表于 2015-12-29 16:30

qsf728999746 发表于 2015-12-29 14:21: P* x2 L% I6 x. H) Z
其实楼主走线也没什么问题，关键在于: C* b& I/ g/ k- O0 Q4 g7 |9 C9 A
层叠的设计，建议ddr部分走线全部参考GND层: u) v5 D6 @6 }2 g8 J) y5 I% D
从图上看感觉两边ddr内 ...

ddr部分走线全部参考GND层这个只是理想状态吧

kevin890505 · 发表于 2015-12-29 16:30

li262925 发表于 2015-12-29 16:26
# S0 I7 G' y5 D F8 h$ P4 \: d. O直接看下去器件位置不懂貌似也只能走T FLY_BY空间好像不够吧

是的

qsf728999746 · 发表于 2015-12-29 16:49

li262925 发表于 2015-12-29 16:30, R. N4 n3 y+ M. t3 B* a; D
ddr部分走线全部参考GND层这个只是理想状态吧

这个还真不是。。看叠层，层数宽裕，完全没问题！像楼主这种情况可以将电源层割块地出来！让bot也参考地。

li262925 · 发表于 2015-12-30 11:32

qsf728999746 发表于 2015-12-29 16:49
3 a2 `" z, f5 C2 W这个还真不是。。看叠层，层数宽裕，完全没问题！像楼主这种情况可以将电源层割块地出来！让bot也参考地 ...

我说的不只是针对此板大多数情况下想全部参考GND的机会不是很大呵呵

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