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楼主: czx08
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没有短路,MOS管被烧毁

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16#
 楼主| 发表于 2014-7-4 16:05 | 只看该作者
tzwhzf 发表于 2014-7-4 13:562 W2 @1 ~  W* S' I- ]
三极管电路设计有问题,如果三极管道通出现问题,MOS管肯定会烧掉。; c% r: ^4 f! \. _% t) J
MOS管的GS两端中间建议加一个0.1uF的 ...
" Z# ]: N& u: V/ R! ]0 G

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17#
发表于 2014-7-10 10:54 | 只看该作者
换MOS为SOP封装的测试比较好,如果电流接近3A,你的MOS管电流最大为3.7A,冗余有点小

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18#
 楼主| 发表于 2014-7-10 11:43 | 只看该作者
wdesignshh 发表于 2014-7-10 10:54! k% `& d6 m: D
换MOS为SOP封装的测试比较好,如果电流接近3A,你的MOS管电流最大为3.7A,冗余有点小

1 [/ X1 q- ~4 O& K

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19#
发表于 2014-7-11 08:45 | 只看该作者

' Z# ^8 A9 H# W8 `最后的测试结果和解决方案也给大家说一下呀

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20#
 楼主| 发表于 2014-7-11 11:41 | 只看该作者
wdesignshh 发表于 2014-7-11 08:45% t* B  P& n8 X" }
最后的测试结果和解决方案也给大家说一下呀

) Q# T" R# m% R- p  _0 K# d9 E没结果啊!!!
2 e" [8 o. C- W! h+ r5 i& X换个mos管就好了

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21#
发表于 2014-7-11 14:45 | 只看该作者
czx08 发表于 2014-7-11 11:41
% R# M1 c1 H6 l8 W6 K没结果啊!!!
0 P/ d! n& i% }, C, y8 B换个mos管就好了
# B) i1 }1 Q8 w& [
是把SOT23改为SOP8,就不再出了呢,还是换为别的就不再出了?

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22#
 楼主| 发表于 2014-7-15 14:37 | 只看该作者
wdesignshh 发表于 2014-7-11 14:45& C5 @/ P, ?% Y& }
是把SOT23改为SOP8,就不再出了呢,还是换为别的就不再出了?
1 o5 V6 \7 d% v. z. s  `* a
没改,就是重新换了个。# C" a1 A7 \7 r' t+ L
这种现象不是一定会出现,是偶尔会出现

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23#
发表于 2014-7-19 22:00 | 只看该作者
MOS管会坏,只有一种情况,那就是负载电流超过了它的能力,按楼主说的电流没这么大,但是有一种可能就是负载突然加重,只是你没查觉到而已,呵呵

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24#
 楼主| 发表于 2014-7-21 10:50 | 只看该作者
15818550922 发表于 2014-7-19 22:003 T3 F" T6 b) S1 E
MOS管会坏,只有一种情况,那就是负载电流超过了它的能力,按楼主说的电流没这么大,但是有一种可能就是负 ...

- y- G! i" ]7 z, h$ S8 Y & c- a  R. {- r7 K
有可能啊

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25#
发表于 2015-2-6 10:11 | 只看该作者
估计封装尺寸太小,温度非常高了,接近最大的允许温度,一般mos管Tj为150,设计时最好不要超过125°C,而且当高温时功耗又会变大,分析问题最好实测芯片壳温下,

点评

后来用电流探头测了下冲击电流,发现在开机瞬间,有4A~6A的冲击电流,可能是这个原因导致的!不过也可能是封装小,长时间的高温引起的!  详情 回复 发表于 2015-2-6 10:45

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26#
 楼主| 发表于 2015-2-6 10:45 | 只看该作者
cool001 发表于 2015-2-6 10:11. @/ V4 t1 y2 q0 N) R
估计封装尺寸太小,温度非常高了,接近最大的允许温度,一般mos管Tj为150,设计时最好不要超过125°C,而且 ...
+ V9 ?  _: a0 K7 f" l" R9 d

! h* X9 q1 }# T8 J$ P1 v; A$ T$ ~8 _后来用电流探头测了下冲击电流,发现在开机瞬间,有4A~6A的冲击电流,可能是这个原因导致的!不过也可能是封装小,长时间的高温引起的!0 w& b7 r/ l% f7 ^, F+ U

点评

那这个是个问题啊,你换了没出事也得试着解决下嘛,你自己都说了偶尔会出现,量大了不怕出问题啊  详情 回复 发表于 2015-2-7 11:35

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27#
发表于 2015-2-6 10:57 | 只看该作者
一般开机瞬间时间非常短,偶尔烧毁是一开机就烧毁还是运行比较久了才烧毁呢,再是如是一开机电流冲击烧毁也证明芯片的热容量不够,封装小热容量也小,是否同时有几个这样的芯片放置集中,现在问题解决了就Ok了,最好不要长期高温,

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28#
发表于 2015-2-6 11:48 | 只看该作者
帮你顶一下

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29#
发表于 2015-2-6 15:35 | 只看该作者
突波電流Surge Current)或突波電壓Surge Voltage)是有可能,但體二極管Body Diode)承受電流只有 1.2A,如果電流有逆向的工作狀況,也順便注意一下。# G+ o; {5 L+ I" w5 c5 @

+ a2 m7 y1 a- ~
3 q  t- C- n0 h% F& W5 D" E( b

点评

支持!: 5.0
支持!: 5
有理~~上电下电时候电源单调性是很重要的  发表于 2015-2-11 08:44

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30#
发表于 2015-2-6 17:59 | 只看该作者
总的来说,撸主选的MOS管冗余不够,即使换一个暂时好了,指不定啥时候又烧了。( R9 q8 d3 a) r" w5 f: W" P
指标不治本,并且,作为产品出去,还要做售后服务的话,很悲剧的事情。! v  b! U: J, Q: H
楼主,你电池的电压是多大?可以的话,换一个同样封装的MOS管。推荐型号:SI2333CDS-T1-GE3,SI2369DS-T1-GE3

点评

电池电压4.2v,已经换了一个MOS管,过流能力达到8A的  详情 回复 发表于 2015-2-13 09:42
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