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如图, 二极管的作用?目的?

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发表于 2015-10-22 13:10 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如图。 把一个二极管接在MOS管的G, S 端。 % _2 C! W/ B( A3 Y* J
作用, 目的是什么?
9 N# _2 H7 _0 @2 n* B& _
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 楼主| 发表于 2015-10-27 00:10 | 只看该作者
超級狗 发表于 2015-10-26 17:53
; E9 E6 b3 d( P% d$ K& k7 i* J哈!哈!墮落(Fallen)版大感覺有點上火了。
; U1 s$ ^% |# S0 P, I0 |. R
/ `9 Q* j' r6 v; B6 ~% e( I" k8 G; h樓主︰

  m6 T  D$ t& E1 s- f1 y) d
  • 如墮落(Fallen)版大所言,Gate 和 Source 間的 Zener Diode 是為了保護,VGS 的壓差不要過大。的確小封裝的 MOS(如 SOT-23 之類的)其 VGS 多數只能耐 +/-12V 左右,差一點的還只有 +/-10V。若是開關瞬間的突波電壓Surge Voltage)超過這個值,有可能會將 MOS 管打壞掉。----Have no doubt
  • 樓主一直認為 Zener Diode 的一端必須接地,方能將突波電壓Surge Voltage)導引至地、減輕其衝擊。事實上,接 12V 或其他電源還是能消除其衝擊,對暫態Transient)訊號而言,電源和地是等同的電位,請參考模電課程中的基爾霍夫電路定律Kirchhoff Circuit Laws)。Kirchhoff ? KVL or KCL? I probably missed something when I was learning the lectures.
  • Gate 和 Source 間的 Zener Diode,應是為了消除 MOS 管開關瞬間的突波電壓Surge Voltage),尤其是 MOS 管後面有電感性負載Inductive Load)的時候; w0 W8 ?$ h" G( l; ]6 H1 z+ u! I) O
2 w) c$ R+ U5 z3 ~/ x' w. b5 x
/ M" w5 L7 O% O1 }) [* J僅為個人淺見,若有訛誤就當是酒後胡言亂語好了!Good advice is beyond all price. This conversation's how I got the bullet hole in my head.
) h) u) S) M. v  GThanks so much. ! z- z0 ^0 ^/ v

* W0 R; e3 P% h/ o7 P8 p 7
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发表于 2015-10-26 17:53 | 只看该作者
Quantum_ 发表于 2015-10-23 21:07
6 {. ^3 Y6 x# e9 o3 i4 g* UThanks Supper. 6 |: R7 R2 ?- O$ L, d7 }! x( R" I6 y% c. L
1. A definitive explanation in last floor.
% e) m+ y: c2 n7 w2. But, when will the EN gate open?  ...
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哈!哈!墮落(Fallen)版大感覺有點上火了。
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" ~& M! B3 L8 e: C& Z樓主︰
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- l9 Q8 \. w5 i" `  r) [2 @您的問題我再多解釋一下好了。
$ X/ E, Y" w9 u+ @& A2 D  i8 c  e7 t$ L, P2 s# L
  • 如墮落(Fallen)版大所言,Gate 和 Source 間的 Zener Diode 是為了保護,VGS 的壓差不要過大。的確小封裝的 MOS(如 SOT-23 之類的)其 VGS 多數只能耐 +/-12V 左右,差一點的還只有 +/-10V。若是開關瞬間的突波電壓Surge Voltage)超過這個值,有可能會將 MOS 管打壞掉。
  • 樓主一直認為 Zener Diode 的一端必須接地,方能將突波電壓Surge Voltage)導引至地、減輕其衝擊。事實上,接 12V 或其他電源還是能消除其衝擊,對暫態Transient)訊號而言,電源和地是等同的電位,請參考模電課程中的基爾霍夫電路定律Kirchhoff Circuit Laws)。
  • Gate 和 Source 間的 Zener Diode,應是為了消除 MOS 管開關瞬間的突波電壓Surge Voltage),尤其是 MOS 管後面有電感性負載Inductive Load)的時候
    5 T( M3 [" O8 O7 G
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僅為個人淺見,若有訛誤就當是酒後胡言亂語好了!
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发表于 2015-10-27 10:31 | 只看该作者
本帖最后由 超級狗 于 2015-10-27 23:12 编辑
4 M6 \0 |0 q  n
As I pointed early, the Diode should be connected to GND and without surprice, it does in the video.

