KMFE10012M-B214 规格书,KMFE10012M多芯片封装存储器datasheet

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KMFE10012M-B214 规格书,KMFE10012M多芯片封装存储器datasheet 

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KMFE10012M是一种多芯片封装存储器，它结合了16GB的EMMC和8GB的LPDDR3 SDRAM。

三星EMMC是以BGA封装形式设计的嵌入式MMC解决方案。eMMC操作与MMC设备相同，因此是使用MMC协议V5.1对内存进行简单读写的一种行业标准。
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eMMC由NANDFlash和MMC控制器组成。对于NAND区域(VDDF或VCC)需要3V的电源电压，而MMC控制需要1.8V或3V的双电源电压(VDD或VCCQ)。
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! \" E& o3 j  S% h8 i9 x$ o使用eMMC有几个优点。它很容易使用，因为MMC接口允许轻松地与任何微处理器与MMC主机集成。对NAND的任何修改或修改对th是不可见的。E主机作为嵌入式MMC控制器，将NAND技术与主机隔离开来。这将导致更快的产品开发和更快的上市时间。

eMMC的嵌入式FLASH管理软件(FLASH Transform Layer，简称FTL)管理磨损平整、块管理和ECC。FTL支持三星NAND闪存的所有功能，并达到最佳性能。
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/ v9 H* s* ^: }! JLPDDR3设备在命令/地址(CA)总线上使用双数据速率结构来减少系统中输入引脚的数量。10位CA总线包含命令、地址和银行信息。
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这些设备还使用DQ引脚上的双数据速率结构来实现高速操作。双数据速率结构本质上是一个具有接口的8n预取结构。

5 W1 p6 v! x6 q. s) C: O3 S& P对LPDDR 3 SDRAM的读和写访问是面向突发的；访问从选定的位置开始，并对被编程序列中的被编程位置数继续进行。其随后是读或写命令。与激活命令一致的地址和BA位用于选择要访问的行和存储体。地址位R使用与读或写命令一致的电子注册来选择BANK和突发访问的起始列位置

0 q/ b' k9 }/ v2 F* q( w在正常操作之前，必须初始化LPDDR 3 SDRAM。以下部分提供了详细的信息，包括设备初始化、寄存器定义、命令描述和Devi。
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KMFE10012M适用于移动通信系统的数据存储，不仅减少了安装面积，而且降低了功耗。该设备可在221球FBGA型.
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KMFE10012M-B214 规格书/datasheet
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