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DDR3端接问题

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zlpkcnm

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1#
发表于 2014-6-16 13:28 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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请教下给我大虾，DDR3端接问题。4 O" J: q& F2 T4 t) ]% j

; E% s5 A/ v/ Z# e* }$ Z6 d自己发现 在INTEL 给的DATASHEET上的使用DDR3 SDRAM颗粒时候 都会要求使用端接电阻。就是用0.75V上啦的。平时在做Intel cpu时候使用就都加了端接。1 l; Y$ `  o$ M( ~  \# v* {0 {
最近自己看到有的显卡，或者ARM原理图上使用DDR3 SDRAM时候没有加端接电阻。# Y0 R6 A3 n+ J- f; E

, \9 Z- X8 }6 K  ~请大家赐教，这有什么区别

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wangyiqun823

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发表于 2014-6-24 15:18 | 只看该作者
数据线没有的原因是因为DDR3的ODT功能，会将内部的上拉电阻打开，地址、控制线还是需要你自己外部接的。主要的原因还是考虑到阻抗匹配的问题，防止信号的反射，振铃。

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lzscan

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发表于 2014-6-16 15:15 | 只看该作者
数据线没有，但是地址、控制线应该有吧。除非内部已经做了。

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afande
  • TA的每日心情
    开心
    2020-1-19 15:16

    • 签到天数: 1 天

    [LV.1]初来乍到
    3#
    发表于 2014-6-16 21:05 | 只看该作者
    驱动能力够就不需要，不一样的设计。

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    zlpkcnm

    该用户从未签到
    4#
     楼主| 发表于 2014-6-16 21:20 | 只看该作者
    afande 发表于 2014-6-16 21:056 S/ j5 a( M% U4 U# z% `1 w
    驱动能力够就不需要，不一样的设计。
    ) C, K" X. N/ I" v( S2 a
    thanks very much

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    ych634227759

    该用户从未签到
    6#
    发表于 2014-6-26 20:07 | 只看该作者
    wangyiqun823 发表于 2014-6-24 15:18
    * {+ y6 n5 ~0 a$ e/ X( j- l( b2 r数据线没有的原因是因为DDR3的ODT功能，会将内部的上拉电阻打开，地址、控制线还是需要你自己外部接的。主 ...
    - c0 ]6 W! B1 E+ _
    说的很对！对于双向的数据信号，发明的ODT技术，节省了很多上拉电阻和PCB面积！

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