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EDA365电子论坛网»电子社区 › 研发技术版块 › 信号完整性SI/PI仿真 › 关于DDR3的串接匹配电阻的设计问题
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[仿真讨论] 关于DDR3的串接匹配电阻的设计问题

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Coziness_yang

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1#
发表于 2014-9-14 09:14 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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在我们目前很多DDR3的DQ信号线上都设计了串接匹配电阻，这个串接电阻为了使驱动器与传输线匹配，因为驱动器的输出阻抗为25Ω左右，而PCB走线为45Ω左右，所以在线上加一个23Ω左右的电阻匹配（一般设计在内存条上），但是在有些设计中，由于版面布局的限制，我们不设计该串接电阻。有谁测试过有串接电阻和没有串接电阻的差异？

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cousins

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2#
发表于 2014-9-15 09:10 | 只看该作者
有ODT就可以了，关键还是接收端的信号质量。
7 A1 m$ y$ ]# r; e+ ?" k) v- d在无odt的情况下有这种匹配会抑制掉源端的振铃，但是会增大功耗。" D6 s4 G/ B/ M

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xuexiyixia

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3#
发表于 2014-9-15 16:56 | 只看该作者
DDR3数据信号都有ODT，所以没必要再接匹配电阻。

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Coziness_yang

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4#
 楼主| 发表于 2014-9-15 19:41 | 只看该作者
但是在DIMM条上是有串接电阻的，ODT是可调的。

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qingkong0709

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5#
发表于 2014-9-17 19:43 | 只看该作者
不需要串电阻

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zhaoyang0351

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6#
发表于 2014-10-8 15:17 | 只看该作者
有ODT就不需要串联端接了。ODT模式下会有几种阻抗匹配可选，配置一下寄存器就可以了

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Coziness_yang

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7#
 楼主| 发表于 2014-10-8 16:04 | 只看该作者
zhaoyang0351 发表于 2014-10-8 15:17
4 I" F7 t7 K" C9 Y有ODT就不需要串联端接了。ODT模式下会有几种阻抗匹配可选，配置一下寄存器就可以了
4 z. j1 g) f0 L# s- W# P
谢谢你的回复。
4 x( l! a; O, X2 M8 P' k2 Q$ j/ ]

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ryo1023

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9#
发表于 2014-11-27 17:51 | 只看该作者
嗯！有ODT,可以不接串阻。

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