PMOS几个参数有点不理解

zhanweiming2014

zhanweiming2014 发表于 2015-12-5 09:29
, e9 s6 h: `+ ~: P2 m& ~8 W8 v, R/ \6，Ciss ：输入电容
将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容C ...

场效应管的源极、漏极和栅极之间都存在寄生电容，分别用CDS、CGS和CGD，这三个电容影响场效应管的开关频率。
这三个电容与输入电容Ciss、输出电容器Coss以及反馈电容Crss有如下的关系。
Ciss=CGS+CGD
! {+ S- Q3 l9 H! DCoss=CDS+CGD
8 c5 G5 N* `" c5 ? Crss=CGD
7 @1 @' {3 P1 X8 o

超人会1飞

fallen 发表于 2015-12-2 17:21
$ r( X# m6 Z0 a) PRgen是串联在GATE的那个电阻。
$ B7 K2 t2 \8 J  [65A如果是平均值，那么是按照热阻计算出来的。
VDD通常代表器件的对GND的 ...

恕我不理解你说的RGEN,你说的Rgen是串联在G的电阻，但是据我所知，G的输入电阻应该在兆欧级别

fallen

超人会1飞 发表于 2015-12-10 15:01
! r. n, g5 ]1 y  n恕我不理解你说的RGEN,你说的Rgen是串联在G的电阻，但是据我所知，G的输入电阻应该在兆欧级别

! E$ H4 `  w4 J9 c9 p" a0 ^1 T那是测试的时候外加在G上面的串联电阻。
你所说的是G的输入电阻。
- v4 o' M5 A; D( @3 @( o; L两者概念不一样。
* N) ~5 ^  j) X