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过压保护电路问题

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1#
发表于 2014-1-14 12:50 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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附件是过压保护电路,红圈中 R349--100K,换成0.1UF好,还是100K,请大家帮忙看一下,谢谢

OVP.jpg (118.67 KB, 下载次数: 2)

OVP过压保护电路

OVP过压保护电路

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2#
 楼主| 发表于 2014-1-14 13:35 | 只看该作者
我知道 0.1UF的电容为加速电容,加快MOS管 截止时间,

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3#
发表于 2014-1-14 15:55 | 只看该作者
能解释一下他是怎么工作的吗?看不懂

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4#
发表于 2014-1-14 16:14 | 只看该作者
小廖,换成0.1UF。
  • TA的每日心情
    开心
    2025-5-14 15:00
  • 签到天数: 688 天

    [LV.9]以坛为家II

    5#
    发表于 2014-1-14 17:28 | 只看该作者
    也不太懂,问一下,能5.8V断掉吗?稳压管5.6V,还得有个管压降三极管才能导通,发生保护,最少也得6.2V吧?

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    6#
     楼主| 发表于 2014-1-14 17:34 | 只看该作者
    能否帮忙仿真一下,大家,

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    7#
    发表于 2014-1-16 17:41 | 只看该作者
    liaotingkang 发表于 2014-1-14 17:344 T- J; z. L0 ]0 u* l4 u+ d0 F1 [
    能否帮忙仿真一下,大家,

    / P: v# W: [1 T$ [# n仿真可以找 Super Go, 他仿真粉厲害的啦~~~~

    该用户从未签到

    8#
    发表于 2014-1-17 11:19 | 只看该作者
    0.1uf看起来好像是缓开启作用的,同时还会影响前面过压保护电路的关断响应。至于是电阻还是电容看实际情况。

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    9#
    发表于 2014-1-17 11:25 | 只看该作者
    本帖最后由 part99 于 2014-1-16 22:54 编辑
    & g/ Y" Y' Q2 s2 G
    : [; Y0 {2 T2 L( w设计不够好,NPN三极管应该放在R354的位置,导通后拉低P-CH MOSFET的Gate;' J: x, W6 T1 Y
    如果过压,NPN应该截止,MOSFET的Gate电压和S一样,这样就不通了。

    点评

    对的 还有按现在这个三极管这样接应该是用NPN的了,加速电容应并在R348  发表于 2014-1-18 12:04
    应该是拉高gate吧?  发表于 2014-1-17 11:37

    该用户从未签到

    11#
    发表于 2014-1-18 09:32 | 只看该作者
    我觉得没有什么明显区别的,你可以找狗版主仿真下,你的电路有待优化,呵呵

    该用户从未签到

    12#
     楼主| 发表于 2014-1-20 17:18 | 只看该作者
    终于明白了,谢谢版主-查尔斯,因为突波能通过电容,反映肯定更大了;还有100K:10K =10:1分压,5V 经过分压是 0.45V(10:1) ,要到4.5V左右MOS才能真正截止,即5*10V突波 经分压后 才为4.5V,

    该用户从未签到

    13#
     楼主| 发表于 2014-1-20 17:24 | 只看该作者
    终于明白了,谢谢版主-查尔斯,3 q& S1 ^- [) K
    1--因为突波能通过电容,反映肯定更快了;(暫態阻抗很小,突波會全落在 10K 電阻上。! p/ S% D; K, O
    所以只要接近 4.1V 就會動作了        版主写的 )
    5 N1 H% f% ^, i% a/ m3 M8 r( X2-- 100K:10K =10:1分压,5V 经过分压是 0.45V(10:1) ,要到4.5V左右MOS才能真正截止,即    5*10V=50Vi突波 经分压后 才为4.5V,才能关闭,(前面还有个稳定二极管 ~~双重保护了)。8 \) _* |8 J9 U  p% M4 q, J: ?- t
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