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[请教版主]传输线入口处的电压Vi及反射系数在SI和RF两套理论里的公式差异?

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发表于 2013-8-16 10:50 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 fishplj2000 于 2013-8-16 10:55 编辑 9 k& ~( R* z1 ]) Y
# j+ Y/ y' |& e+ i
传输模型结构:" u- R4 Y5 _" f
              源(Zg) ----》   传输线(Zo)   -----》负载(ZL)
. a- ]+ y6 ]0 Y: Z                 Vs                      Vi                          Vo
3 T3 f% n) @. }) m关于传输线入口处的反射及电压Vi的计算,在信号完整性和微波理论里,计算公式有些差异。3 z2 d! C- e! C# M# w- ~: s; s0 u
' ~0 ], Y1 P% E1 ], n
从信号源出发的信号每次进入传输线时,输入电压计算:3 a6 _" E" G9 S9 Z1 u3 @, q  u6 u- J
信号完整性里面:
0 A* T. a/ u9 G% v, |& ~- i       公式1:        Vi= Vs* Zo/(Zo+Zg)        无视传输线后端的情况3 {! e9 y* @+ L' m' I
微波理论:" e0 p6 w  G3 P7 c* x2 E
        公式2:       Vi=Vs* Zin/(Zin+Zg)   其中,Zin为传输线(Zo,长度)和负载(ZL)的合成输入阻抗
4 L( I9 A* Z" D4 [  E
8 K- e0 i4 c3 m9 P2 Z. ~3 {在ADS里面仿真,传输线input端阻抗确实是传输线(Zo)与负载(ZL)的合成阻抗Zin,按照道理来说,Vi应该是按照公式2计算;2 V, ~8 D7 K2 T& E
可实际情况是,Vi是按照公式1来计算的!4 a, B- q5 R/ [, N
  仿真结构:         Zg=50 ,  Zo=50(1/4波长传输线)    ,    ZL=30      2 f, U7 @% w9 \' z0 I" Y
  激励信号:         Vi=1V阶跃信号
# _+ f, }9 p4 e& ?  测试结果:          Zin= Zo^2/30 =83.3     Reflective Ratio = 0.25 = (Zin-Zg)/(Zin+Zg)" A# N( F$ K+ ?) `0 z+ w9 L9 K
                          可是瞬时电压  Vi=0.5V , 符合 Vs* Zo/(Zo+Zg)  ,并不是 Vs* Zin/(Zin+Zg)3 x- \: W+ x) X# o6 S9 Z
为什么?如何理解? 或者说,这两个公式的应用差异在哪?4 j* }0 i# n% ~- M2 z0 X

# o' J0 H% T8 o3 s$ [ 1 j, W1 w3 |8 x0 S8 f+ U: }

/ n- v0 K3 _4 Q- _/ i" J/ E: N
& b2 q# _8 T. ]2 h. _
- I8 a3 Z( A  G5 q! ]  {+ j

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2#
 楼主| 发表于 2013-8-16 17:20 | 只看该作者
请见不同输入信号下,Vi的输出,用ADS仿真2 ]; E2 V# P# T2 m

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3#
发表于 2013-8-17 11:42 | 只看该作者
本帖最后由 Xuxingfu 于 2013-8-18 22:07 编辑 % E4 N  ~: y0 H. y

( @: I6 V3 r% |' x楼主的问题问的很经典,很好,但是指定版主回答, 鸭梨山大, 哈哈...
# \1 T( i3 z# H) J$ [- T" t
) I) _2 U7 x& u: J3 A首先射频和数字电路信号完整性的理论从来都是一套,SI/PI其实都是建立在射频微波电磁场理论基础之上的。, |8 l$ n7 M4 Q
/ X; E9 V" f. d+ Q) w# V: y
一个理论比较好的SI工程师,有射频微波基础比较好。
% v5 t' s5 z7 M
6 W4 Q4 J+ }, H# C" N, V射频理论里面的传输线理论其实也考虑和适用的数字电路情况,只是关注点不一样。$ E0 ^; y3 q$ b! D

9 f0 C  J: k. H# z0 y(1)射频传输线结构复杂,有各种形式耦合线,滤波器,功分器,微带巴伦等,而数字电路是信号复杂,结构就单端和差分;
# e! o6 A- }  O3 F% m$ S! j# Q2 M/ n" D# o/ O5 L* g
(2)射频关注稳态,数字关注瞬态。) C+ r6 u8 ^% e* @1 w8 D' A
1 ~' G- F% {" e8 e& P
(3)射频关注功率,数字关注电压。- i3 X7 O$ i6 {2 P; n) A6 M

* u  U* y3 S! x9 o% X(4)射频用LC匹配,数字用电阻匹配。( R5 r6 B1 A, O
3 V2 \* z, N$ ^+ P/ i, s. q+ R

