半桥驱动芯片VS 箍压二极管疑问

liuhai2200 · 发表于 2013-8-25 09:30

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IR2114的VS负过冲最大是-5V(Logic operational for VS from VSS-5 V to VSS +600 V or 1200 V. Logic state held for VS from VSS -5 V to VSSVBS.)，在它的评估板中使用箍压二极管来防止VS的负过冲，如图所示。
但最后Bom中给的稳压管是10V/1W的，那么如果VS负过冲的话，VS电压能钳位在-10V左右，超过了-5V，这样没有问题吗？
还是说根据极限工作等级中VS的最小工作电压为VB-25，而VB最小是-0.3V，这样解释就没有问题了，麻烦高手解惑下，谢谢！
附件是IR2114评估板、IR2114的手册。

超級狗 · 发表于 2013-8-26 08:33

{:soso_e120:}

liuhai2200 · 发表于 2013-8-26 15:23

超級狗发表于 2013-8-26 08:33

好吧，These components are provided to make IRMD2214SS board as customizable as possible. In many
cases the extra components are not required.
但是，还是想明白箍压二极管到底对抑制VS负过冲是否有作用，烦请super girl解释下{:soso_e100:}

超級狗 · 发表于 2013-8-27 08:44

本帖最后由超級狗于 2013-8-29 00:08 编辑

我不是說有些器件實際應用是不需要的，而是比對芯片資料上的電路圖，COM 可以是負電平輸入，開發板是為了少做一組負電源較方便，所以它不使用負電源而接 GND。

小弟的愚見是，您寫的兩句話都對，唯一不同的是對某些文句的解讀。

Logic operational for V_S from V_SS - 5V to V_SS + 600 V or 1200 V. Logic state held for V_S from V_SS - 5 V to V_SS - V_BS.

這句話只說明邏輯工作電平的範圍，並沒有說負過激（Undershoot）就是 V_SS - 5V（約是 -5V），參見同一段話其後的說明。

For a negative spike on V_B (referenced to V_SS ) of less than 200ns the IC will withstand a sustained peak of -40V under normal operation and an isolated event of up to -70V peak spike (please refer to the Design Tip DT97-3 for more details).（注意 VSS 的定義是 Logic Ground！假如 COM 如果是負電平，箝位電路還是要拉到 V_SS。）

所以，兩個二極管構成的箝位線路（Clamping Circuit）選擇在 -10V 左右似乎也沒什麼不對。

V_S 的工作範圍是 V_B - 25V 至 V_B + 0.3V，不要再把 V_B = 0V 套進來計算，除非 V_B 就是等於 0V。

舉個例子︰
如果 V_B 是 30V，V_S 的工作範圍就是 V_B - 25V = 30V - 25V = 5V 至 V_B + 0.3V = 30V + 0.3V = 30.3V。

{:soso_e160:}

yelvpcb · 发表于 2013-8-27 09:28

楼上大神给力啊！~~

zqbing · 发表于 2013-8-28 19:38

超級狗发表于 2013-8-27 08:44
7 }- `8 u: |2 ~6 q/ S; w我不是說有些器件實際應用是不需要的，而是比對芯片資料上的電路圖，COM 可以是負電平輸入，開發板是為了少 ...

请教下，com端负电平输入有什么优点呢？

超級狗 · 发表于 2013-8-28 23:18

本帖最后由超級狗于 2013-8-29 00:08 编辑

zqbing 发表于 2013-8-28 19:38+ A7 K) t3 J1 C) ^8 P! c, A
请教下，com端负电平输入有什么优点呢？

呵！呵！想考倒我？以為我不知道嗎？

.............我真的不知道！

{:soso_e127:}

還好有 50GB 的過期狗糧倉庫。

{:soso_e110:}

Negative Power Supply to Increase Threshold Voltage: The use of a negative gate voltage to safely turn-off and block the IGBT is typically used in an application with nominal current above 100 A. Due to cost, negative gate voltage is often not used in an IGBT application below 100 A. Figure 3 shows a typical circuit using a negative supply voltage.

{:soso_e166:}

zqbing · 发表于 2013-8-29 08:22

超級狗发表于 2013-8-28 23:18
0 H$ w0 [; a3 s+ K呵！呵！想考倒我？以為我不知道嗎？: j* d5 q* q2 G4 E$ ?; j5 k

2 j# f9 {5 E7 s' ]3 f& I9 Z) `: Z.............我真的不知道！

{:soso_e179:} 多多指教

zqbing · 发表于 2013-8-29 08:26

斑竹有个问题真的想请教下，有没有做过电机等感性负载相关的项目呢，最近我遇到了一个头疼的问题，电机干扰好大，会影响到三极管VBE电压，影响正常的开关。，有没有好点的抗干扰措施呢？

liuhai2200 · 发表于 2013-9-1 18:58

本帖最后由 liuhai2200 于 2013-9-1 19:02 编辑

超級狗发表于 2013-8-27 08:44
. f2 ^/ i9 d0 ?6 k8 T3 ?& t我不是說有些器件實際應用是不需要的，而是比對芯片資料上的電路圖，COM 可以是負電平輸入，開發板是為了少 ...

非常感谢Super Girl的解答。
还有一点疑问，假设IR2114 的VCC供电电压是12V，母线DC电压是50V，那VB的工作电压是按12V算还是按62V计算？(COM接地，单电源供电)

yuzhoushenchu · 发表于 2013-9-1 21:15

VB 是boostrap的电压，当下管开通时，自举电容通过block二极管和下管充电，所以，VB的电压可近似认为是供电电压。

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