PMOS几个参数有点不理解

zhanweiming2014

  在选型PMOS过程中
1，第一份手册，
/ a2 k4 }$ U5 P  g" R2 X5 w    switching parameters  一栏
9 D4 U* X/ i' ?    ★   在关闭和开启时间旁边有个测试条件是这样子描述： VGS=-10V,VDS=-15V,RL=0.82Ω，Rgen=3Ω. 这里的 Rgen是如何理解?
    ★    body diode reverse recovery time用来描述内置肖特基反应时间(IF=-18A,dI/dt=100A/us测试条件)
2，第二份手册   
0 A0 @. r* e( t) d/ A! e6 y    switching parameters  一栏
3 a3 U: N6 V8 T   ★  在关闭和开启时间旁边有个测试条件是这样子描述： Vdd=-15V,ID=-15A, VGS=-10V，Rgen=6Ω.
   ★  DRain source diode forward current      -65A。 这个65A不知道如何得出这个值？
7 x" a6 H9 U: [/ _
# V" e  l: [3 `% B, i
/ `- n/ Q1 }7 I# t2 D, \那么就有几个问题出来了
1） 内置肖特基特性，那个参数更能反映优劣性能？个人觉得, dI/dt=100A/us
2） VDD和VDS两个电压是有差别的， 出现在手册里面，对VDS理解较容易， VDD呢？和ID关系呢？
  e8 C) B5 C& U! R

因为最近有几款大功率驱动需要做，所认真读了下手册，竟然很多内容不能加以理解。请高人加以指点，在此谢过！！！！
2 e7 H! u5 x4 B1 w+ V' v

zhanweiming2014

* u' V( n( ^) a) U! s9 r这里对MOS一些参数汇总一下，算是对自己总结下
1，UGS--手册里面提到的一般是阈值，-20V~+20V，但是温度的改变，又会导致这个值得变动，且往小处变，变化系数-5mV/℃，在实际中，MOS温度达到80℃是经常的事情
; J6 k/ G& C* K  E9 g. s+ |2 z2，正向传导系数yfs，这个参数我在选用中，真的考虑很少，甚至没有想到过。是这样子描述的：单位VGS变化所引起漏极电流的变  化，看到这个，再看看第一点，很快就明白了，MOS莫名其妙电流变大
3，漏极/原极导通电阻，导通电阻越大，这开启状态时损耗越大，也就是PWM信号占空比了，其实这里有两个关键字，“导通”，“开启”，用示波器观察过DS波形的人，都知道联系到这两个关键，怎么样去确定到底导通了多久，还得去仔细观察，况且这个值还会随着温度升高而增加，至于这个功耗就简单了PT=I2R(DS)
9 J9 f. [* j+ m; B) }9 n! o5 p9 {4，内部容量，也就是栅极，漏极，原极之间存储能量
! |+ A& Z* `; a
这个参数，我也一直没有真正去考量过，只是大约估算着，输入的频率
5，内部二极管反向恢复时间

; m1 H% N6 r8 b) s( a- n3 n说真的，这个参数，在我心里好像是一个魔术，知道这么回事，却不知道如何去贴近实际理解6，连续漏极电流
" E- h* c* ?- ^1 T, c  Q定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数
PD=ID(2)R(DSON)

以上参数都是，网上摘录下来的。只是加入些个人理解


# C0 e5 n! T. p8 V2 P4 j+ W8 T

  P* i: s/ ~; z( [1 L* d$ E2 ?; |

zhanweiming2014

6，Ciss ：输入电容
将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成，或者Ciss = Cgs +Cgd。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电至一定值时器件才可以关断。因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。
0 f4 |% e9 B' g) h3 g7，Coss ：输出电容
将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容。Coss是由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd并联而成，或者Coss = Cds +Cgd对于软开关的应用，Coss非常重要，因为它可能引起电路的谐振
9 c2 h; f0 J0 A0 F6 S. X3 S8，Crss ：反向传输电容
在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。反向传输电容等同于栅漏电容。Cres =Cgd，反向传输电容也常叫做米勒电容，对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数，他还影响这关断延时时间。电容随着漏源电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容---------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------------
以上三个参数，与实际应用计算却不知道了，有待....
$ o; V' y5 u/ n, `. ~

zhanweiming2014

我总结一下，这几个月我使用PMOS经历
1，RDS不仅仅决定了功耗，还有输入电容
/ b; K2 w: {8 W1 {( t    一开始选择MOS时候，我差不多都是以RDS为标准，当然是在电压和电流满足前提下，可是后来选用了一款RDS很低的MOS ,测量发现，功耗并没有减少，然后仔细一看，发现Ciss要比之前的大很多
2，通常情况下，电流特性相对于电压特性，更重要些，当然是针对DC低压供电情况
3，负载的匹配，太重要了，可是一直是靠着实验方式去验证，比较费劲，效果也不错
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  现在也有些问题，一直模糊着
' K2 x  x7 E2 N% O' m; | 1，MOS功耗是由RDS和开关频率共同决定的，至少对我的感性负载是这样子，且有些杂散的波形，这之间关系如何去调配，当然是理论前提
2，负载匹配，我一直都是按照谐振频点去靠近，当然最后是实验，我不知道实际工程，是否有更加可靠的计算方式