& A. f7 _4 l7 M  i+ e" r1. 公式1为瞬态的,也就是TDR的原理。电压一次的波形。/ i2 r$ w' k, d$ c( w! P: y. r
2.公式2是稳态的,电压第一次,第二次,第N次的波形叠加。& t) g! e9 T( r0 y
也可以这样说,公式2其实是包含公式1的状态.
( S* s) _9 K9 i; F+ D! w* I+ @$ ~5 t$ _) B$ E
关于公式的适用性,我们一般的公式都是讨论正弦波状态,如下结果验证也适合阶跃和方波情况。
/ ^3 W) o% E5 [6 x/ T: [. i  X: q# K! I8 s
1. 正弦波,公式1,2计算都是OK的,Vi的波形起初是0.5V, 2.5ns后受到后面电路影响变为0.625V,也就是2.5ns以后出现了反射波叠加。
2 @$ h& G$ E0 f' H6 ?7 [% g! s8 o0 a- M- M
2.阶跃信号不匹配会出现过冲,幅度也会下降或上升,这要看反射系数的正负情况。
7 L9 c& M' a1 |$ K. A. Y9 z* X/ M( v! C7 E4 t
0.357V=0.5-0.125, |9 y: O& Q# J' ]

! G. ^  I. L: m/ W1 q稳定前过冲的波形和幅度值都会后很多种情况,如果E足够长,过冲会到0.5V, 求解比较复杂,需要傅里叶分解信号后叠加。4 L, t- ]5 u8 e' y4 ~; r
0 N6 e, v9 F. k5 K

) F/ L+ U$ {/ `9 Z" ?* {
+ y& }! w; b2 x% r  ]( \. H3.方波信号,你的问题就是这个疑问,为什么m1m2相等?
2 h$ A- z% [( m! C6 [
; a$ j. k4 F. q% Z$ A其实波形下边幅度已经畸变,正常的是0,反射后,方波起点-0.125,0.5+0.125=0.625,0 r$ Z, }# N: k! e  m$ P3 ?

7 f, S, t" k: [* o% M5 W方波的起点为正或者负,这个跟RL和Z0大小有关。Γin=(ZL-Z0)/(ZL+Z0),也是就是反射系数有可能为正,也有可能为负。
. i/ l6 Z- Y3 v5 n- O* I2 q4 K2 x0 |! j

8 Q, `6 I/ O9 f( M" S9 m3 b/ G2 k5 M" U
如果你设置为2G或你把E=90, 改为140不匹配的时候,会非常明显,波形如下:# [( R$ I; n, N, Q* w* \6 P% c9 e( S' r

# ]$ `# \, T3 }$ m: p& A   x" L3 i5 f" x/ F0 M! Q2 n+ {

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 楼主| 发表于 2013-8-20 09:39 | 只看该作者
Xuxingfu 发表于 2013-8-17 11:42$ P  E; @+ L. j. x5 {9 i
楼主的问题问的很经典,很好,但是指定版主回答, 鸭梨山大, 哈哈...4 X) B# r% U# R( a1 F6 G

  b# y8 R" z+ n4 _8 G0 q3 ^首先射频和数字电路信号完整性的理 ...
% c. u& T* }0 ?* f  t+ U
非常感谢版主热情、细致的回复与专业的解答
: c& B+ O( j2 q$ `版主真是太好了,{:soso_e179:} 超赞一个{:soso_e113:}

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 楼主| 发表于 2013-8-23 08:54 | 只看该作者
Xuxingfu 发表于 2013-8-17 11:42
4 H0 K  S; a) w4 _  @+ X6 y楼主的问题问的很经典,很好,但是指定版主回答, 鸭梨山大, 哈哈...! ]1 v* P8 C: ?, R/ i; z0 w
/ W& c# i& C8 P7 d; S1 a
首先射频和数字电路信号完整性的理 ...
0 I/ l4 s5 ~. ^0 l! v0 U( ]9 r
再请教斑斑一个疑问:1 T! {$ q1 M* u. M4 P5 s6 ~
       在射频书里面,Vin是入射波Vin+和反射波Vin-的迭加合成信号,Zin是Vin+和Vin-共同看到的阻抗,Vin-是来自于负载,所以Vin除了看到Zo外,还看到了ZL,即所谓的合成阻抗Zin。
. Y/ h6 G, w- p1 c6 @+ X  M        射频关心高频模拟信号,而SI关心高速数字信号
( f% j: [+ l+ I$ l& s' Z$ g( b) e        数字信号关注上升沿和下降沿,电路只要不产生逻辑误判就行,可能第1~n个bit上升沿都没有碰到反射回的脉冲信号,但总有第n+1个bit上升沿会遇到并迭加反射脉冲,那么第n+1个bit后的脉冲数据的发射端就感受到负载的影响了,相当于同时看到了Zo和ZL

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6#
发表于 2013-9-2 23:15 | 只看该作者
本帖最后由 Xuxingfu 于 2013-9-2 23:17 编辑 5 ?; C$ @% B/ N, R) ~7 k* T' o
: d0 `5 I+ r3 C2 l' b* D% p, G
对于1G方波信号,分解频率为多次谐波,如果电路是匹配的,那么1  3  5..谐波也是匹配的,Zin是相同的额。
- p$ Y) t! M  I: T4 D: M* D8 `+ D6 D3 S8 {! s4 ?
如果不匹配,各个谐波频率点的Zin是不同的,组成上升沿的各个谐波感受到的阻抗是不同的。
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