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[仿真讨论] TDR 起始点和结束分别是哪里

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  • TA的每日心情

    2025-1-23 15:06
  • 签到天数: 527 天

    [LV.9]以坛为家II

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    1#
     楼主| 发表于 2024-12-3 17:36 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式

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    x
    HFSS中,看TDR,起始点和最终的点对应的值分别代表板上哪个地方呢?我改变线宽,起始点也会变
  • TA的每日心情
    无聊
    2024-10-15 15:13
  • 签到天数: 10 天

    [LV.3]偶尔看看II

    推荐
    发表于 2024-12-18 09:40 | 只看该作者
    仿真模型太小的话,PORT端口要平移外扩,设置deembedding加大模型,这样起始点就从设置的阻抗开始

    点评

    感谢大佬。这个设置的阻抗是指port端口吗  详情 回复 发表于 2024-12-20 17:25

    该用户从未签到

    3#
    发表于 2024-12-3 18:38 | 只看该作者
    我是小白,最近也遇到这个问题

    该用户从未签到

    4#
    发表于 2024-12-4 08:59 | 只看该作者

    " S5 A+ }4 P& P& {0 Q我是小白,最近也遇到这个问题,求懂得大佬来解决。
  • TA的每日心情
    郁闷
    2024-12-12 15:02
  • 签到天数: 39 天

    [LV.5]常住居民I

    5#
    发表于 2024-12-5 10:13 | 只看该作者
    我是小白,最近也遇到这个问题
  • TA的每日心情

    2025-1-23 15:06
  • 签到天数: 527 天

    [LV.9]以坛为家II

    6#
     楼主| 发表于 2024-12-5 17:01 | 只看该作者
    大家都困惑这个问题,懂的老大讲下吧,谢谢啊

    该用户从未签到

    7#
    发表于 2024-12-6 16:31 | 只看该作者
    JDVB32674099673
  • TA的每日心情
    奋斗
    2025-1-23 15:00
  • 签到天数: 58 天

    [LV.5]常住居民I

    8#
    发表于 2024-12-13 17:58 | 只看该作者
    起始点不是port吗?我还没有注意到过呢

    点评

    比如模型是这样的,SMA-PCB刚接触-正常带线。起点就是SMA的阻抗,是吧,然后益变化的地方就是与PCB接触的地方,是吧  详情 回复 发表于 2024-12-20 17:24

