DDR3寄存器

qaf98

) x. w6 C; q- v6 [1 L
最近在测试DDR3寄存器，
9 `. |5 v2 C+ O
寄存器设置CPU&DDR3 ODT OFF,
' I8 T& \! N, F$ U6 @" q4 D8 s3 D1：测试发现DDR3 WRITE的PK-PK=2.2v     read==1.4v
0 q- u6 V# Q! i: P我感觉write波形幅度太大，仿真发现如果ddr3 ODT==60ohm, 电压幅值会减小到1.5v,看规范也是满足要求的。

$ o# ~7 ?5 l, a; R8 d9 h/ V1 l, A故我去调节MR1 第9 6 2位，发现改后都没变化。

( ~- \3 U+ D+ v不知还需要改什么寄存器。请高手指点。

willyeing

DDR3颗粒上的ZQ有没有电阻240R到地呀，如果这个没有咋调节都不会有的。

willyeing

好像没有了，还有就是初始化时序不对，还有测量一下ODT控制信号是否会出现高电平，或者直接把这一位拉高，看是否有变化。

jknothing

我的理解是，对于DDR3。如果你需要调整write level,则需要调节的是CPU这端的输出阻抗（DRV），对应DDR端的ODT的值只是起阻抗匹配的作用（影响较小）
如果需要调整的是read level，那么如果调节的是DDR端的ZO(这个输出阻抗一般都只有34和40两个值，通常设34达到最大输出），CPU端的则是调节是ODT的值（也是起阻抗匹配的作用）

qaf98

调出来了，设定ODT 值后，还有enable 寄存器。

, X6 m5 I* ^+ S7 s! d  |3 n9 A6 D7 ijknothing 的建议，我太赞同。
ODT的影响还是很大的，电压幅值差值达到几百MV哦，这对SSN也会影响较大。

gavinhuang

看不太懂楼主的问题，不过把我对DDR3的一点了解说一下吧，仅供参考：
8 [0 J& e$ l; {5 {8 o6 A不过我觉得先要分清write level和read level指的是谁向谁写，从哪里读吧？一般的，write level指的是CPU向内存颗粒写，read指的是CPU从内存颗粒上读东西。
1. write时，CPU端的ODT为disabled，也就是 ODT OFF，内存颗粒上 ODT 为enable，具体的阻值依情况而定，CPU的design guideline会有相应的介绍吧
7 }$ m. `7 v6 y& d% w2. read时，CPU端的ODT为enable，阻值也是依情况而定，而内存颗粒上ODT disabled
/ S0 q8 B- }3 ?! Z所以你write时，在内存颗粒ODT为enable的情况下，调节其ODT值，电压幅值的变化应该比较明显
% G( D+ s. L! R* ~$ J7 \, A
再次声明，仅供参考，希望没有误导你

jknothing

可能我的原话有点问题，ODT的值一般来说在四层及以上板的设计中都是60或是75欧（CPU及DDR端）因为PCB的DDR处的走线差不多特性阻抗就是这个值，当然像六楼所说，如果说你调ＯＤＴ的值的话。幅度会有变化。可是这种变化由于阻抗不匹配，容易造成信号的过冲及失真。最好是通过示波器观查波形来得到正确的结查，不过一般来layout没有大改，板层结构没有大变的情况下是不需要调节的。所以我们一般都不调节ODT的值。在DDR3里。常规的做法是调ODV,也就是CPU端的输出阻抗，这个阻抗越小，输出驱动就越大（在写周期）信号幅度就越大，可是功耗也就大了。
7 M- u9 u$ O$ Z' A! V% `% y' {$ T所以一般来说。我们都不去调ODT及ODV的值，只是在信号完整性很差的情况下板子不稳定的情况才会去调试用。然后更新PCB。 一家之言，供参考。

eda-chen

gavinhuang 发表于 2012-11-9 23:19
+ C9 o& {% \' F' k9 z- n% {看不太懂楼主的问题，不过把我对DDR3的一点了解说一下吧，仅供参考：
3 z! u# c6 n  t$ q) N" N不过我觉得先要分清write level和rea ...

6 k: W: F3 n4 M7 ~+ X8 G& u+ x* Y难道仁兄也是hyperlynx出生？？哈哈，{:soso_e181:}