MOSFET的寄生二极管

liuhai2200

正常情况下，MOSFET的寄生二极管压降是0.5左右，如果测得的值是0.2左右，是否就有问题，前提是同一批芯片。

simplees

寄生二极管压降你都能测试得出来。。。。。。。！全体敬礼

liuhai2200

simplees 发表于 2013-6-13 22:35
3 n2 B& u6 a: }; P: r寄生二极管压降你都能测试得出来。。。。。。。！全体敬礼

* y* B# K5 G, c$ i3 t3 u拿N-MOSFET为例，用万用表二极管档点测源、漏极(红笔接源极、黑笔接漏极)，不知方法是否正确，请高手指正！
谢谢！

kully

有规格书指示该body diode压降是0.5V？最好是以实际电路测试D，S对参考点电压。
, ]0 {9 Z( G2 P! e/ n8 v) u& b一般不会有那么大的压降才对。

simplees

我看了一些测试的资料；测试出来没有价值。这些参数我认为厂家都未比测得出来

liuhai2200

liuhai2200 发表于 2013-6-13 23:02
) r+ P2 ~5 C  O( W- B/ ^; [拿N-MOSFET为例，用万用表二极管档点测源、漏极(红笔接源极、黑笔接漏极)，不知方法是否正确，请高手指正 ...

好的，谢谢Super Girl，这个确实没注意到栅极电平问题，改变下测试方法！

liuhai2200

kully 发表于 2013-6-14 07:58
1 j9 {0 V* ~' h. `有规格书指示该body diode压降是0.5V？最好是以实际电路测试D，S对参考点电压。
# s) Y& R, T2 T1 b2 @0 V* a& A8 {一般不会有那么大的压降才 ...

- v( {1 Z0 [7 Y0 b1 m) v) ^好的，谢谢！
3 v7 }6 ~1 l  mMOSFET的手册都会有体二极管的参数说明，我这是从板上拆下来MOSFET测得的，有可能是有问题的片子。

liuhai2200

simplees 发表于 2013-6-14 09:38
* |. E7 K# H; O" E% h我看了一些测试的资料；测试出来没有价值。这些参数我认为厂家都未比测得出来

; b/ j7 k& \0 [嗯，好的，谢谢！{:soso_e100:}

Vincent.M

* W& i, V* L" d4 y- M5 {9 F

liuhai2200 发表于 2013-6-13 23:02
拿N-MOSFET为例，用万用表二极管档点测源、漏极(红笔接源极、黑笔接漏极)，不知方法是否正确，请高手指正 ...

: M. y5 |) C: u& s! l! G
1 D- B4 ^7 W7 }7 c. {  u: ]% I以我的认知，万用表是测不出MOSFET的body diode forward voltage的。
6 |! u. I  y* H' z1 [1 B1 f打开任意mosfet的datasheet，可以看到这个寄生的二极管的压降测试是有严格的条件的。
8 g3 d( O3 S! f: |
一般用curve tracer去测。
" q7 Y  b, `2 B. R# V) a设置peak voltage；
附加可调串阻
  q8 x: ?6 O1 l5 O& `2 m设置极性；
( a: e: I2 }6 p0 h) O7 _/ b; h设置pulse特性。
2 c' F! t# H/ f
2 `/ {! p* G3 ]) A/ p  x
即使你使Vgs=0，万用表测得也不能与datasheet上的体二极管压降作比较，因为测试条件就不同，用来判断极性，万用表倒是可以。

liuhai2200

Vincent.M 发表于 2013-6-15 16:39
/ t( b7 F" D: ?/ A+ @* J以我的认知，万用表是测不出MOSFET的body diode forward voltage的。
& ~  f# C. }" W1 t打开任意mosfet的datasheet，可以 ...

5 ?& _/ ], ]" u3 L好的，谢谢Vincent，还这么细心的把图贴了。
: s! Z* ]- n5 N* D说下我的理解：芯片Datasheet的很多参数都是在一定的条件下测得的，但这并不意味着你用别的方法就测不了，当然我不是做芯片的，可能我的方法确实不太科学，当然你说的测试方法应该是严谨的，谢谢你！
" y- q0 M" p% j8 l9 V7 `% N1 u最后我想说的是，经过我简单的测试，得出个结论：如果栅极悬空的话，是会影响测得的体二极管压降值；如果栅源短接测的话，体二极管压降基本差不多！