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TI常用器件选型0 M6 r) P4 {& o1 J% s
1 半导体管
" Q/ \: |: J2 I9 K1 g) \1.1 ESBT
4 G& Q$ y0 ]7 y; g. q5 uSTC04IE170HP N 沟道ESBT6 ~7 W" f: Q- I2 g4 ~5 H! A
4A, 1700V, 50W，饱和压阵< 1. 5V
. E4 i0 S+ g0 E! g1 X1.2 IGBT
4 D: K: \! y1 M( ^1.2.1 600V8 P( ~3 Y" h; n N7 P9 i
STGD3NB60F N 沟道IGBT
) V0 y6 i4 C' \3A, 600V, 25W~68W，饱和压降<2 .4V' x1 x+ e$ X' {. I4 Q
IRGffi6B60DK N 沟道IGBT
( z4 Z1 w. Y: m5 T- c7A, 600V, 19W，饱和压阵<2.6V& ^: T+ |- F8 a+ ?( L
IRG4IBC30W N 沟道IGBT
3 `+ n0 M- H+ }# O+ W- U5 }8.4A, 600V, 1 8W，饱和压降<2 .7V, q' g! ?' _. Y" A( I
IRG4PC30W N 沟道IGBT
I) i0 I) {$ T B& S12A, 600V, 42W，饱和压降<2.7V
2 T4 u. S" g+ aIRGB4056DP N 沟道IGBT- s. ^$ W' O# @8 a3 i
12A, 600V, 70W，饱和压降< 1.9πf
3 }& X6 E2 Y, N5 |) r" cIRG4PC40W N 沟道IGBT
) B: W2 \: t8 N3 M7 O# S+ p9 H20A, 600V, 65W，饱和压降<2.5V/ H3 a" y1 z1 {% i+ m9 A* s
IRGB20B60PD N 沟道IGBT
/ N4 I. b. ] P! l, ?22A, 600V, 86W，饱和压降<3.7V
# E- K& ` R2 z- aIRG4PC50W N 沟道IGBT0 G/ u6 f" d3 S% c1 h
27A, 600V, 78W，饱和压降<2.3V/ c% I5 R! c# V0 X
IRG4PC40S N 沟道IGBT
5 h9 F8 {: V- M) N9 Y31A, 600V, 65W，饱和压降< 1.5V4 @& _ L3 \5 h6 p4 |" s
IRG4PC50S N 沟道IGBT8 C- t" O# O0 d3 o0 U' l# G
41A, 600V, 78W，饱和压降< 1.4V- \6 H+ a6 f) U, C' g! f
IRG4PC60F N 沟道IGBT8 ?' D6 Q' [+ }6 ]& v
2 N( ?2 r* i: _" f) G ?
7 J+ Q! v' l+ W0 U! K
$ L+ u% A. X+ ~) c5 C( a
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发表于 2019-11-19 18:27
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发表于 2019-11-19 20:08
