DDR3_1066M仿真问题

xiao_layout

在做DDR3仿真的时候，眼图电平明显高于750MV。开始以为是ODT的终结所致，后将终结和拓扑删除部分简化仿真。发现output的输出还是高于750MV。如下图：       。
2 u0 \6 p$ G1 F% V上面是删减后只挂两片的DDR的眼图和拓扑，还是高于750MV。
  下面是完整的拓扑和眼图：
" a* h2 ~1 c- ^

8 N5 z' B2 u  P  H! U
% K) y- y9 J, r, n不知道什么原因。DDR3的眼图电压应该在250MV-1250MV之间。不知道我的为什么偏高。
9 v2 }/ R. B) z     求大侠解释。

xiao_layout

cousins 发表于 2014-2-12 11:30
用点到点的方式做一下，通常这种直流偏置出现偏移，是driver buffer和receiver buffer的level不同步造成的 ...

) J4 o, H7 ~( p6 D6 V mt41j256m8hx.rar (2.48 MB, 下载次数: 159)

2014-2-12 11:35 上传

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  附件为DDR的IBIS模型及手册。你可以看下。直流偏置应该就是1.5v

cousins

将v6的ibs文件里[pin]内容下添加以下参数
2 p9 c6 A( a6 {( K9 [[Diff_pin]  inv_pin     vdiff     tdelay_typ     tdelay_min    tdelay_max

2 o/ q# j, A6 R) J& v$ D* A. I主要添加DIFF_PIN 和INV_PIN就可以 vdiff填为350mV吧，具体多少你要看你的规格书有没有提到，没有提到就先填这个值，但是好像对结果没太大影响
4 l8 `9 e- W- |4 c, b2 I1 c) y0 p后几个参数可以舔为NA
- @1 P: c* [) N仿真中改变驱动能力你要选择对应的model selector
) V6 l" V+ j+ u- E- p( P! V置于正确的改善方法应该是越远端负载的走线阻抗就越要调小，原因是远端负载的容性负载增大，要减小塌陷就要减小特征阻抗来改善上升延时造成的塌陷。
# e" T  `; C1 _0 w/ Q( E

cousins

我猜是你的模型问题。
. `5 A9 V( k% i6 W( l7 n* u3 M5 {只是猜而已，virtex6 driver的buffer不清楚你选的是哪个drive level。
你可以试试直接用最简单的点到点的方式看看DC LEVEL，然后再去check ibis的default model。
2 R- ?( o9 X; u0 \* O6 E

xiao_layout

cousins 发表于 2014-2-12 11:13
我猜是你的模型问题。
' U6 B' Q/ v# H只是猜而已，virtex6 driver的buffer不清楚你选的是哪个drive level。
你可以试试 ...

- [+ `- }! ^- ` ，如图为DDR和virtex6 的driver。DDR电平类型SSTL。
我查看模型将1.5V的IO的driver都试过。都差不多。在这个问题上纠结很久了。

cousins

用点到点的方式做一下，通常这种直流偏置出现偏移，是driver buffer和receiver buffer的level不同步造成的。
' z1 q9 n$ O3 ]( g2 Z. r你这个是micron v69a的模型吧 不知道你用的是1.35V还是1.5V的level
; `3 y7 O1 M9 E) P. Avirtex应该为1.5V的output吧

cousins

我看你的ibs里针对mt41j256m8hx这个型号，只有ODT_INPUT这个buffer model吧
而且也没有相应的model select描述说明要选40ohm_ODT_1066这个buffer model啊，这只是个submodel，都不具备input规格的。你为什么要选这个buffer？

xiao_layout

cousins 发表于 2014-2-12 12:36
我看你的ibs里针对mt41j256m8hx这个型号，只有ODT_INPUT这个buffer model吧
而且也没有相应的model select ...

我选择这个model是因为去做一些阻抗匹配来改善眼图。例如
我在做数据线时。
我选在DQ40_ODT40_1066的仿真眼图明显比选在DQ40_1066要好，可以明显改善过冲。
& i( u: r" n* \" U我也看了下你说的那个问题。我选在的那个model的确是一个submodel且没有标示具有INPUT属性。
但是我想它列出的子model应该是可用的。这也是ODT的一个buffer啊？只是匹配不一样。

xiao_layout

xiao_layout 发表于 2014-2-12 13:41
5 x. g! p( X8 |; x; E+ u我选择这个model是因为去做一些阻抗匹配来改善眼图。例如
我在做数据线时。
我选在DQ40_ODT40_1066的仿 ...

帅哥，谢谢。我终于知道了。地址是单向传输智能选INPUT。数据线时I/O属性 可以去选择匹配。我选INPUT波形就正常了。开始模型没有弄明白。

xiao_layout

cousins 发表于 2014-2-12 11:30
8 h0 w0 h( @! c9 Y( _+ l9 Q1 U用点到点的方式做一下，通常这种直流偏置出现偏移，是driver buffer和receiver buffer的level不同步造成的 ...

谢谢，查找到原因了。的确是模型错误。还有个问题请教下：我在仿时钟线的时候。由于V6的模型没有附上，所以时钟驱动不是查分，我自己调用个查分驱动，但是在付模型时发现在模型里面没有输出的模型。但是在选择output、IBIS i/O时，可以看到V6的output的模型。我怎么能为我的驱动附上。2.我在仿真时发现我的上升沿和下降沿均有塌陷。可能是布线太长，负载容性太大。我怎么改变驱动能力？

clovep

楼主，可以上传一份完整pcb和ibis的模型吗，初学者，各种资料不全，谢谢分享

ABCLSL

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