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[仿真讨论] 频率升高,电感减小的解释

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1#
发表于 2013-9-13 09:17 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 qingdalj 于 2013-9-13 14:58 编辑 6 x& u8 @3 ]$ k; e

0 D7 F+ t2 ^4 {7 C4 I, `4 U
         由于本人对电磁场理论认知不深,对信号完整性理论的理解也有限,以下内容如有错误或用词不当之处还请各位大神指正,谢谢!!!
, E  I; ]) n8 B  V( s" a9 W- s; s* v        由于公式没有显示,详情请查看附件, 电感减小的解释 .pdf (380.86 KB, 下载次数: 64)
3 p9 ~! i# R+ X1 e         
我们知道传输线的特征阻抗Z0=√(L/C),随着经过传输线的信号频率升高传输线的特征阻抗也会降低,而电容C随频率变化不大(电容值和介电常数有关),那么根据上面的公式可以得出:随着信号频率升高传输线特征阻抗降低的主要原因是传输线的电感L降低了。而实际上频率升高传输线的电感确实降低了。
8 V5 P* R' F- v8 C     
+ K8 r8 `$ z( L7 u# L* [7 v      
那么频率升高,传输线的电感为什么会降低呢?(这里指的是非理想导体,理想导体不会发生趋肤效应,它的电感也就不会降低,因为磁场无法穿透金属,导体内部不存在磁场也就不存在内部电感了)我们利用简单的电磁场理论就可以解释了。请向下看!!!$ G( Y6 P* ~* j2 v
. F0 _2 k/ u7 s$ U
         
首先,明确一下电感的定义:在恒定磁场中,把穿过回路的磁通量与回路中的电流的比值称为电感系数,简称自感,对单个导体系统分析不存在互感的情况,这里的电感就是自感。设回路中电流为I,它所产生的穿过回路的磁通量为 ,则磁通量与回路中的电流成正比:自感L=磁通量 /电流I,也可理解为导体中流过单位安培电流时,导体所产生的穿过回路的磁力线总匝数。我们可以根据单位安培电流下,穿过回路的磁通量大小可以确定电感的相对大小,磁感应强度的大小也可以确定电感的相对大小,并且假设电流均匀分布。
         这里分析一根导线(圆柱无限长)和一个导体环(圆柱环无限长),它们外半径R1相同,导体环内半径为R2,流过电流均为I。因为这里采用导体无限长的情况,这里由导线电流产生的所有磁通量都会穿过回路。
        根据安培环路定理:稳恒磁场中,磁场强度H沿任何闭合路径的线积分,等于这闭合路径所包围的总电流,即下面的麦克斯韦方程组(静磁场)第四个方程。
      由于很多人对磁场强度接触不多,我们用上面的公式将磁场强度转换为磁感应强度
       对于上面的两种结构,根据安培环路定理,我们在垂直于导线方向上画圆积分(以导线中心为圆心),由于结构对称此圆弧上每一点的磁感应强度相等,于是
其中 表示积分圆所包围的电流的值。
分析可知,B1表示导体的磁感应强度,B2表示导体环的磁感应强度
% k- u/ u- H  ]9 a' K
        当R>R1时,由于导体和导体环电流相同,所以在此范围内他们的磁场分布完全相同,这部分磁通对电感的贡献相同。
& ]$ Z; b  j) f
        当R<R2时,由于导体的在此积分圆内还存在电流,而导体环在此位置没有电流存在,此范围内导体电流产生的磁通依然存在并对电感产生贡献,而导体环没有,对电感的贡献为0
  
9 d, [7 v7 V6 G; J# y2 c) H
        当R2<R<R1时,由于积分圆内包含的电流量导体大于导体环,也就是说此部分导体电感比导体环的电感大的多。

% w( i- U9 f3 L5 Q        综上所述,导体的电感大于导体环的电感。当高频信号经过导体时会发生趋肤效应,我们可以把上面的导体看成低频时的情况,此时电流分布基本均匀;把上面的第二种情况看成高频时发生趋肤效应的情况。显而易见,在高频时走线的电感降低了。这也印证了“信号总是沿着电感最小的路径传播”这句话。
# N4 M% v2 Q9 {$ b% I

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 楼主| 发表于 2013-9-13 14:44 | 只看该作者
本帖最后由 qingdalj 于 2013-9-13 15:11 编辑 # z' K# X' ^+ s; }
于争 发表于 2013-9-13 13:07
! Q9 c, O# F$ Z给一个单位长度电容随频率变化的图。$ ^; |1 {0 a3 d& V) ]& I: W7 {

0 W% i/ }' i2 d4 ?你的PDF密码好像不对
  j& c1 ]+ X1 Y8 d
6 P' q" Z& G' C% f6 E# Z
非常感谢您的指正,我知道有种材料的介电常数从1GHz的约3.18降低到了10GHz的约3.05,这样,同样的结构在10GHz相对于1GHz的等效电容会降低。。。。

该用户从未签到

2#
发表于 2013-9-13 13:07 | 只看该作者
本帖最后由 于争 于 2013-9-13 13:08 编辑 : n* {8 m2 m1 u
" u9 I9 e( n4 l) g: B9 C4 c
给一个单位长度电容随频率变化的图。1 ~/ L  \! J9 d1 K* m

% F3 N0 |8 U' F( s; V你的PDF密码好像不对

C-FREQ.jpg (44.2 KB, 下载次数: 5)

C-FREQ.jpg
  • TA的每日心情
    开心
    2019-12-7 15:02
  • 签到天数: 8 天

    [LV.3]偶尔看看II

    4#
    发表于 2013-9-15 10:35 | 只看该作者
    于争 发表于 2013-9-13 13:070 Y2 [( f9 ]+ U- l: J: n/ t
    给一个单位长度电容随频率变化的图。
    1 \& e: l7 e0 r, W1 f' f9 I% j
    你的PDF密码好像不对

    / `# D0 ?( B2 }: B3 h% [大侠,您的新书什么时候发行呀,小弟想付费使用一本!!

    该用户从未签到

    5#
    发表于 2013-9-16 13:43 | 只看该作者
    于争 发表于 2013-9-13 13:07
    7 q9 M4 |& z) N+ I4 m  |给一个单位长度电容随频率变化的图。  n9 W" |% L# ~5 s3 |' _+ d
    * G% U. l. a0 Q6 p
    你的PDF密码好像不对

    3 N9 i6 B, Z/ u' M   这个是没变化的啊

    点评

    于博士一眼就发现了我的问题(现已更正),还是太年轻了没法系统的考虑问题  发表于 2013-9-16 14:20
    嗯,我当初是据此发的这个贴,因为在polar里面介电常数没法参数化,显示出的电容是个固定值  发表于 2013-9-16 14:15

    该用户从未签到

    6#
    发表于 2013-9-16 19:03 | 只看该作者
    qingdalj    非常感谢
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