|
|
EDA365欢迎您登录！
您需要 登录 才可以下载或查看，没有帐号？注册
x
为什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件？
2 j* R& V) U( t( n' r |
4 F: }" { ~2 k! g" M9 r4 J6 V在现代电力电子领域，器件的选择对于系统性能至关重要。650V SiC（碳化硅）MOSFET作为一种新型的功率半导体器件，正在逐步取代传统的超结MOSFET和GaN（氮化镓）器件。这一现象背后，蕴含着材料科学、电子工程和电力电子技术的深刻变革。本文将从多个维度深入探讨650V SiC MOSFET为何能够成为超结MOSFET和GaN器件的有力竞争者。% p2 O! v0 m# Z, \
8 _; ?, j$ {& F7 N
首先，从材料特性上看，SiC具有显著的优势。SiC的禁带宽度是硅的3倍，导热率为硅的4-5倍，击穿电压为硅的8-10倍，电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。这些优异的物理特性使得SiC器件在高温、高压、高频应用中表现出色。相比之下，传统的硅基超结MOSFET虽然在制造工艺和结构上有所创新，但在材料本身的限制下，其性能提升已接近极限。而GaN器件虽然也具有较高的电子迁移率和饱和漂移速度，但其生长工艺复杂，成本高昂，且在高温长时间续流情况下，反向电流能力急剧下降，限制了其广泛应用。+ l; d, S2 S. Y: s- d
3 h$ l& l9 L3 O# }6 G650V SiC MOSFET的高温稳定性尤为突出。在高温环境下，SiC器件的导通电阻上升幅度远小于硅基器件，这意味着在高温应用中，SiC MOSFET能够保持较低的导通损耗，提高系统效率。而超结MOSFET虽然也具有一定的高温稳定性，但在极高温度下，其RDS(ON)（导通电阻）的上升会对散热提出更高要求。此外，SiC MOSFET的Ciss（输入电容）明显小于超结MOSFET，这使得SiC MOSFET的关断延时更小，更适合于高频率的开关应用。
# D) U- I, @" \ }7 S9 R超结 (Super Junction, SJ) MOSFET 缺点在算力电源，AI电源，双向逆变器等要求越来越高的应用场合，缺点越来越突出：
+ P) ^1 ^' B. S* d: H) N9 w& f* ]" z超结 (Super Junction, SJ) MOSFET复杂制造工艺问题: 超结 MOSFET 的结构复杂，需要在制造过程中精确控制掺杂浓度和梯度，这使得生产难度加大，成本较高。
0 y3 w3 e/ K, Z% _, K( S( N% @3 V4 t% @超结 (Super Junction, SJ) MOSFET热稳定性问题: 尽管其导通电阻在常温下较低，但超结 MOSFET 的导通电阻在高温环境中会显著上升，这可能导致效率降低和散热问题。. r; p) x3 ?1 J; |2 U; x0 a
超结 (Super Junction, SJ) MOSFET开关速度问题: 相较于SiC MOSFET，超结 MOSFET 的开关速度稍显逊色，在高频应用中可能不如这些竞争对手表现优异。# ^& H* a! u* u" h* P0 h( |
超结 (Super Junction, SJ) MOSFET寄生电容影响问题: 超结 MOSFET 的寄生电容较大，特别是输入电容，对高频开关性能会有一定影响，增加了驱动电路的复杂性。& b& p. z8 `3 R' d: I1 r
超结 (Super Junction, SJ) MOSFET应力敏感性问题: 由于其超结结构的特性，应力分布不均可能导致器件在高压或瞬态电压条件下产生较高的电场峰值，增加器件故障风险。
' T' o: J. u9 H4 N \7 N4 X1 p8 u& g1 l+ [0 m+ E
BASiC国产基本公司40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!* t0 z1 s9 r) ]3 [$ Q7 N
BASiC国产基本公司40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET系列产品，B3M040065H,B3M040065L,B3M040065Z高性能，高可靠性和易用性，高性价比，同时提供驱动电源和驱动IC解决方案！/ A" \, u( D! `: K
BASiC-B3M040065Z_Rev_0_0.pdf
(2.34 MB, 下载次数: 1)
BASiC-B3M040065L_Rev_0_0.pdf
(2.8 MB, 下载次数: 0)
BASiC-B3M040065H_Rev_0_0.pdf
(2.28 MB, 下载次数: 0)
6 u. U9 C; X. Q7 D( F- O4 o在开关损耗方面，SiC MOSFET同样展现出显著优势。由于SiC材料的高电子饱和漂移速度和低介电常数，SiC MOSFET的开关速度极快，开关损耗极低。相比之下，虽然GaN器件也具有极快的开关速度，但在实际应用中，由于GaN的驱动电路面临着高频响应、电压应力、热稳定性等挑战，其开关损耗的优势并不总是能够充分发挥。特别是在硬开关长时间续流的电源应用，GaN的反向电流能力急剧下降，所以不得不选用更大余量的GaN器件，相对成熟且成本持续下降的的SiC MOSFET，GaN器件性价比进一步恶化。5 k, P/ H* c+ _3 [! W: h: ?7 r7 D6 Z: @
随着设备和工艺能力的推进，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。
1 b7 _' g! d" I8 f: v1 D) tGaN氮化镓器件面临散热管理困难: GaN 器件虽然可以在高温下工作，但其相对较低的热导率给散热管理带来一定挑战，增加了系统设计的复杂性。
6 ~4 _+ s: i) t) ?# L/ r, @GaN氮化镓器件面临可靠性问题: GaN 器件在长时间高功率运行情况下的可靠性还有待进一步验证，特别是在极端环境下的稳定性方面仍需更多研究。GaN氮化镓器件面临材料缺陷敏感性: GaN 的材料缺陷对器件性能影响较大，制造过程中需严格控制材料质量，增加了制造难度。GaN氮化镓器件面临单粒子效应 (SEE): 在空间和高辐射环境下，GaN 器件容易受到单粒子效应的影响，可能导致失效。" K" f& d9 J6 {6 R1 I* b
0 |" Z2 A+ v& q% h- j, f
咬住必然，勇立潮头！BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三个必然，勇立功率半导体器件变革潮头：
4 K* t9 @1 q0 u# H% M% h( @7 p5 ]$ ~+ X- p( s% `2 G+ ^. z
BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块的必然趋势！# k* R; K. [8 K% w6 V ~
BASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管的必然趋势！
, S2 w0 e5 L* E$ ]9 o7 vBASiC基本公司代理商倾佳电子杨茜咬住650V SiC碳化硅MOSFET单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN 器件的必然趋势！8 `4 M" Z9 F' N; P; z3 v
- A% n, F8 {4 k$ I2 ~
BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗，以及更高可靠性等优越性能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。
5 v3 n# D4 \0 _6 ?! j' k8 D& l4 z; i( z- ?9 s
综上所述，随着基本公司650V SiC碳化硅MOSFET成本大幅度降低，已经在双向储能，服务器电源，算力电源，工业电源，图腾柱PFC，OBC等应用加速全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件。- h/ P+ J9 \/ J: C* N V
b3 w4 x8 w( i1 D1 g: u, Q" B2 }( {- w! L& z
|
|
/1 
楼主
收藏
淘帖
支持！
反对！
发表于 2025-2-5 10:40