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请教晶振的输入和输出电容值的设计问题

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1#
发表于 2012-9-22 21:24 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
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2#
 楼主| 发表于 2012-9-22 23:07 | 只看该作者
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3#
 楼主| 发表于 2012-9-22 23:08 | 只看该作者
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4#
发表于 2012-9-24 09:08 | 只看该作者
C1和C2并联加上shunt 为18PF正好22pF
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5#
 楼主| 发表于 2012-9-24 11:16 | 只看该作者
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6#
发表于 2012-9-24 13:57 | 只看该作者
edajf 发表于 2012-9-24 11:16 % y6 `0 R4 {  E  B
我就是想知道这个“shunt capacitance”这个是什么 意思?
$ D3 `" g/ Q4 b+ s- o
所谓的寄生电容

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7#
发表于 2012-9-25 10:57 | 只看该作者
寄生电容吧,来自芯片和PCB,一般的资料上说来自PCB上的寄生电容有2~5p

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8#
发表于 2012-9-27 18:33 | 只看该作者
I think attached  file that can help you

Crystal High drive issue.pdf

340.25 KB, 下载次数: 111, 下载积分: 威望 -5

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9#
发表于 2013-2-22 16:51 | 只看该作者
这个问题,还没得到解释吗?我也想求真解。5 M% s/ D  J8 o0 @5 u  z

. P3 [4 Y8 ^. ]: x0 E2 y; K/ U通常我是直接按照规格书中提到的负载电容来接。比如18pF

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10#
发表于 2013-2-22 22:35 | 只看该作者
SHUNT CAPACITANCE是静电容C0

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11#
发表于 2013-2-24 20:44 | 只看该作者
C0是静态电容,是晶体两面的平行板电容,22pf是估算的,要考虑布线后的走线电容和IC的引脚电容。总的来说就是parasitic capacitance and stray capacitance。另外要考虑驱动功率不能大于规格书上的最大值,负阻要足够大。

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12#
发表于 2013-2-26 18:28 | 只看该作者
xin_515 发表于 2012-9-24 09:08
( k& W5 n, z. q( F5 `% \C1和C2并联加上shunt 为18PF正好22pF
) l) s' @& [0 g) `
应该是并联才对
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