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WCDMA之ACLR劣化之因素

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发表于 2015-3-8 16:55 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
本帖最后由 紫菁 于 2017-9-29 14:34 编辑
! o, }: K, C, y. g% B6 k, D
0 |8 i' m/ D. w8 E3 F* ?: {' N
1.     当你输出功率太大   会使PA操作在饱和区  产生非线性效应

- |* S1 d" U0 J9 V9 x( d: i
5 p1 h# Z) i5 w: n; C9 \" F

' C. ^; [, w7 l. a5 }+ f* z
而非线性效应,会衍生许多噪声,例如 DCOffset,谐波,以及IMD(InterModulation),如下图 :

3 m2 G0 U* \. M3 t8 A* g6 K

) }& H, h) }0 d
而三阶的IMD,即IMD3,其带宽会是讯号的三倍 因此会使两旁频谱上涨
* \+ }  N, N% g# b* b: G& H

& N+ B) `' K- R. c0 I3 E; a
IMD3   又牵扯到IIP3   IIP3越大   其产生的IMD3就越小  
所以简单讲  ACLR就是TX电路IMD3的产物
测ACLR  等于是在测你TX电路端的IIP3
  t! I: }+ Q2 ^0 [: c4 w  V
4 m. X6 P$ Y# d8 [
, S& p7 u. p3 D- L
由上式可知  如果输入功率小   使PA操作在线性区
或是这颗PA的IIP3够大   那么ACLR就可以压低
3 c; y$ c8 q6 _& [! Y. v) e0 u
- P7 I# \5 O" [8 m% \/ L& i
- p+ ~+ h1 Q6 Q) W: ]
2.      
另外  厂商多半会有PA的Load pull图

. ^6 g1 e4 L7 `2 ]5 O1 c' {- F2 Y1 V5 E1 |0 v$ N% y

+ A2 Q' o% n0 N
  r/ P. k3 K3 H0 D2 p
由上图可知  ACLR跟耗电流是Trade-off
这是因为PA的线性度与效率  是反比的
你ACLR要低  那就是IIP3要高  线性度要好  因此效率就低  耗电流就大
反之  你要耗电流小  那就是牺牲线性度  ACLR就会差
所以一般而言  调PA的Load-pull时  多半就是调到最常用的50奥姆
以兼顾ACLR跟耗电流7 H. G8 n+ n: F9 e: ~2 m- q" C3 B) Q
# |( n' f. E9 ?' \; R+ C9 p
# F/ _) T1 N& ^* {+ a& k1 W
3.     WCDMA的TX是BPSK调变   非恒包络
因此其PA须靠Back-off   来维持线性度
   当然  Back-off越多  线性度越好(但耗电流也越大)

$ P) G; D4 x& ~) P& i8 s5 g
游客,如果您要查看本帖隐藏内容请回复
当然,有些平台,在PA前端,是没加SAW Filter的。* T6 c/ K. e5 @; v( H9 x7 V
而拿掉SAW Filter之后,其ACLR也不会比较差。
/ S0 _" g8 F7 l. J5 E

5 f: `+ p  A& E. k$ P# W1 I7 G+ L9 U
& i2 M/ }: J' g! i7 _
这是为什么呢?
7 @% \4 V0 j' W- z: `
其实由以上分析可以知道,PA前端的SAW Filter,之所以能改善ACLR,
1 x4 z* C; R8 i0 W- z
主要原因是抑制Transceiver所产生的Outband Noise(包含谐波)。& ^+ y9 U$ p7 M7 f6 U  b( Q4 h
换言之,倘若Transceiver的线性度够好,所产生的Outband Noise很小,
其实PA前端是可以不用加SAW Filter的,
9 l, A- @# t9 N+ R' G1 y8 O
8 U3 Z4 S( M/ p9 o! ?$ s9 J
但要注意  虽然PA前端的SAW Filter可抑制带外噪声,改善ACLR
但若其PA输入端SAW FilterInsertion Loss过大   
意味着DA需打出更大的输出功率  以符合PA的输入范围
(若低于下限   则无法驱动PA)   如下式 :

' n& i5 p8 l1 C; m, K
3 ]( S- a: O9 U  \+ S
7 I: e2 M$ ^; v+ J. p0 S
而不管是PA, 还是DA, 若输出功率越大,则ACLR越差, 如下图 :

