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楼主: gdli
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三极管参数选择

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该用户从未签到

16#
发表于 2014-9-4 13:57 | 只看该作者
你要做开关的话,一般就两个状态,截止和饱和,截止好说。
, f3 t' ?& ^' `/ |+ v饱和的话,一般使得IB>IC/HFE(MIN),这样可以进入深度饱和。

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17#
 楼主| 发表于 2014-9-5 08:46 | 只看该作者
fallen 发表于 2014-9-4 13:57
% O$ V' S- s8 n2 S( J& Q$ ?# ~你要做开关的话,一般就两个状态,截止和饱和,截止好说。8 B* o6 Y1 g# Z1 g8 P2 B# _3 g
饱和的话,一般使得IB>IC/HFE(MIN),这样可以进 ...

, ~9 `' t9 S, T. g4 Y' e这个知道啊问题是怎么去设置上下偏置的大小。别人设置的都在10K以上,我这里计算出来只有几十欧姆,不知道怎么回事

该用户从未签到

18#
发表于 2014-9-5 10:24 | 只看该作者
gdli 发表于 2014-9-5 08:46% ~7 Y  _1 p) ^+ G' b
这个知道啊问题是怎么去设置上下偏置的大小。别人设置的都在10K以上,我这里计算出来只有几十欧姆,不知 ...

. ?& g8 y1 `; V2 k3 }3 f你的IC很大?如果IC很大,建议用MOSFET

该用户从未签到

19#
 楼主| 发表于 2014-9-6 08:36 | 只看该作者
fallen 发表于 2014-9-5 10:24
% A  C; r" O6 _2 B0 G* P  G, g你的IC很大?如果IC很大,建议用MOSFET
" V5 V6 y6 B2 J7 f. m' R& a
不明白
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