2 ]8 n# @1 a' J" W) N樓主太糾結在 Zener Diode 接地這件事!" f7 A. P* k6 H* c5 P! i5 n
% X, J6 a8 M: W* P- ]1 t
  • MOS  管導通的條件之一是 VGS > VTH,當你控制通過的電壓很高時,VGS 可能過大會擊穿 MOS 管,Gate 不能直接接地,這個時候 Zener Diode 就無地可接了。但即便 Gate 接一個低於 Scurce VTH 的電源,突波電壓Surge Voltage)還是能透過這個電源釋放。
  • 大多數的的應用是控制正電源,所以 Gate 可能接地;但如果是控制負電源時該怎麼辦?GND 會在什麼地方哩?
    2 s5 \; W) _; c5 n2 M6 A4 u
3 y) ^4 Y+ E& e5 v# e/ L
% _: D* J6 c1 a! o; ]" O  v

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2#
发表于 2015-10-22 13:49 | 只看该作者
猜測是過電壓保護.....因為電路圖不完整,看不到控制端。

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支持!: 5.0
支持!: 5
靠!黃金狗大需要用猜的嗎?只要一出口,就是金科玉律。^_^  发表于 2015-10-23 13:24
可能的保护机制是怎么样的? 谢谢!  详情 回复 发表于 2015-10-22 14:38

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4#
 楼主| 发表于 2015-10-22 14:38 | 只看该作者
jacklee_47pn 发表于 2015-10-22 13:49: p) n; m- g3 N' i
猜測是過電壓保護.....因為電路圖不完整,看不到控制端。
$ e1 ?+ C# v3 q  I, `/ P  r( x
可能的保护机制是怎么样的?
6 V, K$ M, ?3 Q% q4 o谢谢!
! x  c! ]: R7 \" |2 x+ [9 I5 t1 m
- E7 j5 m! m9 J

点评

一般SOT23的GS的电压范围是+/-12V;SO8的,比如9435是+/-20V,其他的没有用过,不知道。  详情 回复 发表于 2015-10-22 15:11

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5#
发表于 2015-10-22 15:11 | 只看该作者
Quantum_ 发表于 2015-10-22 14:388 Q9 m5 P- l' T/ r' {+ [
可能的保护机制是怎么样的?
. K" `/ @- b4 F$ l2 M3 Z谢谢!
1 P' W0 i. a* v7 C
一般SOT23的GS的电压范围是+/-12V;SO8的,比如9435是+/-20V,其他的没有用过,不知道。1 R3 |6 u2 k5 E

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6#
发表于 2015-10-22 17:31 | 只看该作者
G,S间的寄生电容很容易在栅极上形成极高的ESD电压,所以通常会在G-S之间加上TVS,防止G-S击穿。

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7#
发表于 2015-10-22 17:33 | 只看该作者
稳压管,防止损坏MOS IC,GS有耐压极限

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8#
 楼主| 发表于 2015-10-22 20:25 | 只看该作者
目的, 基本明白。 只是机制, 有待考究。
( F/ F: g6 q7 a+ r/ t! M问题: G/S之间 不通电流才是(少许)。 那么反偏的二极管并联上一个高阻, 如何能限制电压?discharge的通道在哪?% j0 E  ?2 \4 X# y/ T
谢谢!

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9#
发表于 2015-10-23 07:09 | 只看该作者
保护作用,稳住外来电压,如果这是个外接端子很可能插错电压损坏。保护机制就是稳压,至于你说的泄放电这根并联高阻有什么关系难不成你的输入能力不足几个ma

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还有一个事不明白。 稳压:在电路上, 就是把高压转成大电流。 即通过能量的转换。 如果(如上图),二极管 没有一端接GND。 稳压如何实现?  详情 回复 发表于 2015-10-23 08:38

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10#
 楼主| 发表于 2015-10-23 08:38 | 只看该作者
yujingfa 发表于 2015-10-23 07:09; F; x, t5 `: ~+ E8 d
保护作用,稳住外来电压,如果这是个外接端子很可能插错电压损坏。保护机制就是稳压,至于你说的泄放电这根 ...

1 g7 m7 T: s: p1 u还有一个事不明白。
. l) y; Q- ^9 _# i% F* P; L7 T4 d% A稳压:在电路上, 就是把高压转成大电流。 即通过能量的转换。 5 F! `7 ?7 o* Z) I  m6 H
如果(如上图),二极管 没有一端接GND。 稳压如何实现?" \2 t" @7 r4 `) w. }; K
) e0 Y# w$ D2 ]6 D3 \0 h) C

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你的 IN_12V-1_EN# 和 IN_12V-2_EN#,打開的時候不就是接地了?(低電平動作)  详情 回复 发表于 2015-10-23 09:21

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11#
发表于 2015-10-23 09:18 | 只看该作者
A zener diode is connected between the gate and source of power MOSFET switch. The aim of the application is to bypass any high peak voltage during the transient time and to provide a weak clamped voltage.  Y. x+ q2 N+ L. i
% s% `5 L6 M) P. ~% b$ Q9 K, v  w: Y

