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如图所示滤波电容。

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1#
发表于 2015-11-9 09:29 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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一般芯片推荐滤波电容都是1UF1NF级别的并在芯片电源端口,如我画的这个图,四层板,电源端口在芯片边缘,芯片在顶层,滤波电容在地层,最后芯片中间肯定我要画一大块地的,请问像我这样可以么?还有这种情况最好的处理办法是什么?我也看过JIMMY的书,但是那种电容滤波都是最理想的情况下。很多板基本都不能达到多打孔。
. o$ d, k& j, B, a还有就是假如电容命名为1,2,然后1,2是并联的,我是把1的电源端打一个过孔到电源层,然后在2的电源端打一个到电源层,然后还是1连到2然后在过孔练到芯片?
& ~" P3 t' `# R" g+ l9 a

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2#
 楼主| 发表于 2015-11-9 09:31 | 只看该作者
还有个问题四层板,3层为POWER ,晶振下面的POWER那里不需要隔离出来吧,就是一整个电源层。

点评

不用  详情 回复 发表于 2015-11-9 14:36
  • TA的每日心情

    2019-11-20 15:36
  • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到

    4#
    发表于 2015-11-9 14:36 | 只看该作者
    杨悦兮 发表于 2015-11-9 09:31
    0 p( v( I+ O8 r9 j! P' L8 z/ f! p  B还有个问题四层板,3层为POWER ,晶振下面的POWER那里不需要隔离出来吧,就是一整个电源层。

    % u) e5 n9 g4 T+ F8 i  O不用0 T% G1 a2 D4 p& w$ S( C  z

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2015-11-9 16:06 | 只看该作者
    1 从芯片出来的电源线与封装的焊盘同宽,尽量短的打孔到第三层。然后从孔走20mil以上的线宽(BOTTOM层)尽量短到滤波电容。
    # b# c9 v" t; a( V2 晶体下面的不需要隔离。
    % N0 z; e, P8 g  }, E3 你的泪滴太丑了。把那个CURVED点上。

    点评

    谢谢  详情 回复 发表于 2015-11-10 07:29

    该用户从未签到

    6#
     楼主| 发表于 2015-11-10 07:29 | 只看该作者
    fallen 发表于 2015-11-9 16:06/ z" O: a: F. o6 B8 p) @9 S
    1 从芯片出来的电源线与封装的焊盘同宽,尽量短的打孔到第三层。然后从孔走20mil以上的线宽(BOTTOM层)尽 ...

    , N- f3 r7 m' ]% _9 J$ k5 t! {) ~谢谢
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