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北漂的木木 发表于 2015-3-12 18:250 D) d' p7 a9 Y1 H. h) Q3 p( z
没有理论依据,因为我个人认为,小电容与大电容的位置互换,没啥影响,更没有数据能说明有啥区别。
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对于你所说,本人观点如下:3 w; ~" t, n, v$ V2 U9 X
1 容量大的流过的电流也大,同意此观点,因为i=c*dv/dt,假设都靠的很进近,电压同时起来,容值大的自然电流大。 \* e# g/ G/ P4 ~9 J; A
2 电解靠近BUCK电感,电流大部分都从此流过,自然ESR造成的纹波就大。
% z4 t4 _1 B& j# @3 a/ o" T3 如果10uF+0.1uF的陶瓷电容靠近些,电解相对位置远些,由于走线的电感与电阻,会使得10uF+0.1uF的电流相对大一些,总体滤波效果较好。
3 z" D8 Q- x4 K9 D2 b" V. V4 当远端有波动的时候,会优先电解去退耦。
- {8 h# D/ A6 E6 \) ?5 0.1uF的靠近电感,可以削弱电感的部分辐射。之前本人就有一个BUCK电感靠近了USB口,使得USB-WIFI信号有影像,直接在电感处并联一0.1uF到GND,WIFI明显好转(虽然没有彻底解决)9 X' h, n6 E$ x" ?
6 没有人去纠结这些电容的摆放,您想怎么摆就怎么摆。3 `. A7 E" ]2 w
7 做硬件的,不是去靠试来试去的(虽然我们很多时候都是这样干的),我们需要用实际的去验证理论+ k5 W C! h2 L8 v
1 v6 ^: j* s' y5 U喜欢就看下,不喜欢就拉倒了。 ! e' k% \ X* ]* w8 t6 ~
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