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【国产替代】ARK(方舟微)DMZ42C10S 完美替代 英飞凌BSS169

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    开心
    2022-12-22 15:43
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     楼主| 发表于 2025-3-6 14:44 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    本帖最后由 ARKmicro 于 2025-3-6 14:47 编辑 & N$ j" G, B9 D, g1 x0 l* x
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    【国产替代ARK(方舟微)DMZ42C10S 完美替代 英飞凌BSS169
    1、 DMZ42C10S产品简述
    DMZ42C10SARK(方舟微)研发的一款耐压100VN沟道耗尽型MOSFET产品,该产品性能优异,可靠性高,且参数定义范围InfineonBSS169基本一致BSS169DMZ42C10S具有更低的导通电阻,以及更大的电流能力,可以对BSS169实现Pin-to-Pin完美替代。
    2、DMZ42C10S与BSS169对比
    1) 封装形式对比
    file:///C:/Users/admin/AppData/Local/Temp/ksohtml7808/wps22.jpg        file:///C:/Users/admin/AppData/Local/Temp/ksohtml7808/wps23.jpg
    1. DMZ42C10S封装类型及电极脚位              图2. BSS169封装类型及电极脚位
    DMZ42C10S和BSS169均为SOT-23封装,且D、G、S电极分布完全一致。
    2) 主要静态参数定义范围对比
    Item
    BVDS
    VGS(OFF)
    ID(OFF)
    IGSS
    RDS(on)
    RDS(on)
    IDSS(Min)
    Test condition
    VGS=-10V,
    ID=250uA
    VDS=3V,
    ID=50uA
    VDS=100V,
    VGS=-10V
    VGS=20V,
    VDS=0V
    VGS=0V,
    ID=50mA
    VGS=10V,
    ID=190mA
    VGS=0V,
    VDS=10V
    DMX42C10S
    100V
    -2.9V-1.8V
    0.1uA
    10nA
    Type: 1.2Ω
    90mA
    BSS169
    100V
    -2.9V-1.8V
    0.1uA
    10nA
    12Ω
    Type: 2.9Ω
    90mA
    *上述数据来源于两款产品的数据手册。
    DMX42C10S各项参数的定义范围与BSS169基本一致。
    3) 样品参数实测对比
    Item
    IGSSR
    IGSS
    ID(OFF)
    BVDSS
    VGS(Off)
    RDS(ON)
    IDSS
    Test condition
    VGS=-20V
    VGS=20V
    VDS=100V
    IDS=250uA
    ID=50uA
    IDS=50mA
    VDS=10V
    VDS=0V
    VDS=0V
    VSG=10V
    VSG=10V
    VDS=3V
    VG=0V
    VGS=0V
    DMZ42C10S
    0.208nA
    0.203nA
    0.002uA
    114.6V
    -2.4V
    1.78Ω
    530.6mA
    BSS169
    0.375nA
    0.438nA
    0.002uA
    149.8V
    -2.1V
    5.93Ω
    217.3mA
    DMZ42C10S具体更低的导通电阻和更大的电流能力,BSS169的实际耐压高于DMZ42C10S(注:ARK(方舟微)已经开发出了实际击穿电压与BSS169相近的升级款产品,后续即将推出)
    3、耗尽型MOSFET产品在应用中对标的主要特点说明
    耗尽型MOSFET在绝大多数应用中,都是工作在亚阈值状态下(即栅-源电压VGS满足:VGS(OFF)<VGS0V),此时耗尽型MOSFET的参数具有如下特点:
    a. 导通电阻RDS(ON):亚阈状态下导通电阻是变化的,且会明显超过VGS=0V时的电阻值(规格书中给出的电阻参数);但是当MOSFET工作在直通状态时,导通电阻越小,则会带来更低的电压降,且相应具有更大的电流能力。
    b. 阈值电压VGS(OFF):只需要满足电路驱动电源要求以及电路参数要求即可,如搭配运放使用时,只要符合运放的驱动输出范围即可;如搭配电阻实现限流的应用,通过调节限流电阻的阻值,也可以使用不同阻值的电阻达到相近的限流需求。因此,不一定需要完全一样的阈值电压参数才能实现对标替代;
    c. 电流参数:一般主要关注耗尽型MOSFET在一定栅极偏压下的饱和电流大小(相对综合的参数)是否能满足电流的电流需求,饱和电流越大,则越能适配大电流下的应用。
    因此,对于耗尽型MOSFET的替代选型,通常“参数是否一模一样”并不是对标选型的固定标准。
    4、DMZ42C10S的典型应用方案介绍
    a. DAC芯片/传感器调理芯片供电并提供过压保护
    DMZ42C10S适合用于传感器、智能变送器中,给DAC芯片、传感器调理芯片供电,并为负载电路提供浪涌防护,典型应用电路如下:
    file:///C:/Users/admin/AppData/Local/Temp/ksohtml7808/wps24.png
    3. DMZ42C10S给AD421供电及提供过压保护的典型电路方案
    b. 恒流/限流应用
    DMZ42C10S适合用于构建简易恒流源,以及用于构建限流单元实现过流保护,典型应用方案如下:
    file:///C:/Users/admin/AppData/Local/Temp/ksohtml7808/wps25.png
    3.DMZ42C10S用于构建恒流及限流保护单元的典型方案

    ) r8 H( |& Z4 B( U8 a: p

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    发表于 2025-3-7 11:24 | 只看该作者
    怎么申请样片

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    可以联系我司市场部同事:15994769483(李先生),18280230341(胡小姐),更多型号可以关注官网及公众号查看:https://www.ark-micro.com/  详情 回复 发表于 2025-3-27 16:06
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     楼主| 发表于 2025-3-27 16:06 | 只看该作者
    VeraS 发表于 2025-3-7 11:24( U+ I- y+ G$ D, n
    怎么申请样片
    6 G0 [5 R7 d4 d6 A. h
    可以联系我司市场部同事:15994769483(李先生),18280230341(胡小姐),更多型号可以关注官网及公众号查看:https://www.ark-micro.com/
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