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飞虹半导体针对逆变器、DC-DC转换器、电机控制和驱动的厂商需求,推出国产MOS管新产品:FHP1906V型号。
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' _3 _# k& C! Q! U6 NFHP1906V作为N沟道增强型场效应晶体管,它采用先进的沟槽技术,降低了导通损耗,提高了开关性能,提高了雪崩能量。4 I7 Q/ N7 z w& P
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! x X5 j0 i0 O8 N6 {该晶体管可用于各种功率开关电路,实现系统小型化和高效率。产品外形是TO-220封装,符合JEDEC标准,在环保上符合RoHS和REACH标准、无卤环保。6 z' q5 `9 U1 O* ?( d, p
+ T& U9 E. h; q! e# e下述将围绕FHP1906V场效应管的产品特点、友商参数对比、推荐应用范围、部分典型特性曲线来介绍:
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) l" I/ H6 g$ v0 S g9 d. t一、产品特点' B4 \+ @( s$ k
1、100% Rg测试。: U' Z, t3 p j# ^# ^. _
2、100% EAS测试。8 z* k/ M0 ?* \& T0 _
3、100% DVDS热阻测试。
+ J6 E# @( a* D6 ^) Z4、雪崩耐量高,抗冲击性能强。7 P; i- S5 z3 D1 T3 z
5、采用细化分档Vth,进一步提高了产品的一致性高。
9 |5 b5 `. M( F9 U6、拥有极低的导通内阻RDS(on),优秀的品质因子FOM(RDS(on)*Qg)。
2 a" |3 h o5 v* [7、通过采用特色的trench工艺,结合优秀的封装BOM材料,使产品拥有高可靠性,开关速度快。: j4 \7 N, z4 ?+ B u
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二、友商参数对比6 M0 j6 M0 c; Z- Q: p, Q& @9 _
1、对比HY1906场效应管:进一步优化,让FHP1906V拥有更低的导通内阻。
; G z$ A. b" h6 ^) P" ]4 h2、对比IRFB7545PbF场效应管:为工程师们提供更高性价比的国产化替代产品。" W) z9 j# j% B5 ~. j! ], N
3、和本公司上一代FHP1906A相比,进一步降低Qg,降低损耗,提高了品质因数FOM(RDSON*Qg),性能更优。& J& n! U6 v5 C/ O& [* j
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三、推荐应用范围4 i& x" s, V5 T, q+ j2 I+ Z
1、同步整流& k" I& l& U. a" W/ Z/ q9 i
2、24-36V BLDC电机驱动控制器
4 C3 m8 T+ e: s, b3、12V蓄电池输入的车载高频逆变器中的DC/DC推挽拓扑升压电路% V& f( @0 Z, I* s' \
4、5串磷酸铁锂电池组搭配的户外储能电源中逆变模块的DC-DC推挽拓扑升压电路
- W8 G& y9 [# S, O. u4 b5 T: F5、适合全桥拓扑应用,如12V/24蓄电池搭配的UPS,适合SOHO小型化办公室和家庭办公需求UPS电源的设备
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% T: ?! f* P5 J/ R( ? J四、部分典型特性曲线
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2 U4 a8 s' J, G9 [% h国产化MOS管已经逐渐成为电子工程师的日常,如何选用优质的代换型号是一个关键的话题。FHP1906V新产品的发布为电子厂商提供更低导通电阻的产品选择,也提供更高性价比的场效应管。
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飞虹半导体致力于大功率分立器件、集成电路、功率器件的研发、生产及销售,给厂家提供可持续稳定供货。至今已经有35年半导体行业经验以及20年研发、制造经验。除可提供免费试样外,更可根据客户需求进行量身定制MOS管产品。( ~( c: F" h% T
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