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不同功放参数对比测试条件设定的疑问

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1#
发表于 2013-7-10 18:19 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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x
在固定的电源供电电压和负载下,根据Vout=Vin * Av,当在不同的Av下得到相同的Vout,测量对应的功放SNR、THD+N、频率响应、不平衡度、分离度等参数是不同的。
1 x" s/ P0 n% J0 ~9 l在对比测试两个不同的功放,为了尽量保持测试条件的一致性和对比的有效性。我们应该选取固定的Av还是固定的Vin作为参考呢?0 z) r8 \- s* G$ m! f" H4 B
希望大家给点建议,谢谢!
6 V4 l/ z6 z# V+ _5 e
( e- g3 t: K# L& e3 R此外,从TI的芯片数据手册中看到如下测试数据。
( d  z8 F' ?- h/ k$ I' @这里的Av和Vin一般是什么样的条件呢,数据手册中没看到对应的说明。

QQ截图20130710181857.png (31.52 KB, 下载次数: 2)

QQ截图20130710181857.png

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2#
发表于 2013-7-10 23:20 | 只看该作者
先解決第二個問題!
3 ^, w# g5 W( Z6 K5 x$ o4 I2 v
5 m$ \5 r- c5 M5 B( q) k; VOperatinal Amplifier Noise Density Test Circuit
, s9 E9 [  h1 w* @! w) @$ v) J4 y6 k( `& }1 J2 Q
也是踢哀(TI)的技術文件講的!
3 B" Y7 s8 s7 `
' z! J6 c6 f  Z: f) G! y  w- X% U1 N6 l, u

7 F; j7 h( e  `8 x1 F

Operational Amplifier Noise Density Test Circuit.jpg (91.34 KB, 下载次数: 11)

Operational Amplifier Noise Density Test Circuit.jpg

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3#
 楼主| 发表于 2013-7-11 09:00 | 只看该作者
超級狗 发表于 2013-7-10 23:20
/ B5 |7 ?  N& h8 J) q先解決第二個問題!
3 Y; O7 i- {5 w9 D1 `9 Q5 r5 L- |( ^- e% w* ~% i+ i2 \  O- g+ E
Operatinal Amplifier Noise Density Test Circuit
6 \! }9 f' }' J4 g- [0 t
你说的是Av=1的意思么?愚钝,望明说{:soso_e113:}

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4#
发表于 2013-7-11 17:12 | 只看该作者
OrangeJD 发表于 2013-7-11 09:00 8 D) N# H4 U" P  E
你说的是Av=1的意思么?愚钝,望明说

  Q0 o( u. U; \  ^$ }您只是愚鈍,小弟是愚蠢!" b. D, o9 X4 ~2 h7 W0 d

% k5 q' k: z% `8 N4 g. c{:soso_e127:} ) ]0 ?8 I' p4 W; U$ z
7 o9 J9 k" `: a" y) n  n8 n
運放的雜訊會隨增益(Gain)一起被放大,很多運放的特性都是設定在 Av = 1(Unity Gain)下的表現。, z8 p9 V) ?5 A; T$ u

- S- J; m! |: ]6 V; U如果兩個放大器要做比較,觀念上來說應該先固定增益,然後改變輸入大小來觀察輸出差異。- j# ?  l/ ^0 {

; j: D6 h, [; [{:soso_e172:}

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5#
 楼主| 发表于 2013-7-11 18:47 | 只看该作者
多谢大神指教

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6#
发表于 2013-7-17 15:48 | 只看该作者
有学习了一招
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