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TI常用器件选型
0 ^+ t7 l! N! D+ q9 t: K/ G1 半导体管
( L3 d, \& K1 E+ O2 _! J, y& @1.1 ESBT: W5 J* k# o# V m1 |1 X0 [
STC04IE170HP N 沟道ESBT
6 p' V. v# ?7 j3 x9 O/ M- {( [- [7 @4A, 1700V, 50W，饱和压阵< 1. 5V9 [+ ~+ K# o8 @1 P' h
1.2 IGBT/ d7 F5 i$ E; B/ \8 P% K
1.2.1 600V
+ }+ T( s4 |% L0 d& i3 KSTGD3NB60F N 沟道IGBT! J+ F* t9 e; T- r
3A, 600V, 25W~68W，饱和压降<2 .4V/ v$ ]+ e1 l4 H5 C2 O% z8 a+ x
IRGffi6B60DK N 沟道IGBT
/ `( T8 }3 U0 B) x7 Q( N3 f7 L7A, 600V, 19W，饱和压阵<2.6V F* R' }+ W3 D; Y l, ]6 H
IRG4IBC30W N 沟道IGBT
. k! U0 ^5 n1 F& `9 i8.4A, 600V, 1 8W，饱和压降<2 .7V
, }! f1 v0 \0 @+ ~IRG4PC30W N 沟道IGBT
8 m$ q8 m a1 l12A, 600V, 42W，饱和压降<2.7V! I% D. W# A. }( d
IRGB4056DP N 沟道IGBT) F8 f3 [3 e$ j6 N j6 ?: u" o
12A, 600V, 70W，饱和压降< 1.9πf; u4 `& d1 X/ D1 c. v
IRG4PC40W N 沟道IGBT
3 u7 Z/ q* E$ C20A, 600V, 65W，饱和压降<2.5V! w5 e: z4 M5 h' H" F6 H- K! r
IRGB20B60PD N 沟道IGBT
8 [( l, g# V% r" S( g, ~22A, 600V, 86W，饱和压降<3.7V( ~6 y7 T, C2 ?7 t7 ]0 G. r: P# P2 j
IRG4PC50W N 沟道IGBT
! g( @4 C/ Y ~; b6 e5 O27A, 600V, 78W，饱和压降<2.3V
7 c# f* O% m% m; d5 n1 r1 G: y* _IRG4PC40S N 沟道IGBT ^7 u B V. ]' E c
31A, 600V, 65W，饱和压降< 1.5V1 S u2 ~+ z- T" i3 B: S# l
IRG4PC50S N 沟道IGBT
/ x) E2 w) W2 f7 A/ i0 @8 l- |41A, 600V, 78W，饱和压降< 1.4V
r! }2 c* W8 o/ F) YIRG4PC60F N 沟道IGBT
( x+ x) e0 W/ z5 ^
8 T9 |# Y/ t( `% d
- r0 M( ?' W' r# H
% t3 n( V$ T; ~2 I& o
" ?6 v5 U6 Y+ q. X5 k+ q |
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发表于 2019-11-19 18:27
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发表于 2019-11-19 20:08