$ ]$ Q: E$ e- a" {' M4 q5 e% \. P- P7 H
. i* W9 K6 L4 [3 h
DA输出功率大   使得PA输入端的ACLR
那么PA输出的ACLR  肯定只会更差
当然   若用FBAR  既可抑制带外噪声 Insertion Loss又小  是个风险低的方案
但成本不低
; G4 n3 K! V4 H
4 K6 s: ]! o5 j$ m7 u1 h  _
6 `9 P; l$ E6 U/ ~. l
6.     由下图可知  Vcc越小   其ACLR越差

2 t& W+ v' T) c+ [
; ^) T+ r" a! ~  H' e" n
这是因为  放大器在闸极与汲极之间,会存在一个既有的寄生电容,
又称为米勒电容,即Cgd, 如下图 :

) c: |- F% j6 W9 B1 d! n: V

0 H; b- B) [0 W9 D; w! q' _' @

$ o+ H6 c7 P6 N6 O8 \7 q* g
而当电压极低时,其Cgd会变大。
; L! R- u4 e+ j: X) Y+ \; v' ^
                        

$ ?" `0 Q% U6 d! {: y8 o

; Z1 m% J) X' u) `
上式是Cgd的容抗,
Cgd变大时,则容抗会变小,
因此部分输入讯号,会直接透过Cgd,由闸极穿透到汲极,即上图中的Feedthrough现象,
导致输出讯号有严重的失真
简单讲  低压会让PA线性度变差
因此若Vcc走线太长或太细   会有IR Drop  使得真正灌入PAVcc变小
那么ACLR就会差
当然  除了PA电源   收发器的电源也很重要
否则若DA的电源因IR Drop而变小    使得PA输入端的ACLR变差
PA输出端的ACLR   只会更差
: l; A8 h# R$ s' a  w' n3 K+ j2 U! h. s/ g

+ P# `4 R9 M' E* h
7.     在校正时   常会利用所谓的预失真   来提升线性度

( S: J% e- H0 B
' n1 r3 a: t5 z) ?
" u4 I+ y, C( T) _6 B0 S
而由下图可知  做完预失真后   ACLR明显改善许多
(因为提升了PA的线性度)

0 y0 |  Z4 m1 @  V7 r
8 P* s- S3 V+ \3 I0 N( i0 u
因此当ACLR差时   不仿先重新校正一下8 ~, i6 d/ Z- \2 Z% I
2 [% O4 \  H$ ?) D0 `# R. _% d
! ~4 C' I) U9 L/ J- Z# {: K1 `
8.     一般而言  PA电源  是来自DC-DC Converter  
其功率电感与Decoupling电容关系如下 :
( u  n6 Q! C1 T

$ [: C+ O& E- t/ T$ _5 e) |3 R) p0 v" t! ^
由于DC-DCConverterSwitchingNoise   会与RF主频产生IMD2
座落在主频两侧
) X9 P8 S4 j' `4 O

7 I; ~: f/ G/ s; h
  m1 Y0 [* k$ A8 x, f, E& N. L
虽然IMD2的频率点  只会落在主频左右两旁1MHz之处
理论上不会影响正负5MHzACLR
但因为一般而言  DC-DC ConverterSwitching Noise
其带宽都很宽   大概10MHz
因此上述IMD2的带宽  分别为5MHz15MHz
(WCDMA主频频宽为5 MHz)
换言之  上述的IMD2  是很宽带的Noise   
故会影响左右两旁正负5MHzACLR
因此   如果能有效抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
便可抑制其IMD2,进一步改善ACLR
故可利用磁珠或电感   来抑制DC-DC ConverterSwitching Noise
如下图 :

7 i% ~* j6 F) `+ t3 v
( E; g( v4 a$ U$ T' v$ }; a
我们作以下6个实验

  O# U# R+ y! d+ U
5 N# Q2 R! F; J9 H' q) f

. Q8 C1 J" j$ p0 O. k
就假设DC-DCSwitching Noise1MHz
我们可以看到  Case2, Case3,  Case4
1MHzInsertionLoss都变大  
这表示DC-DCPA的稳压电容之间   插入电感或磁珠
对于Switching Noise  确实有抑制作用
而由下图可知   WCDMAACLR   也跟着改善
由于Case3InsertionLoss最大   因此Case 3ACLR也确实改善最大

