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WCDMA之ACLR劣化之因素

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发表于 2015-3-8 16:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 紫菁 于 2017-9-29 14:34 编辑
+ k; m6 v) H; [# y+ _9 {9 h7 J  X3 G/ n; Z" i  @
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应
/ z  r9 o2 c) ^, G3 b
! S: p3 Y: F) h# h5 L

9 g' _, a$ R' n/ f
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :

: m5 ?: F% V" P* k0 |' |! Z

8 ?& U! q4 u3 i
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨
' x3 Z# `/ G. h! w; L
# u3 n5 Y" a0 p- {% d- ?7 k
IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3
. k* Y8 n7 f6 h4 g

4 O& T8 j5 v) o4 @) t4 y
' {3 F! q- G0 ]+ O( n
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
1 j$ f4 z' O( J2 d( N
1 d# y' ~# v' `; ]' L  R1 V! v  Z+ v- a% ]
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图

9 D4 Z: y( ^5 U" H" V& m( w) |* X/ |/ E
  ^8 `; V1 ]- D

: s% w0 Z0 [7 V! u6 l$ m
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流5 d; ]& m8 u- ?- Q% p

  `" T5 r0 J; ?7 l2 Q

6 \/ X7 S& M6 v7 s: c
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)

' C% e0 f9 c( d3 `
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。" e5 L" c6 V2 c9 k7 W
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。

8 N: g5 c+ r( `: P; T& ]0 {
' n" ?3 j, `% u9 b/ q9 _. Z1 I8 f7 y) D

# z, x+ p" M2 S% c+ A2 D  M+ Q
这是为什么呢? / W- R3 p- f/ z9 `; c% F4 P* T
其实由以上分析可以知道,PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,7 G+ H" a: u! M" Q+ q6 }
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。' K; u, V% C4 _4 m" p+ L5 f
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,
# r/ X; X, O- m4 z
/ P8 c$ r( @; L
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :

+ B+ A2 m# V: I

2 y4 G' c% O' I1 g# }8 j3 Y( N5 p2 H

6 H7 L5 q$ T7 [, n( _: G4 Z8 G
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :

7 w/ E; J* j' J! K0 n5 `4 V4 F
, C  _6 }( k; m6 r2 `7 e
DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低

! j  y: q4 G' |# q: L5 _% m; x. x5 g, `' d  d7 }

! G! x9 D: Q1 Y& f
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差
4 w2 i3 _# C" k

$ m( e& n) \! G9 A# ]7 s2 R
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,
又称为米勒电容,即Cgd, 如下图 :
8 n) d# \, T# }) x  V: ]2 e: y0 A
5 l# n3 ]1 \8 |- P1 G3 D" P
9 R- z% L4 U7 F  }9 C) g4 r/ _
而当电压极低时,其Cgd会变大。

7 q, k3 o: @. g
                        

* T# L. S. |( K2 h9 {  `7 o5 q1 U

. W+ r5 i) q, D4 t: z
上式是Cgd的容抗,
Cgd变大时,则容抗会变小,
因此部分输入讯号,会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,
导致输出讯号有严重的失真
简单讲  低压会让PA线性度变差
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PAVcc变小
那么ACLR就会差
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
PA输出端的ACLR   只会更差( I. f4 \9 H5 S6 {. V+ J0 D3 U
% e& d' u# r) k3 ~) R

; E0 f1 p+ J3 \& b1 h+ t' B5 W
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度

  N1 E; \" @' m% n/ s- ^& ~

# m2 c. V/ Y$ Y! u" R6 t* ~5 @% v

7 M$ G, [& J& i+ \9 T3 \4 I
而由下图可知  做完预失真后   ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)
% W8 B9 N& ]' S8 ]( R
2 m- F; {) c, A! m) i
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下
: m1 H3 t, s% g3 y" O. A' f5 }/ z0 V9 U* a

