2025国产MOS管：极低导通电阻、BVDSS_typ=55V更适合12V输入电路

幕刃1

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& |/ Y: Y8 g# j* |) p3 F: f针对12V输入电路的产品电路设计，需要有更高的电压安全系数。这一款2025年新推出到市场的国产MOS管以BVDSS_typ=55V的参数性能帮助解决上述问题。
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/ S; w# @& G: G- O" o" ]( y8 h它的创新性设计是基于已有成熟的产品体系而来的，可以稳定且可靠的应用于各种12V输入的逆变器、12V输入的音响电源中。

它就是飞虹半导体首发新品FHP1404V型号MOS管，正是拥有上述特点，而且还拥有极低导通电阻，让其可以无缝代换CS1404、IRF1404PbF、HY4004、FTP1404型号场效应管。

% F' o+ t( o1 JFHP1404V作为N沟道增强型场效应晶体管，它采用先进的沟槽技术，降低了导通损耗，提高了开关性能，提高了雪崩能量。

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该晶体管可用于各种功率开关电路，产品外形是TO-220封装，符合JEDEC标准，在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。
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下述将围绕FHP1404V场效应管的产品特点、友商参数对比、推荐应用范围、部分典型特性曲线来介绍：

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4 e( D$ Y( y6 B9 m9 D1 R! z& ~一、产品特点
) J7 Q6 V! H% ~; W+ U/ d3 O0 B! l. P- P# }（1）100% Rg测试。
（2）100% EAS测试。
5 r5 ?5 E& O6 p* T: D- H( q（3）100% DVDS瞬间热阻测试。
（4）采用细化分档Vth,进一步提高了产品的一致性高。
( R  }9 }& }/ u8 ]9 x9 q+ |( J（5）通过采用特色的trench工艺，结合优秀的封装BOM材料和生产管控，产品满足工业级需求。
（6）拥有极低的导通内阻RDS(on)，FHP1404V的导通内阻典型值相比IRF1404PbF的低44%。导通损耗低。
8 s/ Q2 F+ U, j9 K（7）雪崩耐量高，抗冲击性能强。
（8）FHP1404V拥有更高的电压余量，BVDSS_typ=55V，应对12V输入电压系统，电压安全系数更高。
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; P, ]2 h. O$ T1 q* {2 K二、友商参数对比
; V! f3 X, |( J7 R: c3 a8 v（1）与HY4004相比拥有更低的导通内阻，降低了导通损耗，同时提高了品质因数FOM(RDSON*Qg)，性能更优。
+ g3 e. F& I( `0 s（2）与IRF1404PbF相比，降低了导通损耗，栅极电荷更小（160nC vs 210nC），开关速度更快，可提供更高性价比的国产化替代产品。
（3）与CS1404、FTP1404对比导通电阻更优，适合追求极致效率和电流能力的产品。
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三、推荐应用范围
（1）高频逆变器应用：12V蓄电池输入的车载高频逆变器中的DC/DC推挽拓扑升压电路。
- |1 x4 _4 K- J3 F( V（2）适合12V的全桥拓扑结构的太阳能工频离网逆变器应用。
（3）适合12V输入的音响电源中的DC-DC推挽拓扑升压电路。
. s; L4 F& {. J: K& f/ U; z. d9 l# i（4）适合12V蓄电池供电的UPS不间断电源。
0 v5 R* Q+ ]) {$ t! B（5）适合大功率高频开关电源上的同步整流。

四、部分典型特性曲线

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' Y- y1 J; y, w6 k对于常需要用于高频逆变器、UPS电源、同步整流等领域以及针对需要12V输入电路设计的产品建议可以多看看这一款优质的国产化MOS管。
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FHP1404V超低导通电阻、高电流能力、优异热管理，适合高功率密度应用（如大电流逆变器、UPS），在同领域产品中适合追求极致效率和电流能力的电路设计。
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