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DDR3中,DQ,DQS,DM信号串接15欧电阻

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1#
发表于 2013-8-17 17:53 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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如题,串接15欧电阻,起什么作用

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2#
发表于 2013-8-18 09:42 | 只看该作者
减少信号发射

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3#
 楼主| 发表于 2013-8-18 10:29 | 只看该作者
part99 发表于 2013-8-18 09:42 + L1 y' I1 e6 C5 z9 E
减少信号发射

- Y- l$ a0 E6 F& t( G从主板到连接器到内存条,阻抗都是匹配的,请问哪来反射?还请不吝赐教

该用户从未签到

4#
发表于 2013-8-18 14:29 | 只看该作者
反射无处不在,即使是embedded,阻抗也不是100%连续,PCB板厂最多也只能宣称10%的误差,何况你还有连接器?你查一查连接器S参数对阻抗的影响就知道了。

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5#
发表于 2013-8-18 14:33 | 只看该作者
我个人的经验看,对DDR3-1600,10欧姆的匹配比较理想,位置放中间或靠内存一侧为好。(以上数据来自TI的内存控制器+美光内存)

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6#
 楼主| 发表于 2013-8-18 15:08 | 只看该作者
part99 发表于 2013-8-18 14:33 % }( M. B2 P' i, y, a7 Z9 Q
我个人的经验看,对DDR3-1600,10欧姆的匹配比较理想,位置放中间或靠内存一侧为好。(以上数据来自TI的内存 ...

/ n- m# H6 d1 W5 V5 F! H- W大哥,如果是板载内存呢,这个电阻值是不是可以再小些

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7#
发表于 2013-8-18 16:02 | 只看该作者
sz_cheny 发表于 2013-8-18 02:08
: u5 t3 `  t# g# ?9 u  n, M大哥,如果是板载内存呢,这个电阻值是不是可以再小些

3 f% U8 o* v3 D4 u8 V4 d" |我说的10欧姆就是板载内存。

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8#
发表于 2013-8-18 17:42 | 只看该作者
依照 Super Go 的習慣, 叫一份狗糧來品嘗一下。

scba012a.pdf

105.15 KB, 下载次数: 214, 下载积分: 威望 -5

点评

有背後被捅刀的感覺!@_@  发表于 2013-8-19 09:03
头像被屏蔽

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9#
发表于 2013-8-19 09:01 | 只看该作者
提示: 作者被禁止或删除 内容自动屏蔽

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10#
发表于 2013-12-13 23:15 | 只看该作者
DQ,DQS,DM做串阻,没见过,最多是在控制端加上拉,ADDR源端加串阻匹配,阻值大小根据阻抗方程求得,末端加上拉。防止信号反射。

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11#
发表于 2014-8-23 15:39 | 只看该作者
DDR2中 DQS DM 信号线是做什么用的啊

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12#
发表于 2014-8-23 16:14 | 只看该作者
ChineM 发表于 2014-8-23 15:393 g+ Z6 Q4 c2 K  @3 t& L) M2 K
DDR2中 DQS DM 信号线是做什么用的啊
; m' z: N9 f; U6 y4 @
掩码信号!
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