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处理器和DDR信号线连接需要串联多大的电阻?

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1#
发表于 2014-5-25 15:06 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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我们是DDR2,处理器和DDR芯片之间需要串联电阻吗?需要的话是多少?

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3#
发表于 2014-5-26 08:27 | 只看该作者
一般是22 33 47等一些电阻 ,具体你需要看规格书,TI的一般使用的22R 海思的电路是33R

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4#
 楼主| 发表于 2014-5-26 09:43 | 只看该作者
bingshuihuo 发表于 2014-5-26 08:27
1 ^6 a% o& c& A: X一般是22 33 47等一些电阻 ,具体你需要看规格书,TI的一般使用的22R 海思的电路是33R
. I8 h$ V4 j# d4 S7 n( L, W
我的处理器是freescale的,ddr是镁光的,DDR是是DDR2。2 k$ u  c3 I& @) y. s( A  r, V
串联的电阻的放置位置有要求吗?

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5#
发表于 2014-5-26 11:44 | 只看该作者
我看他们的设计  有的还没有接电阻 因为频率不怎么高  你可以接22R 或者33R去试一下
2 ^) _" N; z( _% F) w% `# g在一个你要明白接电阻的意义是什么.

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6#
发表于 2014-5-27 13:38 | 只看该作者
ddr2  4片正反贴,时钟有匹配,其它都没有串电阻. 0.1uf电容都没有几颗,已经量产。

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7#
发表于 2014-5-28 10:34 | 只看该作者
串联近源端。吸收反射的信号。

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8#
发表于 2014-5-29 08:52 | 只看该作者
这个需要看具体的处理器和DDR的DS
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