    该用户从未签到

    9#
    发表于 2024-12-14 22:50 | 只看该作者
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    % f$ j+ s3 O' B& e8 C, s
    7 n; P& q2 W  Q001《ADI实验室电路合集》(第二册)---ADI公司
      p0 f" f2 P5 @9 N  v7 _" X002《ADI实验室电路合集》(第一册)---ADI公司
    : E% P0 @" _8 Q5 P& \% W4 G$ i: r/ b003《Analog Circuit Design:Art, Science, and Personalities》---Jim% C0 N' I+ g7 t8 a6 I  {/ i
    004《Analog Circuit Design》---Bob Dobkin
    * w+ x6 r/ l2 k- s4 R$ n+ T7 h. `005《CMOS模拟电路设计》---P.E.艾伦' w7 o: p2 R: M: o
    006《Designing Control Loops for Linear and Switching Power Supplies》---BASSO$ C% h  U2 l) Y# c% D# z
    007《Digital Control of High-Frequency Switched-Mode Power Converters》--Luca1 h5 `- i9 ~$ ?1 |% @5 t  e. T- y
    008《EMC测试指标及方法》---同洲% x4 [+ N4 D! J% l' z# \4 ]
    009《EMC电磁兼容设计与测试案例分析》郑军奇编著; m% A* r2 u! w: Q* N  S% {
    010《Integrated EMI Thermal Design for Switching Power Supplies》--Wei Zhang
    2 V( b; }0 B3 U/ i3 q- M, _011《Magnetics Design for Switching Power Supplies》---Lloyd H.Dixon
    2 [) |+ E( @' ], i  T  Y012《mos运算放大器原理设计应用》---李联" j8 w: P1 H1 x- |, {2 i  e
    013《OP放大电路设计》---岗村迪夫8 |, v4 M- d8 a7 @/ |  z
    014《Python物理学高效计算》
    # A" q2 ~+ c  [  T2 ^015《Switch mode Power Supply》Handbook,ThirdEdition
    3 ]( {! l% M7 Y' g. n8 o016《Switching Power Supplies A–Z》 ---Sanjaya
    4 l: M' \- I( m2 i% U& ]017《Switching Power Supply Design》---Abraham
    ' ~9 l/ U. y/ n+ _  }. w018《The Circuit Designers Companion》(2nd Edition)---Tim williams
    % D3 t' v2 F3 B' z- Y019《变压器与电感器设计手册》(第3版)Colonel Mclyman著 龚绍文译
    ) I( i, |) O2 L& p. I020《测量电子电路设计》滤波器篇---远坂俊昭
    - l& h. g( q: A. i: D021《单片机数据通信典型应用大全》---刘坤. K" a4 W+ f+ h/ R4 e( ~9 W" g
    022《第2卷 通用模拟电路》---中国计量出版社1 r) u) y1 T9 S
    023《电磁兼容测试方法与工程应用》---赵阳/ A  C- w! a0 o0 C
    024《电磁兼容导论》(第2版)---Clayton R.Paul著 闻映红译2 t2 h2 ]  j+ ]4 B6 J$ l& w
    025《电磁兼容的印制电路板设计》(第2版)Mark著 吕英华译
    # Z% F: ]' T+ d4 g2 [026《电磁兼容和印刷电路板  理论、设计和布线》Mark著 刘元安译( M) ?' q& s* `1 y0 F4 I
    027《电磁兼容性结构设计》---吕仁清
    9 R2 f; r, m9 v" X4 W028《电力电子系统电磁兼容设计基础及干扰抑制技术》钱照明
    5 i0 O6 @; |3 l5 F- ^029《电路》(第六版)James著 冼立勤
    # _' \6 x; c5 C8 {. ]! m6 `030《电路设计技术与技巧》(中文第二版)---吴佑寿译- y) K" j! i% d# m6 c) J* A
    031《电路识图从入门到精通》---孙立群
    $ q9 j) ^$ Q& Y, n032《电容器手册》陈永真,李锦 著 电子书
    , Y  Z* q1 Q  r  C& J1 A033《电源电路识图与故障分析轻松入门》---胡斌+ k9 a2 G, p6 t2 ?
    034《电子电路基础》---谢沅清
    + G2 F  E8 b* A9 |; [035《电子电路实用抗干扰技术》---诸邦田. u- z8 O" O( Y6 d
    036《电子电路原理》(第2版) Burns著 董平译
    / t, T: O& |/ q8 K1 z  o037《电子工程师必备:九大系统电路识图宝典》---胡斌2 W0 ^3 @9 c0 S) @% k
    038《电子技术学习方法和分析思路轻松入门》---胡斌
    0 d( K5 T: j5 I$ ~0 G1 ~; b/ ~! o039《电子学》(第2版)Paul著 吴利民译
    ! L- q9 R7 P4 ~8 t1 }040《电子元器件的选择与应用》三宅和司著 张秀琴译
    . Z6 x5 ~9 p6 {- o( G041《电子元器件应用技术:基于OP放大器与晶体管的放大电路设计》---日本黑田彻著
    & @6 n( j% J$ M) d042《放大器电路识图入门突破》---胡斌- d* ?0 c! A! t) s- n( p
    043《负反馈放大器》---日本斋藤彰英3 \6 |1 @- ?7 c  ]
