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WCDMA之ACLR劣化之因素

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发表于 2015-3-8 16:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 紫菁 于 2017-9-29 14:34 编辑 ! I+ K" [' U+ t' W6 P
: J1 |  M; j# s
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应

' k- E* {2 J: y
: m2 ^+ S2 e, l- P! s1 S, W+ m; V

# c8 V+ F1 g! L- ^/ [. w
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :
+ a) ?( u0 H+ A3 H6 \9 `
0 H/ Z- n5 \5 i
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨

! m$ T3 I& Q/ Z2 _+ Q# h6 G
% O; W& f1 o' @2 ]2 N- [9 |
IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3

1 T" E* h: t0 B* m
# H% n# G) M4 Q

) ^0 _# Y& o/ f& S2 n3 u
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
" E5 g9 U1 J  B- P; w' Y5 z) u3 Y1 n( U" N, x3 R% t2 _; r3 ]3 |
3 ]3 M1 v: s# ?! M' y, T
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图
, A: t0 W9 W9 q$ Z6 B

5 ~9 b7 ~+ I5 M* o5 Q4 l

6 g& p: }' L. p6 _# Y3 S1 [6 P5 I! J3 X
+ O/ U' ^# T4 J+ `  K' ~
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流: S8 G; Z: y3 G3 d0 F) D6 U

( d. z) D- n. D. I) d
. z- L. l3 d: k: U- N
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)

- f  H" n8 s5 I& T1 {/ Z2 r" I
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。
/ l$ E1 R# R; F! v& Q8 }* C7 Y
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。

; [* P1 {% ~& s+ i3 f0 ?- j

2 f4 _* j) P3 B
, }/ }1 z9 s8 S) F3 `7 o$ ?9 L
这是为什么呢?
& ~6 f9 q  U, j6 m% [- E4 `; o' b
其实由以上分析可以知道,PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,% a; b+ v% j) `& c$ g
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。9 }% h3 i# t0 \; A1 R9 g
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,
2 Q0 o( z$ _! M* Q5 ]

* ]0 I2 c( v$ b, Q6 F9 R
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :

  ?( n) u9 x: h: M: H5 i
/ ]. @0 w1 c5 D1 N1 }* c

7 [2 x: g- q) h* m
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :
7 z6 n2 ~, u: X; b
5 W& b' E  o2 G6 L5 Y+ k9 t
DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低
( O- O) y* J2 G1 G; u
. \2 l- V; y1 A9 X
9 m/ K8 {6 a% z+ J( O+ i" u
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差
; }) o% Q' O  G

8 C7 J# M4 m6 L. m: Q& r1 v
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,
又称为米勒电容,即Cgd, 如下图 :
$ o9 a  G( W. W2 G0 s9 [

9 m* q" h8 f4 C
5 L; m$ h2 V( a; \( X% _% i" Q/ w
而当电压极低时,其Cgd会变大。
4 r! v. L. A1 f# a2 q- [
                        
& x. X$ N; K6 |/ T

1 r; _6 X3 o, O2 P, M2 b, G9 S
上式是Cgd的容抗,
Cgd变大时,则容抗会变小,
因此部分输入讯号,会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,
导致输出讯号有严重的失真
简单讲  低压会让PA线性度变差
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PAVcc变小
那么ACLR就会差
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
PA输出端的ACLR   只会更差* T  S/ Q% A8 j2 J  b

5 u$ S# r  G% X6 F4 @# E: o
8 \! b( m& K* Q" R
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度

' U! Q4 Y5 `9 s+ w& z4 Z
6 z3 Y+ {4 m3 q- v7 ~4 [( C
+ k# W. l1 |, \# j% l
而由下图可知  做完预失真后   ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)

0 F# k5 `/ O# Y+ M

' S  X1 |5 n: S
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下
) ]2 B$ r: A- c6 d  {9 ]. d/ o0 ^, y- z! K

+ i4 n1 R/ z( z. ^
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :

