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TI常用器件选型
# i* r$ y/ \0 ~# N6 I3 N1 半导体管
4 H( Y7 j: m2 l, o+ F7 z: `$ ^6 N1.1 ESBT o5 ~. y$ r9 G! Y9 _
STC04IE170HP N 沟道ESBT
7 c( I; F1 H X: N; P* a4A, 1700V, 50W，饱和压阵< 1. 5V. I. [6 U4 L2 I3 L7 Y7 s) s
1.2 IGBT
" ]" C8 X6 L3 r1.2.1 600V
# Q' O! r. u: k# n' u/ @STGD3NB60F N 沟道IGBT8 t+ j! U; }3 w* j5 O2 d
3A, 600V, 25W~68W，饱和压降<2 .4V
, e/ p# \6 j" ` LIRGffi6B60DK N 沟道IGBT- ^. C6 S" T7 R- n
7A, 600V, 19W，饱和压阵<2.6V3 N* j# T( _' n( k9 A6 }; q
IRG4IBC30W N 沟道IGBT
$ L, {; Y" z( |; ]8.4A, 600V, 1 8W，饱和压降<2 .7V! y8 n% v5 J( s* R" e' g- `
IRG4PC30W N 沟道IGBT" @& [. `4 n1 C9 e3 _9 k/ R
12A, 600V, 42W，饱和压降<2.7V- a0 @* L2 E7 Y4 |
IRGB4056DP N 沟道IGBT& R1 N+ H# u3 b3 q8 K, E1 C! u! D
12A, 600V, 70W，饱和压降< 1.9πf
! P$ Q" h- d9 N$ |7 p& J; BIRG4PC40W N 沟道IGBT
2 l' L% E4 N/ J0 V9 ^/ c2 v20A, 600V, 65W，饱和压降<2.5V7 ^+ {4 Y5 ~- i/ w9 d* i
IRGB20B60PD N 沟道IGBT# o2 N3 _% R* E: l$ T
22A, 600V, 86W，饱和压降<3.7V
9 H4 h1 k8 w- F! {0 \4 H0 ^IRG4PC50W N 沟道IGBT% V }' F3 r0 r: s; @' w
27A, 600V, 78W，饱和压降<2.3V
! [& N0 g3 h- R, W2 r$ g: H jIRG4PC40S N 沟道IGBT+ [# O: y! B) \1 r, [. N" | s
31A, 600V, 65W，饱和压降< 1.5V0 p2 }3 Z3 ]5 P7 ?
IRG4PC50S N 沟道IGBT+ |. M2 V3 }7 T; |+ w; w' ~
41A, 600V, 78W，饱和压降< 1.4V! K9 V! c- k( m
IRG4PC60F N 沟道IGBT p& u" U# r f$ t% v0 g
4 z- S( z2 n% b- @1 w$ Y/ W( A! w# A; q% e. h& W. k7 I+ R
7 @+ P9 A. Y3 _( E6 y C
; H- Q4 O1 G8 `3 S, H |
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发表于 2019-11-19 18:27
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发表于 2019-11-19 20:08
