如图， 二极管的作用？目的？

超級狗

Quantum_ 发表于 2015-10-23 21:07
# T$ m: ^9 F6 z. t( X: K* Q( @Thanks Supper.
1. A definitive explanation in last floor.
2. But, when will the EN gate open?  ...

! w- C2 `0 @+ R  o- O  ^哈！哈！墮落（Fallen）版大感覺有點上火了。

樓主︰
% f+ \) c4 ~2 G% d- Q0 h/ }& ]
您的問題我再多解釋一下好了。
4 ~: I) p7 e% t7 {9 w* s
+ i. _4 L& u1 O/ M

• 如墮落（Fallen）版大所言，Gate 和 Source 間的 Zener Diode 是為了保護，V_GS 的壓差不要過大。的確小封裝的 MOS（如 SOT-23 之類的）其 V_GS 多數只能耐 +/-12V 左右，差一點的還只有 +/-10V。若是開關瞬間的突波電壓（Surge Voltage）超過這個值，有可能會將 MOS 管打壞掉。
• 樓主一直認為 Zener Diode 的一端必須接地，方能將突波電壓（Surge Voltage）導引至地、減輕其衝擊。事實上，接 12V 或其他電源還是能消除其衝擊，對暫態（Transient）訊號而言，電源和地是等同的電位，請參考模電課程中的基爾霍夫電路定律（Kirchhoff Circuit Laws）。
• Gate 和 Source 間的 Zener Diode，應是為了消除 MOS 管開關瞬間的突波電壓（Surge Voltage），尤其是 MOS 管後面有電感性負載（Inductive Load）的時候
  

僅為個人淺見，若有訛誤就當是酒後胡言亂語好了！
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; O6 _. k, X/ M, w' o# @

Quantum_

超級狗 发表于 2015-10-25 21:25
* b% |( {4 h. L5 Q6 J5 E& z7 b好吧！菜英文趕鴨子上架。
& n9 w. B# K5 J( s. t1 ]) I
https://www.youtube.com/watch?v=IrB-FPcv1Dc

* I# P8 |6 x# X. JThanks Supper.
( c0 m; R+ A. x! `  Z1. Thank you for being patient.
2. I watched the video for many times.
3. I could undertand the circuit well, which was illustrated in the video as shown in the snapshot below.
4. As I pointed early, the Diode should be connected to GND and without surprice, it does in the video.
+ k" G9 V# J; E, |5. That is all I am confusing.

Quantum_

超級狗 发表于 2015-10-26 17:53
0 g$ G$ E* x4 O( F1 A5 U& ^哈！哈！墮落（Fallen）版大感覺有點上火了。
* K- o9 A6 f* m. `; t# m$ V5 e
4 V7 D* B- @8 S8 z. D2 \. E7 e樓主︰

, ~' _/ Z% {6 w6 U3 H/ }* I5 s

• 如墮落（Fallen）版大所言，Gate 和 Source 間的 Zener Diode 是為了保護，VGS 的壓差不要過大。的確小封裝的 MOS（如 SOT-23 之類的）其 VGS 多數只能耐 +/-12V 左右，差一點的還只有 +/-10V。若是開關瞬間的突波電壓（Surge Voltage）超過這個值，有可能會將 MOS 管打壞掉。----Have no doubt
• 樓主一直認為 Zener Diode 的一端必須接地，方能將突波電壓（Surge Voltage）導引至地、減輕其衝擊。事實上，接 12V 或其他電源還是能消除其衝擊，對暫態（Transient）訊號而言，電源和地是等同的電位，請參考模電課程中的基爾霍夫電路定律（Kirchhoff Circuit Laws）。Kirchhoff ? KVL or KCL? I probably missed something when I was learning the lectures.
• Gate 和 Source 間的 Zener Diode，應是為了消除 MOS 管開關瞬間的突波電壓（Surge Voltage），尤其是 MOS 管後面有電感性負載（Inductive Load）的時候; w0 W8 ?$ h" G
  

2 w) c$ R+ U5 z3 ~/ x' w. b5 x
! G: G' v) l1 Y2 m僅為個人淺見，若有訛誤就當是酒後胡言亂語好了！Good advice is beyond all price. This conversation's how I got the bullet hole in my head.
Thanks so much.
1 r% a. k4 R$ t4 a0 u2 ~4 U9 ]
7

超級狗

有一整倉庫狗糧真好！
* r7 p7 B9 d1 }4 q- N
$ x/ w; q3 B* ?  t9 G

超級狗

As I pointed early, the Diode should be connected to GND and without surprice, it does in the video.

1 U2 O, d- V2 }0 Q. L5 Q9 v) O樓主太糾結在 Zener Diode 接地這件事！

• MOS  管導通的條件之一是 V_GS > V_TH，當你控制通過的電壓很高時，V_GS 可能過大會擊穿 MOS 管，Gate 不能直接接地，這個時候 Zener Diode 就無地可接了。但即便 Gate 接一個低於 Scurce V_TH 的電源，突波電壓（Surge Voltage）還是能透過這個電源釋放。
• 大多數的的應用是控制正電源，所以 Gate 可能接地；但如果是控制負電源時該怎麼辦？GND 會在什麼地方哩？
  

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zhengxuejian

听说回复给威望的，我试试

CXY663

貌似看不懂

谷水

过电保护