    044《高速数字接口原理与测试指南》 李凯 清华大学3 q, V" y/ y8 A! S0 f9 q
    045《高速数字设计》Howard著 沈立译8 e* j( ~7 `/ @- e# G6 D) j
    046《工程电磁兼容》---Prasad Kodali著 陈淑凤译: F* T; v8 d, e( V4 `/ [
    047《工程师技能速成宝典--电子工程师必备》---胡斌
    8 \0 r9 O- B- V8 y( O048《功率半导体器件的原理和应用》(中文版)% @- ?4 t1 s* W' V. X+ v
    049《基于运算放大器和模拟集成电路的电路设计》---赛尔吉欧著作 刘树棠译
    7 W, D$ Y+ c+ h) `, @050《集成电路应用识图方法》---赵志杰  J) [) l$ i( h
    051《集成运放应用电路设计360例》---王昊
    ' M/ D$ l6 w% ~052《晶体管电路设计》(下)---铃木雅臣, R6 Y1 o( _; J7 r9 n% \; p; {
    053《晶体管电路设计》上---铃木雅臣6 D1 R! l+ X% {- o; [# \
    054《精通开关电源设计》--Sanjaya 王志强译
    / c" G: \7 N+ `8 j055《开关电源的电磁兼容性设计与测试》---钱振宇
    $ H6 P0 f5 J1 _. {056《开关电源基础知识》---TI公司
    4 d$ S# B( U& a' _* ~" P057《开关电源入门》---Raymond著 谢运祥- W* {$ A! A* T
    058《开关电源设计》(第3版)---Abraham著 王志强译
    ! c8 y: P. w, f2 j7 h* ^059《看图巧学数字电路入门》---姜有根6 E3 h  ]& N+ E  R" u1 ~  B9 @
    060《模拟电路应用设计》---胡圣尧
    % s6 F7 l# _5 v+ ?9 v061《模拟工程师口袋参考书》---TI公司
    7 f# w" h- Y5 D062《你好,放大器》---杨建国 西安交通大学, k* D+ n% G6 A. M3 |; P* M
    063《嵌入式硬件设计》Jobn著 徐君明译/ n6 b7 y9 T5 H4 X7 W, s1 E
    064《射频模拟电路》---张玉兴, u+ N  H4 f& Z" Z' t1 R/ M" N9 T
    065《实用模拟电路设计》Marc T.Thompson著 张乐锋译
    : w1 `- b  c" m2 I+ \$ R066《实用射频技术手册》---Ian Hickman著作 张弘译% u/ ]/ c9 ]) K5 a* `6 P6 h- m- T
    067《实用无线电设计》袁杰
    . N# P  ~- Q- r5 }/ {7 A8 u+ j068《数字电路和数字系统实验与课程设计实训教程》---杨萍
    8 A' K+ C( U+ V* G# }& ^069《图解运算放大器电路》---日本 内山明治6 }& m: r" ^3 U+ W; j9 V8 c
    070《微电子电路设计》第4版 [(美)理查德C.耶格,(美)特拉维斯N.布莱洛克著]
    6 X% N2 o  o5 Y7 d071《信号完整性指南:实时测试、测量与设计仿真》
    , t0 i2 C! Y/ e& {* r% N* ?6 ~072《信号与系统》(第2版)---刘树棠译
      H$ x& |0 g5 B* k6 A073《信號完整性揭秘》-于博士SI設計手記; S4 t, U, E# u$ i3 }
    074《仪表放大器应用工程师指南》---ADI公司: j5 ?- j% e! J  K
    075《应用电磁学基础》(第4版)---Fawwaz著 尹华杰译
    # X0 o5 x& ]. ~5 k8 }8 M076《元器件应用宝典--电子工程师必备》---胡斌
    * b# c9 m8 B& P- t* Q8 M5 `) b  y077《运算放大器规格参数的应用和测量》---ADI公司
    $ ^  C, t' l, g, g! ?9 k078《运算放大器权威指南》(第3版)Bruce Carter 姚剑清译
    % ]% u8 ~9 N& s0 C0 [- S+ \079《运算放大器应用技术手册》---美国 Walt Jung! }. h4 r) [0 |1 C7 _' _/ \3 y
    080《在真實世界中的EMI控制》By Bruce
    4 Q0 F% h  A1 J5 G& x" g081《怎样使用运算放大器》---英国 E.A.帕尔! j& o5 A/ U2 E7 c% [+ M+ a+ Y+ _
    082 电子元器件综合知识大全2 A) X8 [6 V8 c3 V9 z
    083《开关稳压电源的设计与应用》日本 长谷川彰8 ?1 ]% N! J- f
    084 频谱仪原理与使用---刘波 南京通信工程学院
    ! p$ o- n; N* \! @  z9 y085 《高速数字电路设计及EMC设计》
    7 }+ a# P# j4 \  z5 Z0 X% J6 m% D086 《产品设计中的EMC技术》第三版---Tim Williams / Z' w# U& [$ L) @2 Z) v0 G  i
    087 《Cadence高速PCB设计实战攻略》 李增,林超文,蒋修国 著 2016年版- i) a* \0 V" ?  J# W
    088《电力电子变换和控制技术》 陈坚(华中科技大学)
    ) y( D3 b# |: W; Z1 ?' E089《开关稳压电源的设计与应用》 日本长谷川彰
    & G) m/ D# O7 Y/ m* ^! T: {" k090《ADS信号完整性仿真与实战》蒋修国  W( e4 V0 Y* W2 I" [/ q9 Z
    091《电子学》 第二版 霍罗威茨 高清书签版
    , d' T4 w: ]4 s& z/ Q092《The Art of Electronics》(电子学第二版英文版)
    2 z* G5 n3 k4 j+ S1 I
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    [LV.9]以坛为家II