0 D$ C8 u$ M2 D" q+ [' A. |9 Q3 T. y

2 o+ [4 Z% R+ g, Y! k3 {
& r- X: J8 |9 x! t6 y
% W$ y" u$ C9 o( a. d; }+ I2 f, q
5 U) m( J5 Q* c% g9 N/ C  a
5 z+ Q; w8 Q$ i2 u0 c; m

5 Z, Q" U' w  `. x+ B# Q: o
9.     承第8点  DC-DCConverter的稳压电容   与PA的稳压电容
绝不可共地   因为该共地   对DC-DC Switching Noise而言
是低阻抗路径   若共地
则DC-DC Switching Noise   会避开磁珠或电感
直接灌入PA  产生IMD2  导致ACLR劣化
换言之   共地会使第8点的磁珠或电感   完全无抑制作用

" `1 d( F! c! o! ^
而功率电感, 磁珠或电感的内阻   也不宜过大   否则会产生IR Drop
使PA线性度下降  ACLR劣化4 ~, `2 |# j& W, u3 P

$ k. T$ D- V* K* N! Y. ]' Y5 O) Q3 h
$ P: [( `) w6 o) `
0 E7 \6 y# S7 y; o4 ?( |' j) ]
7 W/ s: j; S! _. ~" ], v
因此总结一下   ACLR劣化时   可以注意的8个方向
1.     PA输出功率
2.     PA Load-pull
3.     PA Post Loss
4.     PA的输入阻抗
5.     PA输入端的SAW Filter
6.     Vcc的IR Drop
7.     校正
8.     DC-DC converter Switching Noise
/ u( H% R6 ~! _1 l- a! x5 P
' D# M; Y& b" r2 e

- G! [' h% U- B6 J" N4 S: X. X+ l- P) m

) K" \& F) i1 [8 Y6 G
其他详细原理   可参照  5 G+ _" Y1 B$ G$ l7 |+ F
EDA365藏经阁 上集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ... & U5 d! B" j1 |6 m; u* l6 I
EDA365藏经阁 中集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...  & y3 G3 P+ X  a) I. q! w
EDA365藏经阁 下集_磁珠(Bead)_电感(L)_电阻(R)_电容(C)于噪声抑制上 ...
7 H" @( o! L2 l- O射频微波/天线技术 WCDMA零中频发射机(TX)之调校指南与原理剖析) ]# d- b6 E- V7 @6 Y

/ ]4 G& y* S6 B9 a8 c- t8 V  在此就不赘述
: X+ u! i/ u3 I% t( u+ d7 W$ W! }7 B

4 b) T  o; k$ z. Q

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该用户从未签到

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发表于 2019-10-14 09:07 | 只看该作者
谢谢大神的分享,又来复习大神的杰作了

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发表于 2016-3-31 11:39 | 只看该作者
好资料啊 谢谢楼主慷慨分享!

该用户从未签到

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发表于 2017-9-21 11:29 | 只看该作者
好资料,谢谢楼主分享

该用户从未签到

2#
发表于 2015-3-9 10:51 | 只看该作者
很好的贴,赞一个~

该用户从未签到

4#
发表于 2017-3-23 17:09 | 只看该作者
好资料谢谢
  • TA的每日心情
    擦汗
    2021-11-28 15:48
  • 签到天数: 4 天

    [LV.2]偶尔看看I

    7#
    发表于 2018-7-28 22:26 | 只看该作者
    好资料,学习

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2019-9-27 11:58 | 只看该作者
    学习一下一下下
  • TA的每日心情

    2023-3-24 15:36
  • 签到天数: 68 天

    [LV.6]常住居民II

    10#
    发表于 2019-9-28 09:35 | 只看该作者
    学习学习,感谢楼主

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2019-10-12 16:34 | 只看该作者
    谢谢楼主分享2 V* F1 ^7 A# {0 _1 n! D( |( m

    该用户从未签到

    13#
    发表于 2020-5-5 17:07 | 只看该作者
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