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MOSFET Transistor with Zener Diode.jpg (23.11 KB, 下载次数: 2)

MOSFET Transistor with Zener Diode.jpg

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12#
发表于 2015-10-23 09:21 | 只看该作者
Quantum_ 发表于 2015-10-23 08:381 o! g  M$ y/ w! A$ y
还有一个事不明白。 , z! _1 P6 m- n( G% J7 J# E& p
稳压:在电路上, 就是把高压转成大电流。 即通过能量的转换。
; q, z7 U9 E6 ^3 Y: M9 y如果(如上图), ...
* E/ ]! s' K5 ~9 M
你的 IN_12V-1_EN# 和 IN_12V-2_EN#,打開的時候不就是接地了?(低電平動作)4 c! W+ G8 B" F3 c
; [! g( S: s' K6 i! F5 B( ]

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Thanks Supper. 1. A definitive explanation in last floor. 2. But, when will the EN gate open? Exactly at the time when the voltage at peak? 3. It is too far a way for the EN trace to discharge t  详情 回复 发表于 2015-10-23 21:07

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13#
 楼主| 发表于 2015-10-23 21:07 | 只看该作者
超級狗 发表于 2015-10-23 09:21
7 U: O% P9 Z3 T% U你的 IN_12V-1_EN# 和 IN_12V-2_EN#,打開的時候不就是接地了?(低電平動作)
& ?2 c7 Z4 m7 p! j
Thanks Supper.
9 a5 E7 {, A+ Q1 H  f1. A definitive explanation in last floor.
5 o  b8 Y% ?& F2. But, when will the EN gate open? Exactly at the time when the voltage at peak? , s, t7 Y9 Q2 Z& P1 {( [3 s/ w# i
3. It is too far a way for the EN trace to discharge the energe. Don't you think so?
4 j9 q. k6 i$ z: B4. Now, I see that Zener diode in this cuircuit is used for Bypassing peak voltage. What I can't understand is how it works in the circuit.
2 D0 ?" J9 t1 f2 i
* n1 m  D7 Z. P  @$ mThanks Supper, again.
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6 L& v: H! d. A7 C/ {5 ^1 ?+ k1 ^/ `) E% @, E  R$ D, [

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支持!: 5.0
哈!哈!墮落(Fallen)版大感覺有點上火了。 樓主︰ 您的問題我再多解釋一下好了。 [*]如墮落(Fallen)版大所言,Gate 和 Source 間的 Zener Diode 是為了保護,V 的壓差不要過大。的確小封裝的 MOS(  详情 回复 发表于 2015-10-26 17:53
2 如果EN是开路的,那么通过GS的之间并联的电阻,迫使两端相当。 3 EN控制线比较长,但是你有电平转换的三极管,所以你的路径还是很短。 4 都说的很清楚了。  详情 回复 发表于 2015-10-26 11:04
支持!: 5
You see, they see, I don't see. Everybody goes to see see! >_<|||  发表于 2015-10-25 21:19

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14#
发表于 2015-10-25 21:25 | 只看该作者
好吧!菜英文趕鴨子上架。5 J1 F3 K6 k& z- x
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https://www.youtube.com/watch?v=IrB-FPcv1Dc: U. V( k* _' |* `1 c  z6 k( ?
7 t5 j6 O7 R. Y% i* N) `
看不到的話要去問習哥,為什麼連上什麼網站都要干涉?
" R4 z5 B: H0 i! t4 @* E* ^8 B2 Z9 L0 N( r2 t0 Y6 W/ u, [

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Thanks Supper. 1. Thank you for being patient. 2. I watched the video for many times. 3. I could undertand the circuit well, which was illustrated in the video as shown in the snapshot below. 4.  详情 回复 发表于 2015-10-26 23:50

该用户从未签到

15#
发表于 2015-10-26 11:04 | 只看该作者
Quantum_ 发表于 2015-10-23 21:071 {1 \6 q) _, O$ n+ X
Thanks Supper.
/ O% E  @8 K( `+ X6 E+ P9 Y, B1. A definitive explanation in last floor.
7 |5 V5 [; N0 V7 n9 U- p2. But, when will the EN gate open?  ...
( ^: A7 R: n1 G5 s
2 如果EN是开路的,那么通过GS的之间并联的电阻,迫使两端相当。
: N# {! h4 u) \. @3 EN控制线比较长,但是你有电平转换的三极管,所以你的路径还是很短。1 J5 G1 d2 Z' m9 C
4 都说的很清楚了。. l* G+ y3 s) p% X
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