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[仿真讨论] 2分支和3分支拓扑对比_结果却出乎意料

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发表于 2012-11-2 08:57 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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本帖最后由 zhu_ally 于 2012-11-2 16:24 编辑 5 Z* W) E% h+ P$ Z( B* H+ p- I" W
, ^% [+ T2 p; _/ t1 i# z; U* C
前段时间对2分支和3分支拓扑结果进行仿真,想通过仿真来了解内部的机理3 H0 D# [' c. C
用TDR来查看相同拓扑分支长度为4ns/4ns 和2ns /4ns的波形
8 R+ p5 a% `0 G分支长度为4ns /4ns的拓扑* o* T# ?# w! r) L
& P5 ~& S) V( u3 W* `4 c( p
接收端和发送端的波形
4 r4 e* @0 q6 S5 h* M; b# G7 D/ g % r$ K4 d2 ^$ u9 N8 x7 {% q
INP1接收端波形
' U1 n4 K% a* K9 W6 c% Q7 m/ r
$ P% S2 w: H- g4 ~7 M. ?0 v波形图反射理论分析
/ @7 @$ z% A/ q0 U- }! L分支长度相同情况下的波形,查看波形无负反射,从时间上和幅值上都传输线反射理论相符,
3 W9 \( y  k! i8 a0 i2 ~% o% A传输过程,信号经过14ns  幅度为1.334  经过8ns  后幅度增加 445.519
3 `) ^( a1 r$ U+ |* `! e  x6 Q5 U9 S: k+ D' P% A8 T* X
理论计算:1×2/3×2=4/3=1.33333V7 G3 V6 q4 ]$ z( @3 a' E/ E8 `$ U0 P
          信号反射INP2 的 2/3的入射 减去 INP1的-1/3的反射8 h- ]- T. M& Z7 F! a! S' q( U0 G: {
          2/3×(2/3-1/3)×2=4/9=0.444(和测量数字0.445比较接近)
7 d, ~* d, u2 Y8 T电压的下凹点应该是接收芯片的MOS管DS  和GS寄生电容导致         
- y/ b$ j  l( S0 g1 n* @4 C3 O% ?电压尖峰凸点,是由末端开路传输线容抗的突然缺失引起的。2 C3 T6 {, G1 z. z) N

4 X: m( b. E+ T, {  c+ U按常规理解,我们将TL1传输线分支由4ns更改为2ns信号的波形将会变好,我们仿下波形
) `+ q9 I! T1 a/ s8 g! {' @ 7 ^/ P& q6 K: q4 K( `9 h0 u

( m6 k7 V5 @+ \+ N& f/ c, x4 j由上图可知波形明显不如分支是4ns/4ns的情况,我们开下对比图
9 B0 L+ }5 J$ c% ^( L& H+ W$ D8 `
9 C: |5 f2 Y+ K5 j' j7 L/ d# x: n- ^
0 R3 _( i4 V1 t因为有次培训,有为老师说2分支好,2分支会形成驻波。但在网络上查看了些关于拓扑的资料也有用3分支的。$ H& X  K3 j: P* g$ H7 w: T2 ?
与就像搞清楚到底哪个好,机理又是什么。& R2 ~+ O# F$ S" z$ G- [
下面我们看看3分支的拓扑和仿真结果1 D6 d) W- Q6 N" |

: j4 N) L9 |* F3分支的波形
1 a& e3 w* }$ }& X
$ f% y0 f9 i2 ]' Y; h( ~$ D3分支也能够有驻波的效果,负反射在节点处被抵消了% d" v" f- V+ m7 v* I% f5 c4 ^4 Y  q
" \- o! D8 b: ?3 F" M+ F3 e* R/ D
2分支和3分支等长的对比波形& |. l7 M* J& T$ x' x  Y

9 G/ b! ]( x* H9 Z等长度目的是为了使分支接的信号都为正反射信号,从而避免产生振铃
! R3 N; T, I6 X9 R' E7 u# \& b, b" x9 ^结论:二分支和三分支,本身的差异并不是很大,关键是各个分支要等长且对称.
. q2 l2 N% ], S. [  }0 x  a4 K6 x

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