2 p- e; m! p  u4 [3 Z7 ]+ d
; H5 l, v# G9 j0 H1 {
由于DC-DCConverterSwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧

4 Z5 ^/ z# e1 n( ]: i# _
% s! G$ X) a- m9 Q" S$ _

. I% D0 M0 Q* T' Q) r+ C: D! G
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHzACLR
但因为一般而言  DC-DC ConverterSwitching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHzACLR
因此   如果能有效抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
如下图 :

5 P* _' l: s7 O7 K. n
4 ^6 y3 o; A. C0 H  r4 ?0 N4 ?1 t
我们作以下6个实验
1 w- R3 s1 D! n% n' Z% h

% ^) Q* O7 y8 D9 @4 ~" I# M, i8 H  @1 @

6 Y5 q- n) X/ |' ]
就假设DC-DCSwitching Noise1MHz
我们可以看到  Case2, Case3,  Case4
1MHzInsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   WCDMAACLR   也跟着改善
由于Case3InsertionLoss最大   因此Case 3ACLR也确实改善最大

( T" m; O7 J/ L0 M& z
! v  b5 z# i3 i
! n  h/ s, J/ _& i( `

/ a# d$ _  m% ]: M8 M! d4 h3 z: m/ i4 E6 J! h

; E- O1 k$ T1 M8 z, v8 @' S
/ G' @( l3 m$ a/ l! V
! x! Q! b. {( V3 s2 A/ F) l
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用
" |2 R$ H/ B( j) T: B; |5 ?
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化( G/ d& G5 k$ a  ]  Z& L
- q/ \' M7 t7 T, @4 b; k

5 M9 r) u) u, e0 y4 N+ x/ g; t6 \4 t+ G- }* e- A

7 K. F. s+ ?: r% f9 b
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise

: a1 [; Z4 G3 M9 M  l+ v% [( [( ^, w" Y
- _) C! r+ L5 u" k

/ V" k! t, q( J% B/ U: L
. `( W. L+ Y4 \! }+ r3 C1 a" Z* h
其他详细原理   可参照  % w% ^1 ~. Y% A
EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
& c0 n9 S8 f6 T& b/ G2 s! e9 H& H
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  
5 n, e! P- L( S0 S# TEDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...$ \! b6 k' ?7 a) X* a- Y
射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析( R& Z4 B4 F9 U" B4 V
7 L2 w5 }0 A5 ]  e8 S! b  R& L
  在此就不赘述
. f& Y/ P- q" Z+ ^: R: N7 r- `0 j# K6 a
% g' Q$ Z' d3 H1 F0 y% F

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该用户从未签到

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发表于 2019-10-14 09:07 | 只看该作者
谢谢大神的分享,又来复习大神的杰作了

该用户从未签到

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发表于 2016-3-31 11:39 | 只看该作者
好资料啊 谢谢楼主慷慨分享!

该用户从未签到

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发表于 2017-9-21 11:29 | 只看该作者
好资料,谢谢楼主分享

该用户从未签到

2#
发表于 2015-3-9 10:51 | 只看该作者
很好的贴,赞一个~

该用户从未签到

4#
发表于 2017-3-23 17:09 | 只看该作者
好资料谢谢
  • TA的每日心情
    擦汗
    2021-11-28 15:48
  • 签到天数: 4 天

    [LV.2]偶尔看看I

    7#
    发表于 2018-7-28 22:26 | 只看该作者
    好资料,学习

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2019-9-27 11:58 | 只看该作者
    学习一下一下下
  • TA的每日心情

    2023-3-24 15:36
  • 签到天数: 68 天

    [LV.6]常住居民II

    10#
    发表于 2019-9-28 09:35 | 只看该作者
    学习学习,感谢楼主

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2019-10-12 16:34 | 只看该作者
    谢谢楼主分享9 c9 f9 B1 u2 L8 B2 u( l

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2020-5-5 17:07 | 只看该作者
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