放假前的三个问题，THX

QWE4562009

放假前的三个问题，THX
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" W) N6 W, z$ S3 _1.氮化镓的优势是体积小耐压高？内阻做不低的吗？
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+ f; r4 j7 `7 S1 X7 {8 J2.主回路发生短路的时候，通过D16拉低控制端从而Q405、Q5断开，保护后级电路，这是什么原理？实际测试测试也是可以拉低控制端的。这种短路保护的方法可行不？有哪些更好的办法实现短路保护，短路保护不是过流保护！！！
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3.NMOS和PMOS的防反接电路设计有哪些区别和好处
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QWE4562009

狗哥你要招兵买马吗?  

八戒爱电子

氮化镓（GaN）的优势主要体现在体积小和耐压高两个方面。氮化镓材料具有出色的电子迁移率和击穿场强，使得氮化镓器件可以在高频率和高功率密度下工作，从而大大减小了器件的体积。同时，氮化镓器件的耐压性能也很强，能够承受更高的电压而不被破坏。

超級狗

0 v+ V: y! N( @1 w

氮化镓的优势是体积小耐压高？内阻做不低的吗？

比爛的！
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超級狗

氮化镓的优势是体积小耐压高？内阻做不低的吗？

比好的！

超級狗

氮化镓的优势是体积小耐压高？内阻做不低的吗？

氮化镓（GaN FET）的優點不只這些，你要自己發掘！


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超級狗

氮化镓的优势是体积小耐压高？内阻做不低的吗？

幹菲特（GaN FET）介紹！

小弟的菜英文，請大家忍耐一下。

QWE4562009

超級狗 发表于 2025-1-22 08:05
比爛的！

0 f/ L7 {' l- L啥意思呢   内阻几百个毫欧是很大的啊  
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