金属氧化物半导体场效晶体管的结构

查看数: 499 | 评论数: 1 | 收藏 0

关灯 | 提示：支持键盘翻页<-左右->

发布时间: 2021-1-11 10:41

# ]( c/ }/ m8 a2 ~* C& u. R6 g上图是一个NMOS的截面图。MOSFET的核心是位于中央的MOS电容，左右两侧是它的源极与漏极。源极与漏极的特性必须同为NMOS或是同为PMOS。图中NMOS的源极与漏极上标示的「N＋」代表 ...

Ｄ.H 发表于 2021-1-11 11:19

对这个NMOS而言，真正用来作为沟道、让载流子通过的只有MOS电容正下方半导体的表面区域

电子产业链人脉资源都在这里！: 纸质名片易丢失、客户信息难管理？Elink+数字名片帮您实现智能人脉管理，助力企业守护客户资源、提升企业形象。免费使用>>

GMT+8, 2025-7-12 22:42 , Processed in 0.140625 second(s), 29 queries , Gzip On.

地址:深圳市南山区科技生态园2栋A座805 电话:19926409050

帐号		自动登录	找回密码
密码			注册

回复