PMOS几个参数有点不理解

zhanweiming2014

zhanweiming2014 发表于 2015-12-5 09:29
6，Ciss ：输入电容
: ]; Q+ o( d6 ]将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容C ...

; D1 J8 `4 K5 E  l场效应管的源极、漏极和栅极之间都存在寄生电容，分别用CDS、CGS和CGD，这三个电容影响场效应管的开关频率。
# r1 }. `3 s$ |, M$ q6 {这三个电容与输入电容Ciss、输出电容器Coss以及反馈电容Crss有如下的关系。
Ciss=CGS+CGD
9 D4 j, w. K1 F9 @! H; F5 VCoss=CDS+CGD
Crss=CGD
2 y! ~9 A5 {* M

超人会1飞

fallen 发表于 2015-12-2 17:21
Rgen是串联在GATE的那个电阻。
+ F9 n" @3 B+ P65A如果是平均值，那么是按照热阻计算出来的。
4 H+ D0 P, n# f' J  r% n0 r& vVDD通常代表器件的对GND的 ...

- ?8 @# i; v% H恕我不理解你说的RGEN,你说的Rgen是串联在G的电阻，但是据我所知，G的输入电阻应该在兆欧级别
* c- x( b+ K0 G

fallen

超人会1飞 发表于 2015-12-10 15:01
1 z# M5 U) K' a恕我不理解你说的RGEN,你说的Rgen是串联在G的电阻，但是据我所知，G的输入电阻应该在兆欧级别

( c# b' o+ m6 G! Y! ]那是测试的时候外加在G上面的串联电阻。
你所说的是G的输入电阻。
* Z& x, \" @& `0 P两者概念不一样。