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[仿真讨论] DDR3概念疑问(on-the-fly,write leveling等)

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发表于 2014-3-18 03:14 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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(1)请问在DDR3中on-the-fly,write leveling这两个概念怎样理解?与fly-by拓扑有联系?  N0 ?% W9 |0 L6 ^# Z

! A* g- g3 l1 r% T( i# z' ]* q(2)是有BL8 on the fly和BC4 on the fly两种类型的读写命令?
$ o6 Z! L5 @" j" G
. F3 s- I" |# k3 U3 L(3)对于动态ODT来说,RTT_WR是在写命令时的ODT值,而RTT_NOM是其它时候的ODT值,这个其它时候是指哪些时候? % J" d& G7 j, q1 Q5 j
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    发表于 2014-5-27 16:05 | 只看该作者
    1.on-the-fly即时烧录,write leveling软件使DQS延迟使得相位和clk保持一致;writing leveling能力决定规则约束。2 r. H* ?, }5 [
    2.我觉得BL8和BC4组合控制 on-the-fly的状态,如速率。
    " d& d) `; [* M' x/ Q. t3 W3.DDR3提供个两个不同的端接电阻值:Rtt_Nom,Rtt_WR。Rtt_Nom 是名义上的端接电阻值在MR1中进行编程。Rtt_WR是一个独立的值,在MR2中进行编程使得一个唯一的RTT值工作,当进行写操作时,ODT使能。即使Rtt_Nom关闭的时候,在写操作时Rtt_WR还可以应用。
      @. d5 J* z$ K+ `
    1 C7 k9 S: R. ^不知道理解的对不对。
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