fallen

Rgen是串联在GATE的那个电阻。
65A如果是平均值，那么是按照热阻计算出来的。
VDD通常代表器件的对GND的电压。

zhanweiming2014

fallen 发表于 2015-12-2 17:21
Rgen是串联在GATE的那个电阻。
2 ^8 _) A# ]# R; \65A如果是平均值，那么是按照热阻计算出来的。
( }3 X. j2 }0 _/ ^) J0 k9 h& zVDD通常代表器件的对GND的 ...

; j8 p5 t- m2 x4 m/ O% X4 M0 u$ @谢谢解答

平均电流是，热阻算出来？
如何理解？

fallen

zhanweiming2014 发表于 2015-12-2 17:37
谢谢解答
  Z3 X& l- R( x+ V8 ~
平均电流是，热阻算出来？

SORRY,那个65A的话我收回，我看错了，我以为是D-S的电流，原来是体二极管的正向电流。
2 Z( |% C3 a+ B  A+ L6 r" M7 r里面体二极管的正向电流不清楚。

zhanweiming2014

fallen 发表于 2015-12-2 18:28
% Q- p  |1 z+ N0 s6 E6 e2 y9 U0 v+ KSORRY,那个65A的话我收回，我看错了，我以为是D-S的电流，原来是体二极管的正向电流。
里面体二极管的正 ...

- k$ a# I1 @1 v$ S- Q    还是谢谢你的解答其实我把体二极管列出来，是有两个意思
) P) }) U: c# L' Q6 n( ]
1，这里 体二极管应该是 用来释放MOS关闭时能量，为什么使用平均电流？

2，由于开关频率关系，按理说，我需要的是di/dt这个斜率才对
# Z3 z5 p5 L1 e7 W0 r- V

fallen

zhanweiming2014 发表于 2015-12-4 09:19
还是谢谢你的解答其实我把体二极管列出来，是有两个意思
! G" F% R: [! U' ?6 |0 a! Z( O
1，这里 体二极管应该是 用来释放MOS关闭 ...

* T4 Z- _( P, G2 k释放MOS关闭的能量------不太认同。因为只有对于感性电路才有要求释放能量。而这体二极管应该是工艺多导致的。
  f3 F# }, V0 }: d5 d* l如果看开关频率的关系，应该是要看反相回复时间。

超級狗

R_gen 的作用是 MOS 管在做開關測試時，需要產生上升（Rising）或下降（Falling）時間。

6 l! Z9 V, J. x9 }, j) Q8 r# _* u6 X由於不同型號的 MOS 管，被設計出來時的寄生電容（Parasitic Capacitance）都不一樣，所以 R_gen 搭配脈波產生器（Pulse Generator）的值各有不同。芯片資料只是告訴你，做此項測試時所搭配的電阻值大小。



& F! w6 r( G+ N( @, p4 g& x( l

超級狗

關於 UIS（Unclamped Inductive Switching）測試，請考 JEDEC JESD24-5 規範內容。

zhanweiming2014

fallen 发表于 2015-12-4 10:25
释放MOS关闭的能量------不太认同。因为只有对于感性电路才有要求释放能量。而这体二极管应该是工艺多导 ...

2 {; {1 L: ?; H    哦，这里我把体二极管看成是，内置二极管。的确实感性负载

zhanweiming2014

% H0 e* U8 k& O6 j" R& S
一开始使用MOS时候，第一时间想到的是，额定电压，额定电流，RDS，三个参数，其它参数都是“走马观花”式的，随着应用越来越多，功率越来越大，渐渐关注了其它参数，
第一时间反映过来的是，功耗。粗若估计，发现电源应用效率偏低，也就考虑到了MOS上面。

zhanweiming2014

热阻，我在实际工作中，很少仔细计算过这个，一般是由散热器，仿真分析散热

! x0 |+ K% j6 Z3 x* Z, C
, a( e( M1 Q: d* D+ m1 cRDS(on)是指在特定的漏电流（通常为ID电流的一半）、栅源电压和25℃的情况下测得的漏-源电阻。这是来自互联网解释，不知对错了

' E: E0 Y3 v& |: k; a7 ?

xxzhu163

赞一个！我感觉很多运用中，根本没有理解也没有认真去看这些参数的。只有真正的高手，才会去关注这些参数，他们设计出来的电路也更加稳定。