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本帖最后由 zhu_ally 于 2012-11-2 16:24 编辑 ' ]0 l. u$ d9 I( p
( W8 }, m; H& D, T+ u8 Y6 @+ ^) e
前段时间对2分支和3分支拓扑结果进行仿真，想通过仿真来了解内部的机理
1 x* X' N) L( \9 l. F* W+ s9 e3 r0 V用TDR来查看相同拓扑分支长度为4ns/4ns 和2ns /4ns的波形& k/ [" V* C3 q& @! a
分支长度为4ns /4ns的拓扑
2 E) y, A n/ I: s# H ?! M9 Q
/ {, E: N4 c9 S6 p' v接收端和发送端的波形
' d5 B# X6 W/ |( U, C0 _+ P
% k' u# ~" J! W1 K' VINP1接收端波形. |: n* ~ M% ~, h, |& f# z! Q
) m! x0 Y8 V2 r9 s0 |波形图反射理论分析
) W$ g, m: q! x- a- M7 m$ b分支长度相同情况下的波形，查看波形无负反射，从时间上和幅值上都传输线反射理论相符，
! X$ q6 }5 ~ ?( I2 L0 E传输过程，信号经过14ns 幅度为1.334 经过8ns 后幅度增加 445.519/ Q5 H7 `& A% r: U! E" I" N
! _0 T3 _! X6 s p理论计算：1×2/3×2=4/3=1.33333V
- x; F1 [/ Y/ A2 Y 信号反射INP2 的 2/3的入射 减去 INP1的-1/3的反射' ?& |- `7 Q" |+ [2 j
2/3×（2/3-1/3)×2=4/9=0.444（和测量数字0.445比较接近）+ ]7 H- p5 O$ T6 e& O& ^5 h
电压的下凹点应该是接收芯片的MOS管DS 和GS寄生电容导致
; Y' Y* d0 i) J, @3 V/ W- [电压尖峰凸点，是由末端开路传输线容抗的突然缺失引起的。
$ V$ l! W) s8 f( |* W
# }. w8 Z1 i4 I按常规理解，我们将TL1传输线分支由4ns更改为2ns信号的波形将会变好，我们仿下波形5 _! D& q! l+ d- _: K2 T
O+ C& ^' _+ @3 ]2 g
2 [- \6 g& k6 n* J x
由上图可知波形明显不如分支是4ns/4ns的情况，我们开下对比图
) g- t* s5 T# e5 C( P
- ~/ p5 F4 o" ]. G% `
2 K( ?" S1 c! R( S% a; }
因为有次培训，有为老师说2分支好，2分支会形成驻波。但在网络上查看了些关于拓扑的资料也有用3分支的。
& Y: t, [" `5 C/ d/ Z. {与就像搞清楚到底哪个好，机理又是什么。$ @8 I' H/ M: K0 M9 p. V
下面我们看看3分支的拓扑和仿真结果
& n! C: N1 c8 C- ~6 B
( V3 D; a7 J/ D3分支的波形9 v6 ]( T P0 h$ {+ `' A
5 m; i2 D2 W" L( P: G& k6 G+ _4 P0 e
3分支也能够有驻波的效果，负反射在节点处被抵消了
( P" {- F" b. W/ r; c2 G& L
+ T2 G) K7 k- U! ]$ W) H# l2分支和3分支等长的对比波形$ {# x) w# U/ w9 o
2 Q0 E8 l" L: _! B& z+ `等长度目的是为了使分支接的信号都为正反射信号，从而避免产生振铃
5 c& x; h# y* |& m8 f5 N0 E5 \结论：二分支和三分支，本身的差异并不是很大，关键是各个分支要等长且对称.
5 ` ~. k( z- C |
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发表于 2012-11-2 08:57
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