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不同功放参数对比测试条件设定的疑问

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1#
发表于 2013-7-10 18:19 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
在固定的电源供电电压和负载下,根据Vout=Vin * Av,当在不同的Av下得到相同的Vout,测量对应的功放SNR、THD+N、频率响应、不平衡度、分离度等参数是不同的。
6 t; D5 o7 h3 L5 ?/ Q在对比测试两个不同的功放,为了尽量保持测试条件的一致性和对比的有效性。我们应该选取固定的Av还是固定的Vin作为参考呢?
# m; C8 s5 E+ h' R希望大家给点建议,谢谢!
& o. g4 B3 f8 o* {
) A' K2 s' G, d2 @% F此外,从TI的芯片数据手册中看到如下测试数据。9 @7 O( c0 p+ h, p/ E
这里的Av和Vin一般是什么样的条件呢,数据手册中没看到对应的说明。

QQ截图20130710181857.png (31.52 KB, 下载次数: 4)

QQ截图20130710181857.png

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2#
发表于 2013-7-10 23:20 | 只看该作者
先解決第二個問題!
/ n: e/ E+ Z' X# u* e8 O! h9 R
' @6 e3 Z  A" N, c) s- a8 L) DOperatinal Amplifier Noise Density Test Circuit
1 @8 I8 I. i4 z' \1 o) W0 m: d: k* C* a
也是踢哀(TI)的技術文件講的!% |4 ]  C3 T0 j# }+ P! f1 o# e
) Q& l1 z4 e9 G" D7 V) ^. Q' M' Q0 m- z
; S2 D0 I* M3 m$ e; p7 }

) C* p. ]/ A# M: O4 c9 L

Operational Amplifier Noise Density Test Circuit.jpg (91.34 KB, 下载次数: 13)

Operational Amplifier Noise Density Test Circuit.jpg

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3#
 楼主| 发表于 2013-7-11 09:00 | 只看该作者
超級狗 发表于 2013-7-10 23:20 7 e, l3 K7 Y% _8 Z. n6 L
先解決第二個問題!
) Q9 y) z  R# f1 B  r# R8 \1 b9 J/ W9 x
Operatinal Amplifier Noise Density Test Circuit

3 N& [3 _# \/ q你说的是Av=1的意思么?愚钝,望明说{:soso_e113:}

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4#
发表于 2013-7-11 17:12 | 只看该作者
OrangeJD 发表于 2013-7-11 09:00
4 y+ o3 x% `/ \& d' d你说的是Av=1的意思么?愚钝,望明说
% |+ T% G3 e" h/ F( U
您只是愚鈍,小弟是愚蠢!
- W8 ~7 a, H8 J/ p
) ]9 i# U( i$ E" R, P" `{:soso_e127:} " [  i7 k* T8 w( L8 {

* ?" m6 }' F0 D運放的雜訊會隨增益(Gain)一起被放大,很多運放的特性都是設定在 Av = 1(Unity Gain)下的表現。
: h6 x7 h$ N9 y9 B( v
' X- x5 V: q! w* @& G+ b如果兩個放大器要做比較,觀念上來說應該先固定增益,然後改變輸入大小來觀察輸出差異。2 |! q' N. o! Z: }- u- A- N
- [3 L. {8 \1 ~3 g5 [. |1 G
{:soso_e172:}

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5#
 楼主| 发表于 2013-7-11 18:47 | 只看该作者
多谢大神指教

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6#
发表于 2013-7-17 15:48 | 只看该作者
有学习了一招
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