    10#
     楼主| 发表于 2024-12-20 17:24 | 只看该作者
    Trunktren 发表于 2024-12-13 17:58
    ) g4 K; J( B7 y6 C& A9 u6 u7 j起始点不是port吗?我还没有注意到过呢

    5 V* t/ J3 f/ d, I# ^比如模型是这样的,SMA-PCB刚接触-正常带线。起点就是SMA的阻抗,是吧,然后益变化的地方就是与PCB接触的地方,是吧
    & r+ v/ i* q2 x

    点评

    差不多是这样的,反正设置端口在哪儿就是起点,9楼说的加嵌去嵌之后看到的阻抗就是起点或者终点的阻抗。一般阻抗一变化的位置就是那儿了,因为只有那个位置的传输线结构变化了。根据TDR阻抗变化的位置的时间和传输线  详情 回复 发表于 2024-12-21 18:52
  • TA的每日心情

    2025-1-23 15:06
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    [LV.9]以坛为家II

    11#
     楼主| 发表于 2024-12-20 17:25 | 只看该作者
    xiaor 发表于 2024-12-18 09:40
    . P. o/ d& u; I! P7 A4 [  O# j- X5 k1 z仿真模型太小的话,PORT端口要平移外扩,设置deembedding加大模型,这样起始点就从设置的阻抗开始
    " ~4 z" h. d( s
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    奋斗
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    12#
    发表于 2024-12-21 18:52 | 只看该作者
    limiao 发表于 2024-12-20 17:24
    3 v4 _$ W; R( G% t4 L% \1 x比如模型是这样的,SMA-PCB刚接触-正常带线。起点就是SMA的阻抗,是吧,然后益变化的地方就是与PCB接触的 ...

    & V1 S' y3 B- \1 ~差不多是这样的,反正设置端口在哪儿就是起点,9楼说的加嵌去嵌之后看到的阻抗就是起点或者终点的阻抗。一般阻抗一变化的位置就是那儿了,因为只有那个位置的传输线结构变化了。根据TDR阻抗变化的位置的时间和传输线延时计算一下,时间上是不是差不多来确认是不是那个位置。
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