关于MOSFET的一些问题

milliman

1.请问Q11如果Vgs给的电压太小,不是会限制Id电流吗？假如12V所使用的电流超过所限制的电流，会造成什么问题？我是不是需要去调整Vgs的电压？

* F, B0 Q6 e" W8 K' L* h2.另外Q12原来的电路图是用8805，我查8805的Datasheet，最大差别在于8805的Ic可以到1.5A，因为我只拿来在截止跟饱和区，Ic电流不到10mA，我改成3904会有影响吗？耐电流越小的Transistor，应该比较便宜吧？
2 ]0 Z7 b/ q2 H% K
& y# Y6 B+ h. S" x1 D3.Q12我可以改用MOSFET吗？我在网路上看到的电路，这一颗都是用Transistor。

/ `" N0 h+ Y: Z5 D8 ~0 l4.MOSFET的Datasheet会有下面这些敍述，只指他可以工作在这些电压吗？因为我看到有些MOSFET虽然Vgs MAX可以到+/-12V，但它郤没有Vgs=10V的敍述，而有些Vth MAX是2.2V，郤没有Vgs=2.5的敍述，这让我感到很困惑。

RDS(ON)=25mW (typ.) @VGS=10V
RDS(ON)=32mW (typ.) @VGS=4.5V
/ u0 m1 o3 H+ t) BRDS(ON)=40mW (typ.) @VGS=2.5V
RDS(ON)=65mW (typ.) @VGS=1.8V

linfire

1、这个MOS管是起开关作用，如果电流超过限制电流，应该更换MOS管，改用更大电流的MOS管；
+ g3 O1 D# N6 R0 g2、可以直接用3904替代；
3、可以替换成MOS管，但没有必要浪费
* k9 N3 I7 \. M" R4、MOS管，你要考虑的是Vds,Vgs,Id等,你罗列的那些参数是Vgs的电压，Rds 的电阻及损耗。
# E# ]0 j) w& |个人见解，希望可以帮到你

milliman

谢谢您的回答！关于第4点我想再请教一下：

a.Id的最大电流，跟我给的Vgs电压有关系吗？像下面这个表格是SI2305的规格，假设Vgs我给固定的-1.8V，是不是指Id最大电流就只有+/-2A，如果我的最大电流量超过+/-2A的话，会造成什么问题？
1 {4 y: _8 D8 b# u( h# I
8 Z, W; ]- x6 V1 m; B7 J0 _3 L4 H7 g- x, B# pb.假设我的最大电流量为3.2A，是否就要将Vgs加压到-4.5才能让Id最大电流可以到+/-3.5A？

c.我看到有些Datasheet：
# l; f" ^& N3 `2 Y* }+ I没有标示Vgs=+/-10V的最大电流，只有标示Vgs=1.8V,2.5V,4.5V。
有些只有标示Vgs=2.5V,4.5V。
  G3 Y8 L3 \7 s6 f/ M还有些只有标示Vgs=4.5。

举两个例子：
我看到Vth MAX =2.2V的MOSFET郤没有标示Vgs=2.5V时的Id最大电流。
$ Z- x8 y) |' m* J8 R& Y4 m6 F  h0 k而Vgs最大耐压有到+/-12V的，郤没有标示Vgs=10V的Id最大电流。
0 r. Y0 d% ]7 |* n' n4 X" ]5 a
; [5 U* i7 G) W; ?6 h这是因为Vth比较大，以及Vgs可以承受的最大耐压不同的关系吗？但因为上面这两个例子，让我又很困惑。
; X- }3 b1 `% k

0601

47K有些大，建议换到100欧以内的电阻

lance_hnu

Q12仅仅作为开关作用，没必要花更大的成本选择MOSFET。

lance_hnu

Q12仅仅作为开关作用，没必要花更大的成本选择MOSFET。

reval

% n- g1 Y0 C# g% u  q
- y# S% q# e1 ^* X. @8 |Q12换成MOS的话，电路的稳定性会好一些。

2 c  Z* r" ^& V7 j% b) Q那个47K的阻实在太大了，用MOS的话可以短了，或者改成小于100R吧。

kevin890505

1,必须有关系，Vgs越大，导通电阻就越小，自然通过的电流就越大。这个Vgs=1.8V时候是2A，此时Rds=88m欧，超过2A，很明显功率就会超过176mW，超一点可能不会坏，但永远不要这么用，这样的电路咋个工作。超的多了，你的MOS就是电炉子了。
2，同第一个，最大电流3.2A，你必然要保证MOS工作在正常范围内，那么你的Vgs就要符合datasheet上的参数，貌似是Vgs=-2.5时候电路i是3.4A。从你1L的图看，你的Vgs=9V多，没太大问题的。电压低了，同样的电流也低了，具体的你看你的最低电压估算下留点余量就OK了
3，关于有些只有标示Vgs=4.5，或者2.5  具体没资料，不过这个参数没有也没关系，MOS和三极管资料上肯定有线性图，这才是重点。

linfire

Id指的是MOS管的最大电流，设计时不能超过这个电流。

milliman

楼上有些前辈建议把47K改成100以下，我试算了一下，Vgs假设我控制在-4V，于是把R412的10K换成50，分压的结果：
Vgs=-4V
5 v4 z7 A3 J6 O* FVR413=8V
Ic=8/100=80mA
如此一来，电流变大，没必要的消耗功率不是会增加吗？还是我乎忽略了什么地方？

kevin890505

milliman 发表于 2013-5-14 10:34
' S5 ~3 x# L! T/ O- A# I楼上有些前辈建议把47K改成100以下，我试算了一下，Vgs假设我控制在-4V，于是把R412的10K换成50，分压的结果 ...

纯粹蛋疼行为，你的电阻47K+10K=57K,Ice最大即为12V/57K=0.2mA，3904放大倍数约为100，那么Ib为0.2mA/100=2uA 即可让三极管达到饱和状态，B极取0.7V，控制端SHDN取3.3，那么流过基极电阻的电流Ib=(3.3-0.7)/R414 >2uA即可，也就是说你的电阻R414<1.3M欧姆即可，这只是估算，取余量，实际取值三五百K之内都可以保证三极管完全打开。

请铭记

这个电路咋看是可以起到开关的作用，大概算算下面的Q12根本不起作用呀，根本原因楼上也说了，电阻分压的问题，但是具体的没有仿真过，可以肯定的是效果肯定不好，欢迎各位扔砖、、、

wangshilei

我只说一句，在电压比较低的电源供电电路中，开关MOS一定要选择低压低阻的管子，开要彻开，关要彻关是设计要点。 比如楼主的电路，你电压也只有1.2V，估计你是给CPU核心供电的，这种应用，你负载上要放大点的电容，防电压波动。必定MOS是有内阻的。    其实更好的办法是选择控制电源IC的CE脚，这样效果好