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本帖最后由 超級狗 于 2013-6-5 12:42 编辑 `& E: k U# J2 B& R& t( O
chenlinfeng88 发表于 2013-6-4 19:17 : ~& i, W) K0 h8 y2 w2 P( k" }
版主,方便把你们的案例给我学习下吗?等了一天 & q# I% D6 n0 U4 @3 e& r6 _5 K
8 ]4 R+ T" ~5 J5 j' d太忙忘了回!
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4 F) ]# M$ O6 a) z, T5 ?{:soso_e127:}
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4 K. U* V- ?, W# e我們遇過幾個會當機的狀況,排除軟件和貼件的問題,和內存有關的有三個。. J& \3 C% }3 H* e
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- 客戶 DDR 內存資料線 D8 走線過長(比最短的資料線長 800 mil)。
/ C, u& W! y' u" b這個問題在低溫測試時 DDR 內存會發生錯誤,且錯誤位置一律發生 D8。 - DDR 內存 Driving Strength 太強。
1 {2 f* \! R6 @- Q此種狀況是不斷重覆做 RAM Test 時,偶爾會有錯誤發生。DDR Driving Strength 是可以透過軟件調整的,而且同一個值不一定能適用所有廠家。例如 A 廠家用 1/2 Driving Strength 沒問題,但 B 廠家要用 1/4 Driving Strength 較穩定,這種狀況是有可能的。(大部份是適用同一個值,但偶有例外。) - NAND Flash 有偵測不出來壞區塊(Bad Block)。
' q- H- `& r9 \1 q7 |這個問題後來送回原廠分析,他們說是出廠做測試時,沒把所有的壞區塊都找出來。
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9 i! o( q! D6 H: `- o要查這種問題,自己發展內存測試軟件(Memory Test Software)是有必要的!% N+ {3 d3 z1 i8 ~' d" A9 e
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