9 Q1 I- [) l6 ]; A; w8 z7 t
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :
  y' s) _6 y  R' K

2 N$ S) i' Q7 h/ {, ~3 z
由于DC-DCConverterSwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧

& M, ]% |- i, e7 r3 H% W( k
. ~2 U# P8 {- c' Y+ d" j) q" D* R5 M
6 d1 a2 C. o6 M2 @4 S
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHzACLR
但因为一般而言  DC-DC ConverterSwitching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHzACLR
因此   如果能有效抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
如下图 :
+ z: I( V% c" q0 T! w$ ]
0 E& E( P" \. v! X7 |" e5 y
我们作以下6个实验

3 H2 K3 c) u- e5 ^

2 C9 \/ q; c4 I  o! Y. ~& `2 s

7 P9 `' T2 [. T' r8 ^: V
就假设DC-DCSwitching Noise1MHz
我们可以看到  Case2, Case3,  Case4
1MHzInsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   WCDMAACLR   也跟着改善
由于Case3InsertionLoss最大   因此Case 3ACLR也确实改善最大

  v+ w& f  A9 B& @$ l" S, D3 K  f: j( {# _7 K/ ~

& W/ a) |; d- \/ d/ F8 b7 |, w/ `2 X) A9 ]

( n! F4 a1 W* I4 T
& p) |, w9 p# i: F
- [' R0 Z* e1 ^- X. M' t$ k

) p# s8 v# ?1 U4 Y. P
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用

$ ?, }4 N! J, y& X0 o2 a
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化
% d4 ]$ p2 A0 }# u. Z3 @- X" M! d$ h2 T3 U4 V$ w; R6 _% ?) O/ x
6 @' r# h7 f5 Y1 U4 N6 s) a3 f

! }+ w1 P9 y2 \& m' L. ?
2 K* s: t, _2 i/ _% ~5 n  _
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise
3 R5 {+ d; m2 m4 `8 c2 ^! @5 d
+ `/ _5 `2 k' U( U
& l: v) p: j3 b. s# [2 L0 r# _
' H0 S2 d0 e  M* u# ~' r

. A0 @# Y$ K' s
其他详细原理   可参照  
2 s( R+ ^1 r, Q: s# ~& k EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
/ H6 H1 [1 h, n( F0 d+ n
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  " g  G6 P& t4 J; H, B
EDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...4 C) k( ^$ B6 p. r/ l8 e
射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析
+ C5 @2 E" [1 S" Q$ O$ s, |- Z6 M2 B9 j4 B, j1 k. G0 f$ l* }+ ]1 K$ \, {
  在此就不赘述

2 w- _2 j2 n% |$ }* x. |  w; T5 r0 F7 S) R

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该用户从未签到

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发表于 2019-10-14 09:07 | 只看该作者
谢谢大神的分享,又来复习大神的杰作了

该用户从未签到

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发表于 2016-3-31 11:39 | 只看该作者
好资料啊 谢谢楼主慷慨分享!

该用户从未签到

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发表于 2017-9-21 11:29 | 只看该作者
好资料,谢谢楼主分享

该用户从未签到

2#
发表于 2015-3-9 10:51 | 只看该作者
很好的贴,赞一个~

该用户从未签到

4#
发表于 2017-3-23 17:09 | 只看该作者
好资料谢谢
  • TA的每日心情
    擦汗
    2021-11-28 15:48
  • 签到天数: 4 天

    [LV.2]偶尔看看I

    7#
    发表于 2018-7-28 22:26 | 只看该作者
    好资料,学习

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2019-9-27 11:58 | 只看该作者
    学习一下一下下
  • TA的每日心情

    2023-3-24 15:36
  • 签到天数: 68 天

    [LV.6]常住居民II

    10#
    发表于 2019-9-28 09:35 | 只看该作者
    学习学习,感谢楼主

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2019-10-12 16:34 | 只看该作者
    谢谢楼主分享1 u7 }3 n% |$ V7 H  V2 s

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2020-5-5 17:07 | 只看该作者
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